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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符7型号页 > 首字符7的型号第30页 > 74LX1G07STR
74LX1G07
单缓冲器/驱动器(漏极开路)
s
s
s
s
s
s
s
5V容限输入
高速:吨
PD
= 4.2ns (最大值)在V
CC
=
3.3V
低功耗:
I
CC
= 1μA (最大值)在T
A
=25°C
掉电保护输入端上的
和产出
掉电保护ON INPUT
工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 1.65V至5.5V
( 1.2V数据保留)
改进的闭锁抗扰度
SOT23-5L
SOT323-5L
订购代码
SOT23-5L
SOT323-5L
T&R
74LX1G07STR
74LX1G07CTR
描述
该74LX1G07是低压CMOS单
BUFFER (漏极开路)与制造
亚微米硅栅和双层金属
接线
2
MOS技术。
内部电路由2个阶段
包括缓冲输出,提供高噪声
性和稳定的输出。
掉电保护提供输入和0
至7V可以接受输入不考虑
电源电压。此装置可用于
接口5V至3V 。
引脚连接和IEC逻辑符号
2004年4月
1/10
74LX1G07
输入和输出等效电路
引脚说明
引脚n °
1
2
4
3
5
符号
NC
1A
1Y
GND
V
CC
名称和功能
没有连接
数据输入
数据输出
地( 0V )
正电源电压
真值表
A
L
H
Z:高阻
Y
L
Z
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压(V
CC
= 0V)
直流输出电压(高或低状态) (注1 )
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流(注2 )
直流输出电流
每个电源引脚DC电源电流
每个电源引脚DC接地电流
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
- 50
- 50
±
50
±
100
±
100
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
2/10
74LX1G07
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
OL
I
OL
I
OL
I
OL
I
OL
T
op
DT / DV
电源电压(注1 )
输入电压
输出电压(V
CC
= 0V)
输出电压(高或低状态)
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 4.5 5.5V )
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 3.0 3.6V )
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 2.7 3.0V )
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 2.3 2.7V )
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 1.65 2.3V )
工作温度
输入上升和下降时间(注2 )
参数
价值
1.65 5.5
0至5.5
0至5.5
0到V
CC
+
32
+24
+
12
+
8
+
4
-55至125
0-10
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
NS / V
1 )真值表保证: 1.2V至3.6V
2) V
IN
从0.8V至2V在V
CC
= 3.0V
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
1.65 1.95
2.3 2.7
3.0到5.5
V
IL
低电平输入
电压
1.65 1.95
2.3 2.7
3.0到5.5
V
OL
低电平输出
电压
1.65 4.5
1.65
2.3
3.0
4.5
I
OZ
高阻抗
输出漏
当前
输入漏
当前
关机泄漏
当前
静态电源
当前
3.6
1.65 5.5
0
1.65 5.5
3.6
I
O
=100
A
I
O
= 4毫安
I
O
= 8毫安
I
O
= 16毫安
I
O
= 24毫安
I
O
= 32毫安
V
I
= 0至5.5V
V
I
= 0至5.5V
V
I
或V
O
= 5.5V
V
I
= V
CC
或GND
V
I
或V
O
= 3.6 5.5V
-40到85°C
分钟。
0.75V
CC
0.7V
CC
0.7V
CC
0.25V
CC
0.3V
CC
0.3V
CC
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±
10
±
10
10
10
±
10
马克斯。
价值
-55到125°C
分钟。
0.75V
CC
0.7V
CC
0.7V
CC
0.25V
CC
0.3V
CC
0.3V
CC
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±
10
±
10
10
10
±
10
A
A
A
A
V
V
V
马克斯。
单位
V
IH
输入高电平
电压
I
I
I
关闭
I
CC
3/10
74LX1G07
AC电气特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
1.65 1.95
2.3 2.7
2.7
3.0 3.6
4.5 5.5
1.65 1.95
2.3 2.7
2.7
3.0 3.6
4.5 5.5
C
L
(PF )
30
30
50
50
50
30
30
50
50
50
R
1
()
1000
500
500
500
500
1000
500
500
500
500
t
s
=
t
r
(纳秒)
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
-40到85°C
分钟。
1.8
1.2
1
0.8
0.5
1.8
1.2
1
0.8
0.5
马克斯。
8.3
5.5
5
4.2
3.5
8.3
5.5
5
4.2
3.5
价值
-55到125°C
分钟。
1.8
1.2
1
0.8
0.5
1.8
1.2
1
0.8
0.5
马克斯。
8.3
5.5
5
4.2
3.5
8.3
5.5
5
4.2
3.5
单位
t
PLZ
传播延迟
时间
ns
t
PZL
传播延迟
时间
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
3.3
3.3
1.8
2.5
3.3
V
IN
= 0或V
CC
V
IN
= 0或V
CC
f
IN
= 10MHz时
价值
T
A
= 25 °C
分钟。
典型值。
2.5
4
16
18
20
马克斯。
pF
pF
pF
单位
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
输出电容
功率耗散电容
(注1 )
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
4/10
74LX1G07
测试电路
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器(通常为50Ω )
测试电路和波形符号价值
符号
1.65 1.95V
C
L
R1=R
L
V
IH
V
M
t
r
= t
f
30pF
1000
V
CC
V
CC
/2
<2.0ns
V
CC
2.3 2.7V
30pF/50pF
500
V
CC
V
CC
/2
<2.0ns
2.7至5.5V
50pF
500
V
CC
V
CC
/2
<2.5ns
波形:传播延迟
中(f = 1MHz的50 %占空比)
5/10
74LX1G07
单缓冲器/驱动器(漏极开路)
s
s
s
s
s
s
s
5V容限输入
高速:吨
PD
= 4.2ns (最大值)在V
CC
=
3.3V
低功耗:
I
CC
= 1μA (最大值)在T
A
=25°C
掉电保护输入端上的
和产出
掉电保护ON INPUT
工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 1.65V至5.5V
( 1.2V数据保留)
改进的闭锁抗扰度
SOT23-5L
SOT323-5L
订购代码
SOT23-5L
SOT323-5L
T&R
74LX1G07STR
74LX1G07CTR
描述
该74LX1G07是低压CMOS单
BUFFER (漏极开路)与制造
亚微米硅栅和双层金属
接线
2
MOS技术。
内部电路由2个阶段
包括缓冲输出,提供高噪声
性和稳定的输出。
掉电保护提供输入和0
至7V可以接受输入不考虑
电源电压。此装置可用于
接口5V至3V 。
引脚连接和IEC逻辑符号
2004年4月
1/10
74LX1G07
输入和输出等效电路
引脚说明
引脚n °
1
2
4
3
5
符号
NC
1A
1Y
GND
V
CC
名称和功能
没有连接
数据输入
数据输出
地( 0V )
正电源电压
真值表
A
L
H
Z:高阻
Y
L
Z
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压(V
CC
= 0V)
直流输出电压(高或低状态) (注1 )
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流(注2 )
直流输出电流
每个电源引脚DC电源电流
每个电源引脚DC接地电流
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
- 50
- 50
±
50
±
100
±
100
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
2/10
74LX1G07
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
OL
I
OL
I
OL
I
OL
I
OL
T
op
DT / DV
电源电压(注1 )
输入电压
输出电压(V
CC
= 0V)
输出电压(高或低状态)
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 4.5 5.5V )
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 3.0 3.6V )
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 2.7 3.0V )
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 2.3 2.7V )
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 1.65 2.3V )
工作温度
输入上升和下降时间(注2 )
参数
价值
1.65 5.5
0至5.5
0至5.5
0到V
CC
+
32
+24
+
12
+
8
+
4
-55至125
0-10
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
NS / V
1 )真值表保证: 1.2V至3.6V
2) V
IN
从0.8V至2V在V
CC
= 3.0V
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
1.65 1.95
2.3 2.7
3.0到5.5
V
IL
低电平输入
电压
1.65 1.95
2.3 2.7
3.0到5.5
V
OL
低电平输出
电压
1.65 4.5
1.65
2.3
3.0
4.5
I
OZ
高阻抗
输出漏
当前
输入漏
当前
关机泄漏
当前
静态电源
当前
3.6
1.65 5.5
0
1.65 5.5
3.6
I
O
=100
A
I
O
= 4毫安
I
O
= 8毫安
I
O
= 16毫安
I
O
= 24毫安
I
O
= 32毫安
V
I
= 0至5.5V
V
I
= 0至5.5V
V
I
或V
O
= 5.5V
V
I
= V
CC
或GND
V
I
或V
O
= 3.6 5.5V
-40到85°C
分钟。
0.75V
CC
0.7V
CC
0.7V
CC
0.25V
CC
0.3V
CC
0.3V
CC
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±
10
±
10
10
10
±
10
马克斯。
价值
-55到125°C
分钟。
0.75V
CC
0.7V
CC
0.7V
CC
0.25V
CC
0.3V
CC
0.3V
CC
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±
10
±
10
10
10
±
10
A
A
A
A
V
V
V
马克斯。
单位
V
IH
输入高电平
电压
I
I
I
关闭
I
CC
3/10
74LX1G07
AC电气特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
1.65 1.95
2.3 2.7
2.7
3.0 3.6
4.5 5.5
1.65 1.95
2.3 2.7
2.7
3.0 3.6
4.5 5.5
C
L
(PF )
30
30
50
50
50
30
30
50
50
50
R
1
()
1000
500
500
500
500
1000
500
500
500
500
t
s
=
t
r
(纳秒)
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
-40到85°C
分钟。
1.8
1.2
1
0.8
0.5
1.8
1.2
1
0.8
0.5
马克斯。
8.3
5.5
5
4.2
3.5
8.3
5.5
5
4.2
3.5
价值
-55到125°C
分钟。
1.8
1.2
1
0.8
0.5
1.8
1.2
1
0.8
0.5
马克斯。
8.3
5.5
5
4.2
3.5
8.3
5.5
5
4.2
3.5
单位
t
PLZ
传播延迟
时间
ns
t
PZL
传播延迟
时间
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
3.3
3.3
1.8
2.5
3.3
V
IN
= 0或V
CC
V
IN
= 0或V
CC
f
IN
= 10MHz时
价值
T
A
= 25 °C
分钟。
典型值。
2.5
4
16
18
20
马克斯。
pF
pF
pF
单位
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
输出电容
功率耗散电容
(注1 )
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
4/10
74LX1G07
测试电路
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器(通常为50Ω )
测试电路和波形符号价值
符号
1.65 1.95V
C
L
R1=R
L
V
IH
V
M
t
r
= t
f
30pF
1000
V
CC
V
CC
/2
<2.0ns
V
CC
2.3 2.7V
30pF/50pF
500
V
CC
V
CC
/2
<2.0ns
2.7至5.5V
50pF
500
V
CC
V
CC
/2
<2.5ns
波形:传播延迟
中(f = 1MHz的50 %占空比)
5/10
74LX1G07
单缓冲/驱动器,具有漏极开路
特点
5 V容限输入
高速:吨
PD
= 4.2纳秒(最大)在V
CC
= 3.3 V
低功耗:
– I
CC
= 1
μ
A( MAX 。 )在T
A
= 25 °C
掉电保护的输入和输出
工作电压范围:
– V
CC
( OPR )= 1.65 5.5 V
闭锁性能超过300毫安
( JESD 17 )
ESD性能
- 2000 -V人体模型
( JESD 22 A114 -A )
- 200 -V机模型
( JESD 22 A115 -A )
- 1000 - V充电设备模型
( JESD 22 C101 )
倒装芯片4
SOT23-5L
SOT323-5L
描述
该74LX1G07是低压CMOS单
缓冲/驱动器(漏极开路)制造与子
微米硅栅和双层金属布线
C
2
MOS技术。
的2个阶段构成的内部电路
包括缓冲输出,提供高噪声
性和稳定的输出。
掉电保护提供输入和0
至7 V可以接受输入,没有问候
到电源电压。此装置可用于
接口5 3V。
应用
手机
表1中。
设备简介
订货编号
74LX1G07STR
74LX1G07CTR
74LX1G07BJR
SOT23-5L
SOT323-5L
倒装芯片4
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
2008年4月
第9版
1/20
www.st.com
20
目录
74LX1G07
目录
1
2
引脚连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
推荐的工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3
4
5
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/20
74LX1G07
引脚连接
1
引脚连接
图1 。
引脚连接和IEC符号
V CC
5
1Y
4
GND
1A
2
1
3
1Y
VCC
1A
GND
1
2
4
3
VCC
1Y
4
1
NC
2
3
倒装芯片4
底部视图
倒装芯片4
顶视图
CS00012
1A GND
SOT封装
顶视图
表2中。
引脚分配
引脚数
符号
名称和功能
无连接
数据输入
数据输出
地( 0V )
正电源电压
倒装芯片4
SOT
1
2
4
3
5
NC
1A
1Y
GND
V
CC
1
3
2
4
表3中。
真值表
A
L
H
Y
L
Z
Z:高阻
3/20
引脚连接
图2中。
输入和输出等效电路
V
CC
74LX1G07
过压
控制
输入
产量
ESD
保护
ESD
保护
GND
GND
GND
GND
GND
CS08973
4/20
74LX1G07
最大额定值
2
最大额定值
强调以上等级的设备中的“绝对最大额定值”表中列出的可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值的唯一经营
器件在这些或以上的任何其他条件的经营部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体SURE
计划和其他有关质量文件。
表4 。
符号
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压(V
CC
= 0 V)
直流输出电压(高或低状态)
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
每个电源引脚DC电源电流
每个电源引脚DC接地电流
储存温度
焊接温度( 10秒)
绝对最大额定值
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
- 50
- 50
±
50
±
100
±
100
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
5/20
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