74LVT373 74LVTH373低压八路透明锁存器带3态输出
1999年9月
修订后的1999年10月
74LVT373 74LVTH373
低电压八路透明锁存器
具有三态输出
概述
该LVT373和LVTH373包括八个锁存器与
三态输出的总线组织系统的应用。
该锁存器是透明的数据时，锁存
使能（ LE ）为高。当LE为低电平时，数据满足
的输入时序要求，进行锁存。数据显示在
当输出使能总线（OE）为LOW 。当OE
高电平时，总线输出是在高阻抗状态。
该LVTH373数据输入包括bushold ，消除了
无需外部上拉电阻持有未使用的输入。
这些八进制锁存器是专为低电压（ 3.3V ）
V
CC
应用，但与有能力提供一个TTL
接口为5V环境。该LVT373和LVTH373
均选用先进的BiCMOS技术
实现类似于5V ABT而高速动作
保持低功耗。
特点
s
在输入输出接口功能的系统
5V V
CC
s
Bushold数据输入不再需要外部上拉
电阻持有未使用的输入（ 74LVTH373 ） ，也
可用而不bushold功能（ 74LVT373 ） 。
s
直播插入/拔出许可
s
上电/掉电高阻抗提供无干扰
总线负载
s
输出源/汇
32
毫安/ + 64毫安
s
与74系列373功能兼容
订购代码：
订单号
74LVT373WM
74LVT373SJ
74LVT373MTC
74LVTH373WM
74LVTH373SJ
74LVTH373MTC
包装数
M20B
M20D
MTC20
M20B
M20D
MTC20
包装说明
20引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300 “宽
20引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米宽
20引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300 “宽
20引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米宽
逻辑符号
IEEE / IEC
1999仙童半导体公司
DS012015
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74LVT373 74LVTH373
接线图
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
LE
OE
O
0
–O
7
描述
数据输入
锁存使能输入
输出使能输入
三态输出锁存器
真值表
输入
LE
X
H
H
L
OE
H
L
L
L
D
n
X
L
H
X
输出
O
n
Z
L
H
O
0
H
=
高电压电平
L
=
低电压电平
Z
=
高阻抗
X
=
非物质
O
0
=
上一页
0
前锁存高向低转换启动
功能说明
该LVT373和LVTH373包含8 D型锁存器
3 ，国家标准输出。当锁存使能
（ LE ）输入为高电平时，在D数据
n
输入进入
锁存器。在这种条件下，锁存器是透明的，也就是说，一
锁存器输出将每次改变状态的D输入
变化。当LE为低电平时，锁存器存储的信息
化，这是目前在D输入建立时间preced-
荷兰国际集团LE的高到低的跳变。三态
标准输出由输出控制使能（ OE）的
输入。当OE为低电平时，在标准输出处于2-
状态模式。当OE为高电平时，标准输出在
高阻抗模式，但是这不干扰
输入新的数据进入锁存器。
逻辑图
请注意，该图仅用于逻辑操作的理解提供的，不应该被用来估计的传播延迟。
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2
74LVT373 74LVTH373
绝对最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
参数
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
储存温度
价值
0.5
to
+4.6
0.5
to
+7.0
0.5
to
+7.0
0.5
to
+7.0
50
50
64
128
±64
±128
65
to
+150
输出三态
输出高电平或者低电平状态（注2 ）
V
I
＆ LT ;
GND
V
O
＆ LT ;
GND
V
O
＆ GT ;
V
CC
输出高国
V
O
＆ GT ;
V
CC
输出低电平状态
条件
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
I
OH
I
OL
T
A
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
自由空气工作温度
输入边沿速率，V
IN
=
0.8V–2.0V, V
CC
=
3.0V
40
0
参数
民
2.7
0
最大
3.6
5.5
32
64
85
10
单位
V
V
mA
mA
°C
NS / V
注1 ：
绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。
注2 ：
I
O
绝对最大额定值必须遵守。
3
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74LVT373 74LVTH373
DC电气特性
符号
V
IK
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入钳位二极管电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
V
CC
(V)
2.7
2.7–3.6
2.7–3.6
2.7–3.6
2.7
3.0
V
OL
输出低电压
2.7
2.7
3.0
3.0
3.0
I
我（ HOLD ）
（注4 ）
I
我（OD）的
（注4 ）
I
I
Bushold输入过驱动
目前的状态改变
输入电流
控制引脚
数据引脚
I
关闭
I
PU / PD
I
OZL
I
OZH
I
OZH
+
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
I
CCZ
+
I
CC
关机漏电流
上电/掉电三态
输出电流
三态输出漏电流
三态输出漏电流
三态输出漏电流
电源电流
电源电流
电源电流
电源电流
增加电源电流
（注7 ）
注3 ：
所有典型值是在V
CC
=
3.3V ，T
A
=
25°C.
注4 ：
适用于Bushold版本仅（ 74LVTH373 ） 。
注5 ：
外部驱动器，必须有至少指定的电流以从低到高的转换。
注6 ：
外部驱动器必须吸收至少指定电流从高电平到低电平切换。
注7 ：
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是V
CC
或GND 。
T
A
= 40°C
to
+85°C
民
典型值
（注3）
1.2
2.0
0.8
V
CC
0.2
2.4
2.0
0.2
0.5
0.4
0.5
0.55
75
75
500
500
10
±1
5
1
±100
±100
5
5
10
0.19
5
0.19
0.19
0.2
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
I
I
= 18
mA
V
O
≤
0.1V或
V
O
≥
V
CC
0.1V
I
OH
= 100 A
I
OH
= 8
mA
I
OH
= 32
mA
I
OL
=
100
A
I
OL
=
24毫安
I
OL
=
16毫安
I
OL
=
32毫安
I
OL
=
64毫安
V
I
=
0.8V
V
I
=
2.0V
（注5 ）
（注6 ）
V
I
=
5.5V
V
I
=
0V或V
CC
V
I
=
0V
V
I
=
V
CC
0V
≤
V
I
或V
O
≤
5.5V
V
O
=
0.5V至3.0V
V
I
=
GND或V
CC
V
O
=
0.5V
V
O
=
3.0V
V
CC
＆ LT ;
V
O
≤
5.5V
输出高电平
输出低电平
输出禁用
V
CC
≤
V
O
≤
5.5V,
输出禁用
一个输入在V
CC
0.6V
其他输入在V
CC
或GND
最大
单位
条件
Bushold输入最小驱动
3.0
3.0
3.6
3.6
3.6
0
0–1.5V
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
动态切换特性
符号
V
OLP
V
OLV
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
V
CC
(V)
3.3
3.3
（注8）
T
A
=
25°C
民
典型值
0.8
0.8
最大
单位
V
V
条件
C
L
=
50 pF的
R
L
=
500
（注9 ）
（注9 ）
注8 ：
其特征在于， SOIC封装。保证参数，但未经测试。
注9 ：
定义为（n ）输出最大数量。 n-1个数据输入驱动0V至3V 。被测的输出保持低电平。
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4
74LVT373 74LVTH373
AC电气特性
T
A
= 40°C
to
+85°C
C
L
=
为50 pF ，R
L
=
500
符号
参数
民
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
t
W
t
S
t
H
LE脉冲宽度
建立时间，D
n
以LE
保持时间，D
n
以LE
输出禁止时间
传播延迟
D
n
与O
n
传播延迟
LE与O
n
输出使能时间
1.5
1.5
1.7
1.7
1.3
1.3
1.9
1.9
3.0
1.1
1.4
V
CC
=
3.3V
±0.3V
典型值
（注10 ）
最大
4.5
4.5
4.6
4.5
4.8
4.8
4.6
4.6
民
1.5
1.5
1.7
1.7
1.3
1.3
1.9
1.9
3.0
1.0
1.4
V
CC
=
2.7V
最大
5.0
4.9
4.9
5.0
5.9
5.5
4.9
4.9
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注10 ：
所有典型值是在V
CC
=
3.3V ，T
A
=
25°C.
电容
（注11 ）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
CC
=
开放式，V
I
=
0V或V
CC
V
CC
=
3.0V, V
O
=
0V或V
CC
典型
3
5
单位
pF
pF
注11 ：
电容的测量是在频率f
=
1 MHz时，每MIL -STD -883方法3012 。
5
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74LVT373 ， 74LVTH373 - 低电压八路透明锁存器带3态输出
2008年2月
74LVT373 ， 74LVTH373
低电压八路透明锁存器带3态输出
特点
■
在输入输出接口功能的系统
■
概述
该LVT373和LVTH373包括八个锁存器与
三态输出的总线组织系统的应用。
该锁存器是透明的数据时，锁存
使能（ LE ）为高。当LE为低电平时，数据satisfy-
荷兰国际集团的输入时序要求被锁定。数据
出现在输出启用（ OE ）的总线上
低。当OE为高电平时，总线输出是在高
阻抗状态。
该LVTH373数据输入包括bushold ，消除
无需外部上拉电阻持有未使用
输入。
这些八进制锁存器是专为低电压（ 3.3V ）
V
CC
应用，但与有能力提供一个TTL
接口为5V环境。该LVT373和
LVTH373均选用先进的BiCMOS
技术来实现类似的5V高速操作
ABT同时保持低功耗。
■
■
■
■
■
5V V
CC
Bushold数据输入不再需要外部
上拉电阻持有未使用的输入（ 74LVTH373 ）
也有不bushold功能（ 74LVT373 ）
直播插入/拔出许可
上电/掉电高阻抗提供无干扰
总线负载
输出源/汇-32毫安/ + 64毫安
与74系列373功能兼容
ESD性能：
- 人体模型
＆ GT ;
2000V
- 机器型号
＆ GT ;
200V
- 带电设备模型
＆ GT ;
1000V
订购信息
订单号
74LVT373WM
74LVT373SJ
74LVT373MTC
74LVTH373WM
74LVTH373SJ
74LVTH373MTC
包
数
M20B
M20D
MTC20
M20B
M20D
MTC20
包装说明
20引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300"宽
20引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米
WIDE
20引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300"宽
20引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米
WIDE
也可在磁带和卷轴装置。通过附加后缀字母“X”在订购号指定。
所有的包都根据JEDEC无铅： J- STD- 020B标准。
1999仙童半导体公司
74LVT373 ， 74LVTH373版本1.5.0
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74LVT373 ， 74LVTH373 - 低电压八路透明锁存器带3态输出
接线图
逻辑符号
IEEE / IEC
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
LE
OE
O
0
–O
7
描述
数据输入
锁存使能输入
输出使能输入
三态输出锁存器
真值表
功能说明
该LVT373和LVTH373包含8 D型锁存器
3 ，国家标准输出。当锁存使能
（ LE ）输入为高电平时，在D数据
n
输入进入
锁存器。在这种条件下，锁存器是透明的，即，
锁存器输出将每次改变状态的D输入
变化。当LE为低电平时，锁存器存储Infor公司
息，这是目前在D输入建立时间
前LE的高到低的跳变。该
3态标准输出由输出控制
启用（ OE ）输入。当OE是低电平时，输出标准
看跌期权是在2态模式。当OE为高电平，则
标准输出是在高阻抗模式，但
这不与输入新的数据插入干扰
锁存器。
输入
LE
X
H
H
L
输出
D
n
X
L
H
X
OE
H
L
L
L
O
n
Z
L
H
O
0
H
=
高电压电平
L
=
低电压电平
Z
=
高阻抗
X
=
非物质
O
0
=
上一页
0
之前HIGH到LOW过渡
锁存使能
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74LVT373 ， 74LVTH373版本1.5.0
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74LVT373 ， 74LVTH373 - 低电压八路透明锁存器带3态输出
逻辑图
请注意，该图仅用于逻辑操作的理解提供的，不应该被用来
估计传播延迟。
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74LVT373 ， 74LVTH373 - 低电压八路透明锁存器带3态输出
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
CC
V
I
V
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输出三态
参数
等级
-0.5V至+ 4.6V
-0.5V至+ 7.0V
-0.5V至+ 7.0V
-0.5V至+ 7.0V
–50mA
–50mA
64mA
128mA
±64mA
±128mA
-65 ° C至+ 150°C
输出高电平或者低电平状态
(1)
I
IK
I
OK
I
O
DC输入二极管电流，V
I
＆ LT ;
GND
DC输出二极管电流，V
O
＆ LT ;
GND
直流输出电流，V
O
＆ GT ;
V
CC
输出高国
输出低电平状态
I
CC
I
GND
T
英镑
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
储存温度
注意：
1. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
V
CC
V
I
I
OH
I
OL
T
A
t /
V
电源电压
输入电压
参数
民
2.7
0
最大
3.6
5.5
–32
64
单位
V
V
mA
mA
°C
NS / V
高电平输出电流
低电平输出电流
自由空气工作温度
输入边沿速率，V
IN
=
0.8V–2.0V, V
CC
=
3.0V
–40
0
85
10
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74LVT373 ， 74LVTH373版本1.5.0
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74LVT373 ， 74LVTH373 - 低电压八路透明锁存器带3态输出
DC电气特性
T
A
=
-40 ° C至+ 85°C
符号
V
IK
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入钳位二极管电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
V
CC
(V)
2.7
2.7–3.6
2.7–3.6
2.7–3.6
2.7
3.0
条件
I
I
=
–18mA
V
O
≤
0.1V或
V
O
≥
V
CC
– 0.1V
I
OH
=
–100A
I
OH
=
–8mA
I
OH
=
–32mA
I
OL
=
100A
I
OL
=
24mA
I
OL
=
16mA
I
OL
=
32mA
I
OL
=
64mA
分钟。
2.0
典型值。
(2)
MAX 。单位
–1.2
0.8
V
V
V
V
V
CC
–0.2
2.4
2.0
0.2
0.5
0.4
0.5
0.55
75
–75
500
–500
10
±1
–5
1
±100
±100
–5
5
10
0.19
5
0.19
0.19
0.2
V
OL
输出低电压
2.7
3.0
V
I
我（ HOLD ）
I
我（OD）的
I
I
(3)
Bushold输入最小
DRIVE
Bushold输入过驱动
目前的状态改变
输入电流
控制引脚
数据引脚
3.0
3.0
3.6
3.6
3.6
0
0–1.5V
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
V
I
=
0.8V
V
I
=
(4)
(5)
A
A
A
2.0V
(3)
V
I
=
5.5V
V
I
=
0V或V
CC
V
I
=
0V
V
I
=
V
CC
0V
≤
V
I
或V
O
≤
5.5V
V
O
=
0.5V至3.0V ，
V
I
=
GND或V
CC
V
O
=
0.5V
V
O
=
3.0V
V
CC
＆ LT ;
V
O
≤
5.5V
输出高电平
输出低电平
输出禁用
V
CC
≤
V
O
≤
5.5V,
输出禁用
一个输入在V
CC
– 0.6V,
其他输入在V
CC
or
GND
I
关闭
I
PU / PD
I
OZL
I
OZH
I
OZH
+
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
I
CCZ
+
I
CC
关机漏电流
上电/掉电三态
输出电流
三态输出漏
当前
三态输出漏
当前
三态输出漏
当前
电源电流
电源电流
电源电流
电源电流
增加电源
当前
(6)
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
注意事项：
2.所有典型值是在V
CC
=
3.3V ，T
A
=
25°C.
3.适用于bushold版本仅（ 74LVTH373 ） 。
4.外部驱动源必须至少指定电流从低切换到高。
5.外部驱动器必须吸收至少指定电流从HIGH到LOW切换。
6.这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是V
CC
或GND 。
1999仙童半导体公司
74LVT373 ， 74LVTH373版本1.5.0
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5
74LVT373 74LVTH373低压八路透明锁存器带3态输出
1999年9月
修订后的2005年3月
74LVT373 74LVTH373
低电压八路透明锁存器
具有三态输出
概述
该LVT373和LVTH373包括八个锁存器与
三态输出的总线组织系统的应用。
该锁存器是透明的数据时，锁存
使能（ LE ）为高。当LE为低电平时，数据满足
的输入时序要求，进行锁存。数据显示在
当输出使能总线（OE）为LOW 。当OE
高电平时，总线输出是在高阻抗状态。
该LVTH373数据输入包括bushold ，消除了
无需外部上拉电阻持有未使用的输入。
这些八进制锁存器是专为低电压（ 3.3V ）
V
CC
应用，但与有能力提供一个TTL
接口为5V环境。该LVT373和LVTH373
均选用先进的BiCMOS技术
实现类似于5V ABT而高速动作
保持低功耗。
特点
s
在输入输出接口功能的系统
5V V
CC
s
Bushold数据输入不再需要外部
上拉电阻持有未使用的输入（ 74LVTH373 ）
也有不bushold功能（ 74LVT373 ）
s
直播插入/拔出许可
s
上电/掉电高阻抗提供无干扰
总线负载
s
输出源/汇
32毫安/
64毫安
s
与74系列373功能兼容
s
ESD性能：
人体模型
!
2000V
机器型号
!
200V
带电器件模型
!
1000V
订购代码：
订单号
74LVT373WM
74LVT373SJ
74LVT373MTC
74LVTH373WM
74LVTH373SJ
74LVTH373MTC
74LVTH373MTCX_NL
（注1 ）
包
数
M20B
M20D
MTC20
M20B
M20D
MTC20
MTC20
包装说明
20引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300"宽
无铅20引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米宽
20引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300"宽
无铅20引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米宽
无铅20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米
WIDE
也可在磁带和卷轴装置。通过附加后缀字母“X”的订货代码指定。
根据JEDEC J- STD- 020B无铅封装。
注1 ：
“ _NL ”表示无铅封装（每JEDEC J- STD- 020B ） 。设备只在磁带和卷轴可用。
逻辑符号
IEEE / IEC
2005仙童半导体公司
DS012015
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74LVT373 74LVTH373
接线图
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
LE
OE
O
0
–O
7
描述
数据输入
锁存使能输入
输出使能输入
三态输出锁存器
真值表
输入
LE
X
H
H
L
H
L
Z
X
O
0
输出
D
n
X
L
H
X
O
n
Z
L
H
O
0
OE
H
L
L
L
高电压电平
低电压电平
高阻抗
非物质
上一页
0
前锁存高向低转换启动
功能说明
该LVT373和LVTH373包含8 D型锁存器
3 ，国家标准输出。当锁存使能
（ LE ）输入为高电平时，在D数据
n
输入进入
锁存器。在这种条件下，锁存器是透明的，也就是说，一
锁存器输出将每次改变状态的D输入
变化。当LE为低电平时，锁存器存储的信息
化，这是目前在D输入建立时间preced-
荷兰国际集团LE的高到低的跳变。三态
标准输出由输出控制使能（ OE）的
输入。当OE为低电平时，在标准输出处于
2态模式。当OE为高电平时，标准输出
在高阻抗模式，但是这不干扰
输入新的数据进入锁存器。
逻辑图
请注意，该图仅用于逻辑操作的理解提供的，不应该被用来估计的传播延迟。
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2
74LVT373 74LVTH373
绝对最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
参数
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
储存温度
价值
条件
单位
V
V
输出三态
输出高电平或者低电平状态（注3 ）
V
I
GND
V
O
GND
V
O
!
V
CC
输出高国
V
O
!
V
CC
输出低电平状态
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
0.5
4.6
0.5
7.0
0.5
7.0
0.5
7.0
50
50
64
128
r
64
r
128
65
150
q
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
I
OH
I
OL
T
A
电源电压
输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
自由空气工作温度
输入边沿速率，V
IN
0.8V–2.0V, V
CC
3.0V
参数
民
2.7
0
最大
3.6
5.5
单位
V
V
mA
mA
32
64
40
0
85
10
q
C
NS / V
'
t/
'
V
注2 ：
绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。
注3 ：
I
O
绝对最大额定值必须遵守。
3
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74LVT373 74LVTH373
DC电气特性
符号
V
IK
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入钳位二极管电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
V
CC
(V)
2.7
2.7–3.6
2.7–3.6
2.7–3.6
2.7
3.0
V
OL
输出低电压
2.7
2.7
3.0
3.0
3.0
I
我（ HOLD ）
（注5 ）
I
我（OD）的
（注5 ）
I
I
Bushold输入过驱动
目前的状态改变
输入电流
控制引脚
数据引脚
I
关闭
I
PU / PD
I
OZL
I
OZH
I
OZH
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
I
CCZ
关机漏电流
上电/掉电三态
输出电流
三态输出漏电流
三态输出漏电流
三态输出漏电流
电源电流
电源电流
电源电流
电源电流
增加电源电流
（注8）
注4 ：
所有典型值是在V
CC
3.3V ，T
A
25
q
C.
注5 ：
适用于Bushold版本仅（ 74LVTH373 ） 。
注6 ：
外部驱动器，必须有至少指定的电流以从低到高的转换。
注7 ：
外部驱动器必须吸收至少指定电流从高电平到低电平切换。
注8 ：
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是V
CC
或GND 。
T
A
民
40
q
C到
85
q
C
典型值
（注4 ）
最大
单位
V
V
V
V
V
0.2
0.5
0.4
0.5
0.55
V
V
V
V
V
I
I
条件
1.2
2.0
0.8
V
CC
0.2
2.4
2.0
18毫安
V
O
d
0.1V或
V
O
t
V
CC
0.1V
I
OH
I
OH
I
OH
I
OL
I
OL
I
OL
I
OL
I
OL
V
I
V
I
100
P
A
8毫安
32毫安
100
P
A
24毫安
16毫安
32毫安
64毫安
0.8V
2.0V
Bushold输入最小驱动
3.0
3.0
3.6
3.6
3.6
0
0–1.5V
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
75
P
A
P
A
P
A
P
A
10
75
500
（注6 ）
（注7 ）
V
I
V
I
V
I
V
I
V
O
V
I
V
O
V
O
5.5V
0V或V
CC
0V
V
CC
0.5V至3.0V
GND或V
CC
0.5V
3.0V
500
r
1
5
1
P
A
P
A
P
A
P
A
P
A
P
A
P
A
P
A
P
A
mA
mA
mA
mA
mA
r
100
r
100
5
5
10
0.19
5
0.19
0.19
0.2
0V
d
V
I
或V
O
d
5.5V
V
CC
V
O
d
5.5V
输出高电平
输出低电平
输出禁用
V
CC
d
V
O
d
5.5V,
输出禁用
一个输入在V
CC
0.6V
其他输入在V
CC
或GND
'
I
CC
动态切换特性
符号
V
OLP
V
OLV
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
V
CC
(V)
3.3
3.3
（注9 ）
T
A
25
q
C
典型值
0.8
最大
V
V
单位
C
L
条件
为50 pF ，R
L
（注10 ）
（注10 ）
500
:
民
0.8
注9 ：
其特征在于， SOIC封装。保证参数，但未经测试。
注10 ：
定义为（n ）输出最大数量。
1数据输入驱动0V至3V 。被测的输出保持低电平。
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4
74LVT373 74LVTH373
AC电气特性
T
A
C
L
符号
参数
民
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
t
W
t
S
t
H
LE脉冲宽度
建立时间，D
n
以LE
保持时间，D
n
以LE
3.3V ，T
A
25
q
C.
40
q
C到
85
q
C
为50 pF ，R
L
500
:
V
CC
最大
4.5
4.5
4.6
4.5
4.8
4.8
4.6
4.6
民
1.5
1.5
1.7
1.7
1.3
1.3
1.9
1.9
3.0
1.0
1.4
2.7V
最大
5.0
4.9
4.9
5.0
5.9
5.5
4.9
4.9
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
V
CC
3.3V
r
0.3V
典型值
（注11 ）
传播延迟
D
n
与O
n
传播延迟
LE与O
n
输出使能时间
输出禁止时间
1.5
1.5
1.7
1.7
1.3
1.3
1.9
1.9
3.0
1.1
1.4
注11 ：
所有典型值是在V
CC
电容
（注12 ）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
V
CC
V
CC
开放式，V
I
条件
0V或V
CC
3.0V, V
O
0V或V
CC
典型
3
5
单位
pF
pF
注12 ：
电容的测量是在频率f
1 MHz时，每MIL -STD -883方法3012 。
5
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