74VHC04六反相器
1992年11月
修订后的2005年2月
74VHC04
六反相器
概述
该VHC04是一种先进的高速CMOS逆变器
制造与硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极高速动作
肖特基TTL同时保持CMOS低功耗耗散
而不能使。
内部电路由3个阶段，包括缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出
放。输入保护电路，确保0V至7V可以
施加到输入引脚没有考虑到电源电压
年龄。这种装置可以被用于连接5V至3V系统
和两个电源系统，如后备电池。该税务局局长
CUIT防止设备损坏，由于供应不匹配
和输入电压。
特点
s
高速：吨
PD
3.8纳秒（典型值），在V
CC
V
NIL
5V
s
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
s
低噪音： V
OLP
28% V
CC
（分钟）
s
掉电保护提供所有输入
0.4V （典型值）
2
P
A（最大值） @ T
A
25
q
C
s
低功耗：我
CC
s
引脚和功能与兼容74HC04
订购代码：
订单号
74VHC04M
74VHC04MX_NL
（注1 ）
74VHC04SJ
74VHC04MTC
74VHC04MTCX_NL
（注1 ）
74VHC04N
包
数
M14A
M14A
M14D
MTC14
MTC14
N14A
包装说明
14引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150"窄
无铅14引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150"窄
无铅14引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
14引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米宽
无铅14引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米
WIDE
14引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300"宽
表面贴装封装也可在磁带和卷轴。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
根据JEDEC J- STD- 020B无铅封装。
注1 ：
“ _NL ”表示无铅封装（每JEDEC J- STD- 020B ） 。设备只在磁带和卷轴可用。
2005仙童半导体公司
DS011516
www.fairchildsemi.com
74VHC04
绝对最大额定值
（注2 ）
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
输入二极管电流（I
IK
)
输出二极管电流（I
OK
)
直流输出电流（I
OUT
)
DC V
CC
/ GND电流（I
CC
)
存储温度（T
英镑
)
引线温度（T
L
)
（焊接， 10秒）
260
q
C
0.5V至
7.0V
0.5V至
7.0V
0.5V至V
CC
0.5V
20毫安
r
20毫安
r
25毫安
r
50毫安
65
q
C到
150
q
C
推荐工作
条件
（注3）
电源电压（V
CC
)
输入电压（V
IN
)
输出电压（V
OUT
)
工作温度（T
OPR
)
输入上升和下降时间（t
r
, t
f
)
V
CC
V
CC
3.3V
r
0.3V
5.0V
r
0.5V
0
a
为100 ns / V
0
a
20纳秒/ V
2.0V至
5.5V
0V至
5.5V
0V至V
CC
40
q
C到
85
q
C
注2 ：
绝对最大额定值是值超出该设备
可能被损坏或有其使用寿命降低。本数据手册规范
系统蒸发散应满足，无例外地，以确保系统的设计是
在可靠的电源，温度和输入/输出负载VARI-
冷杉。飞兆半导体没有外界数据手册规范操作建议
系统蒸发散。
注3 ：
未使用的输入必须保持高电平或低电平。他们可能不浮动。
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
高层
输入电压
低层
输入电压
高层
输出电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
V
OL
低层
输出电压
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
I
IN
I
CC
输入漏电流
静态电源电流
0
5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
2.0
3.0
4.5
T
A
民
1.50
0.7 V
CC
0.50
0.3 V
CC
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
V
I
OL
I
OL
V
IN
V
IN
4毫安
8毫安
V
V
V
IN
I
OH
I
OH
V
IH
I
OL
或V
IL
V
25
q
C
典型值
最大
T
A
40
q
C到
85
q
C
民
最大
单位
V
条件
1.50
0.7 V
CC
0.50
0.3 V
CC
V
V
IN
V
IH
或V
IL
I
OH
50
P
A
4毫安
8毫安
50
P
A
r
0.1
2.0
r
1.0
20.0
P
A
P
A
5.5V或GND
V
CC
或GND
噪声特性
符号
V
OLP
（注4 ）
V
OLV
（注4 ）
V
IHD
（注4 ）
V
ILD
（注4 ）
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
V
CC
(V)
5.0
5.0
5.0
5.0
T
A
典型值
0.4
25
q
C
范围
0.8
单位
V
V
V
V
C
L
C
L
C
L
C
L
50 pF的
50 pF的
50 pF的
50 pF的
条件
0.4
0.8
3.5
1.5
注4 ：
参数设计保证来。
3
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74VHC04
AC电气特性
符号
t
PHL
t
PLH
5.0
r
0.5
C
IN
C
PD
输入电容
功率耗散电容
参数
传播延迟
V
CC
(V)
3.3
r
0.3
T
A
民
25
q
C
典型值
5.0
7.5
3.8
5.3
4
18
最大
7.1
10.6
5.5
7.5
10
T
A
40
q
C到
85
q
C
最大
8.5
12.0
6.5
8.5
10
1.0
1.0
1.0
1.0
民
单位
ns
ns
pF
pF
C
L
C
L
C
L
C
L
条件
15 pF的
50 pF的
15 pF的
50 pF的
开放
V
CC
（注5 ）
注5 ：
C
PD
被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。平均
工作电流可以通过下式得到：我
CC
（ OPR 。 ）C
PD
* V
CC
* f
IN
I
CC
/ 6 （每门） 。
www.fairchildsemi.com
4
74VHC04
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
14引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150"窄
包装数M14A
5
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74VHC04六反相器
1992年11月
修订后的2005年2月
74VHC04
六反相器
概述
该VHC04是一种先进的高速CMOS逆变器
制造与硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极高速动作
肖特基TTL同时保持CMOS低功耗耗散
而不能使。
内部电路由3个阶段，包括缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出
放。输入保护电路，确保0V至7V可以
施加到输入引脚没有考虑到电源电压
年龄。这种装置可以被用于连接5V至3V系统
和两个电源系统，如后备电池。该税务局局长
CUIT防止设备损坏，由于供应不匹配
和输入电压。
特点
s
高速：吨
PD
3.8纳秒（典型值），在V
CC
V
NIL
5V
s
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
s
低噪音： V
OLP
28% V
CC
（分钟）
s
掉电保护提供所有输入
0.4V （典型值）
2
P
A（最大值） @ T
A
25
q
C
s
低功耗：我
CC
s
引脚和功能与兼容74HC04
订购代码：
订单号
74VHC04M
74VHC04MX_NL
（注1 ）
74VHC04SJ
74VHC04MTC
74VHC04MTCX_NL
（注1 ）
74VHC04N
包
数
M14A
M14A
M14D
MTC14
MTC14
N14A
包装说明
14引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150"窄
无铅14引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150"窄
无铅14引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
14引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米宽
无铅14引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米
WIDE
14引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300"宽
表面贴装封装也可在磁带和卷轴。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
根据JEDEC J- STD- 020B无铅封装。
注1 ：
“ _NL ”表示无铅封装（每JEDEC J- STD- 020B ） 。设备只在磁带和卷轴可用。
2005仙童半导体公司
DS011516
www.fairchildsemi.com
74VHC04
绝对最大额定值
（注2 ）
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
输入二极管电流（I
IK
)
输出二极管电流（I
OK
)
直流输出电流（I
OUT
)
DC V
CC
/ GND电流（I
CC
)
存储温度（T
英镑
)
引线温度（T
L
)
（焊接， 10秒）
260
q
C
0.5V至
7.0V
0.5V至
7.0V
0.5V至V
CC
0.5V
20毫安
r
20毫安
r
25毫安
r
50毫安
65
q
C到
150
q
C
推荐工作
条件
（注3）
电源电压（V
CC
)
输入电压（V
IN
)
输出电压（V
OUT
)
工作温度（T
OPR
)
输入上升和下降时间（t
r
, t
f
)
V
CC
V
CC
3.3V
r
0.3V
5.0V
r
0.5V
0
a
为100 ns / V
0
a
20纳秒/ V
2.0V至
5.5V
0V至
5.5V
0V至V
CC
40
q
C到
85
q
C
注2 ：
绝对最大额定值是值超出该设备
可能被损坏或有其使用寿命降低。本数据手册规范
系统蒸发散应满足，无例外地，以确保系统的设计是
在可靠的电源，温度和输入/输出负载VARI-
冷杉。飞兆半导体没有外界数据手册规范操作建议
系统蒸发散。
注3 ：
未使用的输入必须保持高电平或低电平。他们可能不浮动。
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
高层
输入电压
低层
输入电压
高层
输出电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
V
OL
低层
输出电压
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
I
IN
I
CC
输入漏电流
静态电源电流
0
5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
2.0
3.0
4.5
T
A
民
1.50
0.7 V
CC
0.50
0.3 V
CC
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
V
I
OL
I
OL
V
IN
V
IN
4毫安
8毫安
V
V
V
IN
I
OH
I
OH
V
IH
I
OL
或V
IL
V
25
q
C
典型值
最大
T
A
40
q
C到
85
q
C
民
最大
单位
V
条件
1.50
0.7 V
CC
0.50
0.3 V
CC
V
V
IN
V
IH
或V
IL
I
OH
50
P
A
4毫安
8毫安
50
P
A
r
0.1
2.0
r
1.0
20.0
P
A
P
A
5.5V或GND
V
CC
或GND
噪声特性
符号
V
OLP
（注4 ）
V
OLV
（注4 ）
V
IHD
（注4 ）
V
ILD
（注4 ）
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
V
CC
(V)
5.0
5.0
5.0
5.0
T
A
典型值
0.4
25
q
C
范围
0.8
单位
V
V
V
V
C
L
C
L
C
L
C
L
50 pF的
50 pF的
50 pF的
50 pF的
条件
0.4
0.8
3.5
1.5
注4 ：
参数设计保证来。
3
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74VHC04
AC电气特性
符号
t
PHL
t
PLH
5.0
r
0.5
C
IN
C
PD
输入电容
功率耗散电容
参数
传播延迟
V
CC
(V)
3.3
r
0.3
T
A
民
25
q
C
典型值
5.0
7.5
3.8
5.3
4
18
最大
7.1
10.6
5.5
7.5
10
T
A
40
q
C到
85
q
C
最大
8.5
12.0
6.5
8.5
10
1.0
1.0
1.0
1.0
民
单位
ns
ns
pF
pF
C
L
C
L
C
L
C
L
条件
15 pF的
50 pF的
15 pF的
50 pF的
开放
V
CC
（注5 ）
注5 ：
C
PD
被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。平均
工作电流可以通过下式得到：我
CC
（ OPR 。 ）C
PD
* V
CC
* f
IN
I
CC
/ 6 （每门） 。
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4
74VHC04
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
14引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150"窄
包装数M14A
5
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