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74LVT14
3.3 V六反相施密特触发器
牧师02 - 2008年4月25日
产品数据表
1.概述
该74LVT14是一款高性能的BiCMOS产品设计为V
CC
工作在3.3 V.
它能够转化缓慢变化的输入信号转换成大幅德网络定义,无抖动
输出信号。此外,它具有更大的噪声容限比传统的逆变器。
各电路中包含一个施密特触发后跟一个达林顿电平移位器和一个相位
分路器驱动一个TTL图腾柱输出。施密特触发器采用正反馈
有效地加速慢的输入端的电压,并提供不同的输入阈值电压
对于正向和负向输入端。阈值差异(一般为600毫伏)
在内部通过电阻比确定,并且不受温度和供给
电压的变化。
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
不同的正和负输入端的阈值电压
宽容的输入速度慢的转换
高噪声抗扰度
TTL输入和输出的开关电平
输出能力:+32毫安/ -20毫安
闭锁保护超过每JESD78 II类A级500毫安
ESD保护:
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围名称
74LVT14D
74LVT14DB
74LVT14PW
74LVT14BQ
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
SO14
SSOP14
TSSOP14
描述
塑料小外形封装; 14线索;
体宽7.5毫米
塑料小外形封装; 14线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
VERSION
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
SOT762-1
类型编号
DHVQFN14塑料双列直插兼容非常热增强
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
4.5
×
0.85 mm
恩智浦半导体
74LVT14
3.3 V六反相施密特触发器
4.功能图
1
2
3
1
1A
1Y
2
5
4
4
3
2A
2Y
6
5
3A
3Y
6
9
8
9
4A
4Y
8
11
10
11
5A
5Y
10
13
12
13
6A
6Y
12
A
Y
mna025
mna204
001aac497
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图
5.管脚信息
5.1钢钉
74LVT14
1号航站楼
索引区
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
GND
(1)
7
8
10 5Y
9
GND
4Y
4A
1A
2
3
4
5
6
1
1Y
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9
8
001aah920
74LVT14
1A
1Y
2A
2Y
3A
3Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
2A
2Y
3A
3Y
4A
4Y
001aah921
透明的顶视图
(1)模具基体附着到使用此垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作一个
电源引脚或输入。
图4 。
引脚CON组fi guration为SO14和( T) SSOP14
图5 。
引脚CON组fi guration的DHVQFN14
74LVT14_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年4月25日
2 13
恩智浦半导体
74LVT14
3.3 V六反相施密特触发器
5.2引脚说明
表2中。
符号
1A至6A
1Y到6Y
GND
V
CC
引脚说明
1, 3, 5, 9, 11, 13
2, 4, 6, 8, 10, 12
7
14
描述
数据输入
数据输出
接地( 0 V )
正电源电压
6.功能描述
表3中。
输入
nA
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能选择
产量
nY
H
L
7.极限值
表4 。
极限值
[1]
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
j
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
储存温度
结温
总功耗
条件
[2]
0.5
0.5
0.5
50
50
-
32
65
最大
+4.6
+7.0
+7.0
-
-
64
-
+150
+150
500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
mW
在关闭或高输出状态
V
I
& LT ; 0 V
V
O
& LT ; 0 V
在低输出状态
高输出状态
[2]
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
[3]
的高性能的性能能力的集成电路结合其热环境可以创建结
温度,这是不利于可靠性。该集成电路的最高结温不能超过150
°C.
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
对于SO14封装: 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于SSOP14和TSSOP14封装: 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包: 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
74LVT14_2
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恩智浦半导体
74LVT14
3.3 V六反相施密特触发器
8.推荐工作条件
表5 。
符号
V
CC
V
I
I
OH
I
OL
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
环境温度
输入过渡上升和下降率
在自由空气
输出启用
条件
2.7
0
20
-
40
0
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
3.6
5.5
-
32
+85
10
单位
V
V
mA
mA
°C
NS / V
9.静态特性
表6 。
静态特性
在推荐的工作条件。电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
V
T+
V
T
V
H
V
IK
V
IH
V
IL
V
OH
正向阈值电压
滞后电压
输入钳位电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
V
CC
= 2.7 V至3.6 V ;我
OH
=
100 A
V
CC
= 2.7 V ;我
OH
=
6
mA
V
CC
= 3.0 V ;我
OH
=
20
mA
V
OL
低电平输出电压
V
CC
= 2.7 V ;我
OL
= 100
A
V
CC
= 2.7 V ;我
OL
= 24毫安
V
CC
= 3.0 V ;我
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
输入漏电流
关机漏电流
电源电流
V
CC
= 0 V或3.6 V ; V
I
= 5.5 V
V
CC
= 3.6 V; V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 0 V; V
I
或V
O
= 0 V至4.5 V
V
CC
= 3.6 V; V
I
= GND或V
CC
; I
O
= 0 A
输出高电平
输出低电平
I
CC
额外的电源电流
每个输入引脚; V
CC
= 3.0 V至3.6 V ;
一个输入= V
CC
0.6 V
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= 0 V或3.0 V
[2]
条件
V
CC
= 3.3 V ;看
图7
V
CC
= 3.3 V ;看
图7
V
CC
= 2.7 V ;我
IK
= -18毫安
1.5
0.9
0.4
1.2
2.0
-
2.4
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40 °C
+85
°C
典型值
[1]
1.7
1.1
0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
-
最大
2.0
1.3
-
-
-
0.8
-
-
-
0.2
0.5
0.5
10
±1
±100
0.02
3
0.2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
mA
负向阈值电压V
CC
= 3.3 V ;看
图7
V
CC
0.2 -
C
I
[1]
[2]
输入电容
-
3
-
pF
所有典型值是在V测
CC
= 3.3V (除非另有说明)和T
AMB
= 25
°C.
这是在特定网络连接编电压电平的增加,电源电流为每个输入比V等
CC
或GND 。
74LVT14_2
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恩智浦半导体
74LVT14
3.3 V六反相施密特触发器
10.动态特性
表7中。
动态特性
电压参考GND(地= 0V)。测试电路见
网络连接gure 8 。
符号参数
t
PLH
从低到高传输延迟
条件
nA至纽约
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.3 V + 0.3 V
t
PHL
高到低传输延迟
nA至纽约
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.3 V + 0.3 V
[1]
典型值是在T测
AMB
= 25
°C
和V
CC
= 3.3 V.
40 °C
+85
°C
-
1.0
-
1.0
典型值
[1]
-
3.8
-
3.2
最大
6.9
5.7
4.1
4.5
单位
ns
ns
ns
ns
11.波形
V
I
nA的输入
GND
t
PHL
V
OH
纽约输出
V
OL
V
M
V
M
mna344
V
M
V
M
t
PLH
SEE
表8
为测量点。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的输出电压电平。
图6 。
nA的输入到输出的纽约传播延迟
V
O
V
T+
V
I
V
T
V
H
V
H
V
T
V
T+
V
I
mna207
V
O
mna208
一。传输特性
图7 。
第五代网络nition
T+
, V
T
和V
H
B 。电压等级
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