74VHC4046的CMOS锁相环
1995年10月
74VHC4046
的CMOS锁相环
概述
该74VHC4046是利用低功耗锁相环
先进的硅栅CMOS技术来获得高频
昆西操作都在相位比较器和压控振荡器
部分该器件内置一个低功耗线性稳压
控制振荡器（VCO ），一个源极跟随器和三个
相位比较器的三相比较有
公共信号输入端和一个共同的比较器输入端的
信号输入具有自偏置放大器允许信号
可以任一电容耦合到所述相位比较器
用小信号或直接与标准的输入
逻辑电平的这个装置是类似于CD4046的不同之处在于
该金属栅极CMOS器件的齐纳二极管一直是
与第三相位比较器置换
相位比较器I是异或（XOR）门它亲
志愿组织维持一个90°相移的数字误差信号
VCO的中心频率和输入信号之间
（占空比为50％的输入波形）此相位检测器是
更容易受到锁定到输入的谐波频
昆西比相比较，但我提供了更好的噪声
拒绝
相位比较器III是一个SR触发器门它可以用于
以提供相位比较器的功能，它类似于
在性能上的第一比较
相比较二是边缘敏感的数字顺序
网络中的两个信号输出，提供了比较输出
放和相位脉冲输出的比较器的输出是一个
三态输出，提供了一个信号，即锁定
压控振荡器的输出信号与输入信号同0相移BE-
补间他们这比较是更容易受噪声
投掷环路失锁，但不太可能锁定到
谐波比其他两个比较器
在一个典型的应用程序的三个比较器中的任何一个
喂这又助长了VCO的外部滤波器网络
输入该输入是一个非常高的阻抗CMOS输入
这也带动了源极跟随器的VCO的经营
频率由连接到三个外部元件设置
该C1A C1B R1和R2销的抑制销被提供给
禁用VCO和源极跟随器，提供一甲
将上述IC处于低功率状态的外径
源极跟随器的MOS晶体管的栅极所配置
，连接到该VCO的输入端，其漏极连接DE-
调制器的输出，该输出通常是通过使用一个捆绑
从销10的电阻接地，并提供一种手段
看着VCO输入，而无需加载下修改
锁相环滤波器的特性
特点
Y
Y
Y
Y
Y
低动态功耗
(V
CC
e
4 5V)
最大VCO工作频率
12兆赫
(V
CC
e
4 5V)
快速比较器的响应时间（V
CC
e
4 5V)
我比较
25纳秒
比较二
30纳秒
比较三
25纳秒
压控振荡器具有高线性度和高温度稳定性
引脚和功能与兼容74HC4046
广告
74VHC4046M
74VHC4046N
包
数
M16A
N16E
包装说明
16引线模压JEDEC SOIC
16引脚DIP成型
记
表面贴装封装也可在磁带和卷轴通过附加后缀字母' X' '的订货代码指定
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 11675
RRD - B30M125印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 2 ）
b
0至5
a
7 0V
电源电压（V
CC
)
b
1 5 V
CC
a
1 5V
直流输入电压（V
IN
)
b
0 5 V
CC
a
0 5V
直流输出电压（V
OUT
)
g
20毫安
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
g
25毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
50毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65 C
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
工作条件
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
74VHC
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
V
CC
e
2 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
民
2
0
最大
6
V
CC
单位
V
V
b
40
a
85
C
ns
ns
ns
1000
500
400
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
T
A
e
25 C
典型值
74VHC
T
A
eb
40到85℃
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
单位
V
IH
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最小高电平输出
电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
15
3 15
42
05
1 35
18
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
V
IL
V
OH
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
6 0V
6 0V
6 0V
6 0V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
V
OL
最大低电平输出
电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
I
IN
I
IN
I
OZ
I
CC
最大输入电流（引脚3 5 9 ）
最大输入电流（引脚14 ）
最大三态输出
漏电流（引脚13 ）
最大静态电源
当前
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
V
OUT
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
V
IN
e
V
CC
或GND
销14开放
注1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
20
50
g
0 25
80
g
2 5
30
600
40
750
65
1200
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生于VHC在4 5V因此， 4 5V的值时，应使用
与此供应最坏情况V设计
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
3
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