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74V1T66
单双向开关
s
s
s
s
s
s
s
高速:
t
PD
= 0.3ns (典型值),在V
CC
= 5V
低功耗:
I
CC
= 1μA (最大值)在T
A
= 25°C
低"ON"性:
R
ON
= 6.5Ω ( TYP 。 )在V
CC
= 5V ,我
I / O
= 1毫安
正弦波失真度:
0.04 %在V
CC
= 5V , F = 1kHz时
兼容TTL输出ON
控制引脚:
V
IH
= 2V (MIN) ,V
IL
= 0.8V (MAX)
工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 4.5V至5.5V
改进的闭锁抗扰度
SOT23-5L
SOT323-5L
订购代码
SOT23-5L
SOT323-5L
T&R
74V1T66STR
74V1T66CTR
描述
该74V1T66是一种先进的高速CMOS
单双向开关的制作
硅栅
2
MOS技术。它实现了高
高速的传输延迟和非常低的
同时保持低真CMOS电阻
功耗。这种双向开关手柄
轨对轨的模拟和数字信号,可能会发生变化
在整个电源电压范围(从GND到
V
CC
).
C输入被提供给控制开关和
它与标准的TTL输出兼容;该
开关处于ON ( I / O端口连接到端口O / I )
引脚连接和IEC逻辑符号
当C输入保持高OFF (高
在两个端口之间存在阻抗状态)
当C为低。它可以在许多用于
应用为电池供电系统,测试
设备。它可以在商业和
扩展温度范围和SOT23-5L
SOT323-5L包。
所有输入和输出都配备有保护
防止静电放电电路,使他们ESD
免疫力和瞬态过电压。
2004年4月
1/11
74V1T66
输入等效电路
引脚说明
引脚n °
1
2
4
3
5
符号
I / O
O / I
C
GND
V
CC
名称和功能
独立的输入/输出
独立的输出/输入
使能输入(
HIGH )
地( 0V )
正电源电压
真值表
控制
H
L
*高阻抗状态
开关功能
ON
关*
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
I
IK
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流控制输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
直流控制输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
- 20
±
20
±
50
±
50
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
T
英镑
储存温度
T
L
焊接温度( 10秒)
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
控制输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间(注1 )V
CC
= 5.0V
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0至5.5
0到V
CC
-55至125
0-20
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
1) V
IN
从0.8V至2V的控制引脚
2/11
74V1T66
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
R
ON
抗性
5.0
(*)
I
关闭
输入/输出
漏电流
(开关OFF)
开关量输入
漏电流
(开关,
输出开路)
控制输入
漏电流
静态电源
当前
V
IC
= V
IH
V
I / O
= V
CC
到GND
I
I / O
1mA
V
IC
= V
IH
V
I / O
= V
CC
或GND
I
I / O
1mA
V
OS
= V
CC
到GND
V
IS
= V
CC
到GND
V
IC
= V
IL
V
OS
= V
CC
到GND
V
IC
= V
IH
V
IC
= 5.5V或GND
V
I
= V
CC
或GND
7.5
T
A
= 25°C
分钟。
2
0.8
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
2
0.8
马克斯。
-55到125°C
分钟。
2
0.8
马克斯。
V
V
单位
V
IH
V
IL
R
ON
输入高电平
电压
低电平输入
电压
抗性
10
12
14
6.5
8.5
10
12
5.5
±0.1
±
1
±
5
A
I
IZ
5.5
0
5.5
5.5
±0.1
±
0.1
1
±
1
±
1.0
10
±
5
±
1.0
20
A
A
A
I
IN
I
CC
( *)的电压范围为5V
±
0.5V
AC电气特性
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
= t
f
= 3纳秒)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
t
r
= t
f
= 6ns的
R
L
= 500
R
L
= 1 K
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.3
5.0
2.0
马克斯。
0.6
7.5
4.0
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
1.0
9.0
5.0
-55到125°C
分钟。
马克斯。
2.0
10.0
7.0
ns
ns
ns
单位
t
PD
t
PLZ
t
PHZ
t
PZL
t
PZH
延迟时间
输出禁用
时间
OUTPUT ENABLE
时间
( *)的电压范围为5.0V
±
0.5V
3/11
74V1T66
电容特性
测试条件
符号
参数
T
A
= 25°C
分钟。
C
IN
C
I / O
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容
(注1 )
典型值。
3
10
3
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
pF
单位
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
模拟开关特性
( GND = 0V ;吨
A
= 25°C)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0(*)
5.0(*)
V
IN
(V
p-p
)
4
f
IN
= 1千赫
L
= 10 kΩ的,C
L
= 50 pF的
调整F
IN
电压,以获得0分贝在V
OS
.
增加F
IN
频率,直到分贝仪读取-3dB
R
L
= 50, C
L
= 10 pF的
V
IN
被集中在V
CC
/2
调整F
IN
电压在V获得为0dBm
IS
R
L
= 600, C
L
= 50 pF的,女
IN
= 1kHz正弦波
R
L
= 600, C
L
= 50 pF的,女
IN
= 1KHz的方波
t
r
= t
f
= 6ns的
价值
单位
典型值。
0.04
180
%
兆赫
f
最大
正弦波
失真( THD )
频率
响应
(开关)
馈通
衰减
(开关OFF)
串扰(控制
输入信号
输出)
5.0(*)
-60
dB
5.0(*)
60
mV
( *)的电压范围为5.0V
±
0.5V
4/11
74V1T66
切换CARACTERISTICS测试电路
穿心衰减
带宽衰减
最大控制频率
串扰(控制输出
5/11
74V1T66
单双向开关
s
s
s
s
高速:
t
PD
= 0.1 ns(典型值),在V
CC
= 5V
低功耗:
I
CC
= 1
A
( MAX 。 )在T
A
= 25
o
C
LOW “ON”抵抗:
R
ON
= 10Ω ( TYP 。 )在V
CC
= 5V I
I / O
=100A
正弦波失真
0.04 % ( TYP 。 )在V
CC
= 5V F = 1kHz时
SOT23-5L
订购代码
SOT23-5L
SC-70
牛逼UBE
SC-70
T&
74V1T66S-TR
74V1T66C-TR
描述
该74V1T66是一个高速CMOS单
双向开关制造的硅栅
C2MOS技术。它实现了高速
传播延迟和非常低的
同时保持低真CMOS电阻
功耗。这一特性使得这部分
非常适合电池供电的设备。这
双向开关手柄轨到轨模拟和
在整个这可能会发生变化的数字信号
电源电压范围(从Vcc接地) 。
C输入被提供给控制开关和
它与标准的TTL输出兼容;该
开关接通时, C输入保持高电平和关闭
当C为低。它可以在许多用于
应用为电池供电系统,音频
信号路由,通信系统,测试
设备。这是在商业可用
温度范围在SOT23-5L和SC- 70-5L
封装。
引脚连接和IEC逻辑符号
2000年2月
1/8
74V1T66
逻辑图
引脚说明
针无
1
2
4
3
5
符号
I / O
O / I
C
GND
V
CC
名称和FUNCT离子
独立的输入/输出
独立的输出/输入
使能输入(
HIGH )
地( 0V )
正电源电压
真值表
控制
H
L
开关F UNCTIO
ON
关闭
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
I
IK
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流控制输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
直流控制输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5 7
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
- 20
±
20
±
50
±
50
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
o
o
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作,是不是暗示。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
控制输入电压
输出电压
工作温度:
输入上升和下降时间(注1 )
V
CC
=5V
V
CC
=3.3V
1) V
IN
从08V to2V
参数
VALU ê
4.5 5.5
0到V
CC
0至5.5
0到V
CC
-40至+85
0-20
0-100
单位
V
V
V
V
o
C
NS / V
NS / V
2/8
74V1T66
DC特定网络阳离子
SYMB OL
参数
V
CC
(V)
V
IH
V
IL
R
ON
高电平输入电压
低电平输入电压
抗性
5.0
(*)
5.0
(*)
牛逼EST电导率银行足球比赛s
o
价值
T
A
= 25 C
分钟。
2.0
0.8
典型值。
马克斯。
-40至85℃
分钟。
2.0
0.8
20
12
17
马克斯。
o
取消它
V
V
V
IC
= V
IH
V
I / O
= V
CC
至G ND
I
I / O
1mA
V
IC
= V
IH
V
I / O
= V
CC
或GND
I
I / O
1mA
V
OS
= V
CC
到GND
V
IS
= V
CC
至G ND
V
我知道了
= V
I L
V
OS
= V
CC
到GND
V
IC
= V
IH
V
IC
= 5.5V或GND
V
IC
= V
CC
或GND
R
ON
抗性
5.0
(*)
10
14
18
I
关闭
输入/输出泄漏
当前(关闭)
开关输入泄漏
电流(开关,
输出开路)
控制输入漏
当前
静态电源电流
5.5
±0.1
±1.0
A
I
IZ
5.5
±0.1
±1.0
A
I
IN
I
CC
0
5.5
5.5
±0.1
1
±1.0
10
A
A
( *)的电压范围为5V
±
0.5V
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
3 = NS)
SYMB OL
参数
V
CC
(V)
t
PD
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
I / O
C
PD
延迟时间
输出使能时间
输出禁止时间
输入电容
开关端子
电容
功耗
电容(注1 )
5.0
5.0
5.0
(*)
(*)
测试有限公司ndition
o
价值
T
A
= 25 C
分钟。典型值。马克斯。
0.1
0.2
4.0
7.5
2.0
5.0
5
10
3
-40至85℃
分钟。马克斯。
1.0
5.0
9.0
o
取消它
ns
ns
ns
pF
pF
pF
R
L
= 1k
R
L
= 1k
5.0
(*)
1) C
PD
isdefined作为其计算fromthe工作电流消耗无负载的IC'sinternal等效电容的值。 ( Referto
测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC
( OPR ) = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
(开关) 。
( *)的电压范围为5V
±
0.5V
3/8
74V1T66
模拟开关特性
( GND = 0 V ,T
A
= 25
o
C)
SYMB OL
参数
V
CC
(V)
5.0
(*)
5.0
(*)
V
IN
(VP -P )
4
试验共nditi上
价值
取消它
正弦波失真
( THD )
f
最大
频率响应
(开关)
穿心
衰减
(开关OFF)
串扰(控制
输入到信号输出)
( *)的电压范围为5V
±
0.5V
f
IN
= 1千赫
R
L
= 10K
C
L
= 50 pF的
0.04
180
%
兆赫
5.0
(*)
调整F
I N
电压获取0dBm的在V
OS
.
增加F
IN
频率,直到分贝仪读取-3dB
R
L
= 50
,
C
L
= 10pF的
V
IN
被集中在V
CC
/2.
调整与fIN电压,以获得为0dBm在V
IS
R
L
= 600
, C
L
= 50pF的,女
IN
= 1MHz的正弦波
R
L
= 600
, C
L
= 50pF的,女
IN
= 1MHz的方波
t
r
= t
f
= 2.0ns
-60
dB
5.0
(*)
60
mV
4/8
74V1T66
开关特性测试电路
t
PLZ
, t
PHZ
, t
PZL
, t
PZH
.
穿心衰减
带宽衰减
C
我-O
C
I / O
最大控制频率
GND (V
SS
)
串扰(控制输出)
5/8
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
74V1T66
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