飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
74LVC86A
特点
1.2V至3.6V的宽电源电压范围
符合JEDEC标准没有。 8-1A
输入接受高达5.5V的电压
CMOS低功耗
直接接口与TTL电平
宽容的5伏输入，与5伏逻辑接口
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25°C ;吨
r
= t
f
≤
2.5纳秒
符号
t
PHL
t
PLH
C
I
C
PD
参数
传播延迟
呐， NB到NYN
输入电容
每门功率耗散电容
描述
该74LVC86A是一款高性能，低功耗，低电压
硅栅CMOS器件的引脚和优于最先进的
CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能
允许在混合3.3 V / 5 V使用这些设备作为译员
环境。
该74LVC86A提供二输入异或函数。
条件
C
L
= 50 pF的;
V
CC
= 3.3 V
V
CC
= 3.3 V, V
I
= GND到V
CC1
典型
3.0
5.0
28
单位
ns
pF
pF
注意：
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W)
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
)Σ
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
L
=以pF输出负载能力;
f
o
=以MHz输出频率; V
CC
在V =电源电压;
Σ
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
订购信息
套餐
14引脚塑料DIL
14引脚塑料SO
14引脚塑封SSOP II型
14引脚塑料TSSOP I型
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
北美以外的地区
74LVC86A
74LVC86A
74LVC86A DB
74LVC86A PW
北美
74LVC86A
74LVC86A
74LVC86A DB
74LVC86APW DH
PKG 。 DWG 。 ＃
SOT27-1
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
引脚配置
1A
1B
1Y
2A
2B
2Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
4B
4A
4Y
3B
3A
3Y
逻辑符号（ IEEE / IEC ）
1
2
=1
3
4
5
=1
6
9
10
=1
8
12
=1
SV00481
11
13
引脚说明
针
数
1, 4, 9, 12
2, 5, 10, 13
3, 6, 8, 11
7
14
符号
1A – 4A
1B – 4B
1Y – 4Y
GND
V
CC
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
正电源电压
功能
SV00479
1998年04月28日
2
853-2018 19310
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
74LVC86A
逻辑符号
1 1A
2 1B
4 2A
5 2B
9 3A
10 3B
12 4A
13 4B
1Y
2Y
3Y
4Y
3
功能表
输入
nA
6
8
11
输出
nB
L
H
L
H
nY
L
H
H
L
L
L
H
H
注意事项：
H =高电压等级
L =低电压等级
SV00480
逻辑图（ 1门）
A
Y
B
SV00478
推荐工作条件
范围
符号
参数
直流电源电压（最大速度性能）
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
直流电源电压（对于低电压应用）
直流输入电压范围
DC输出电压范围
工作环境温度范围在自由的空气
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.2 2.7V
V
CC
= 2.7 3.6V
条件
民
2.7
1.2
0
0
–40
0
0
最大
3.6
V
3.6
5.5
V
CC
+85
20
10
V
V
°C
NS / V
单位
绝对最大额定值
1
绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）
电压参考GND（地= 0V ）
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
GND
, I
CC
T
英镑
P
合计
参数
直流电源电压（最大速度
性能）
DC输入二极管电流
直流输入电压
DC输出二极管电流
直流输出电压
DC输出源或灌电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
- 塑料小包装（ SO ）
- 塑料收缩小包装（ SSOP和TSSOP ）
高于+ 70 °C减免线性8毫瓦/ K
高于+ 60 °C减免线性5.5毫瓦/ K
V
I
t0
注2
V
O
uV
CC
或V
O
t
0
注2
V
O
= 0至V
CC
条件
等级
-0.5到+6.5
–50
-0.5到+5.5
"50
-0.5到V
CC
+ 0.5
"50
"100
-65到+150
500
500
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
注意事项：
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件， “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
1998年04月28日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
74LVC86A
DC特性
在推荐工作条件电压参考GND （地= 0V）
范围
符号
参数
测试条件
温度= -40 ° C至+ 85°C
民
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 1.2V
V
CC
= 2.7 3.6V
低电平输入电压
V
CC
= 1.2V
V
CC
= 2.7 3.6V
V
CC
= 2.7V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= -12mA
V
O
OH
高电平输出电压
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= –100A
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= -18mA
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= ?? 24毫安
V
CC
= 2.7V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= 12毫安
V
OL
低电平输出电压
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= 100A
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 24毫安
I
I
I
CC
I
CC
输入漏电流
静态电源电流
额外的静态电源电流
每个输入引脚
V
CC
= 3 6V; V
I
= 5 5V或GND
3.6V;
5.5V
V
CC
= 3.6V; V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0
V
CC
= 2.7V至3.6V ; V
I
= V
CC
-0.6V ;我
O
= 0
"0.1
"0
1
0.1
5
V
CC
*0.5
V
CC
*0.2
V
CC
*0.6
V
CC
*0.8
0.40
0.20
0.55
"5
10
500
A
A
A
V
V
CC
V
V
CC
2.0
GND
V
0.8
典型值
1
最大
V
单位
V
IL
注意事项：
1.所有典型值是在V
CC
= 3.3V和T
AMB
= 25°C.
AC特性
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
v
2.5纳秒;
L
= 50 pF的;
L
= 500W ;牛逼
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
范围
符号
t
PHL
/
t
PLH
参数
传播延迟
呐， NB到纽约
波形
V
CC
= 3.3V
±0.3V
民
图1,2
1.5
典型值
1
3.0
最大
5
民
1.5
V
CC
= 2.7V
典型值
1
3.4
最大
5.8
V
CC
= 1.2V
典型值
11
ns
单位
注意：
1.这些典型值是在V
CC
= 3.3V和T
AMB
= 25°C.
AC波形
V
M
= 1.5 V在V
CC
w
2.7 V
V
M
= 0.5
S
V
CC
在V
CC
＆ LT ; 2.7 V
V
OL
和V
OH
是与所发生的典型的输出电压降
输出负载。
V
I
呐， NB输入
GND
t
PHL
V
OH
纽约输出
V
M
t
PLH
V
M
测试电路
V
CC
S
1
2
＆ LT ;
V
CC
开放
GND
脉冲
发电机
V
I
D.U.T.
R
T
V
O
500
C
L
50pF
500
V
CC
t
2.7V
2.7V – 3.6V
V
I
V
CC
2.7V
TEST
t
PLH
/t
PHL
S
1
开放
SY00077
V
OL
SV00377
图2.负载电路的开关时间。
图1.输入（NA ， NB）到输出（纽约州）的传播延迟
1998年04月28日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
74LVC86A
DIP14 ：塑料双列直插式封装; 14引线（ 300万）
SOT27-1
1998年04月28日
5
74LVC86A
低压CMOS四路异或门
高性能
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
5V容限输入
高速：吨
PD
= 4.2ns （最大值）在V
CC
= 3V
掉电保护输入端上的
和产出
对称的输出阻抗：
|I
OH
| = I
OL
= 24毫安（ MIN）在V
CC
= 3V
保证为24毫安PCI总线水平
平衡传输延迟：
t
PLH
t
PHL
工作电压范围：
V
CC
（ OPR） = 1.65V至3.6V （ 1.2V数据
保留）
引脚和功能兼容
74系列86
闭锁性能超过
500毫安（ JESD 17 ）
ESD性能：
HBM > 2000V （ MIL STD 883方法3015 ） ;
MM > 200V
SOP
TSSOP
表1 ：订购代码
包
SOP
TSSOP
T&R
74LVC86AMTR
74LVC86ATTR
描述
该74LVC86A是低压CMOS四边形
独家
OR
门
装配式
同
亚微米硅栅和双层金属
接线
2
MOS技术。它非常适用于1.65 3.6
V
CC
操作和低功耗和低噪声
应用程序。
它可以连接到5V的信号的环境
输入混合3.3 / 5V系统。
它具有更快的速度性能比3.3V 5V
交流/ ACT系列，结合较低的功率
消费。
所有输入和输出都配备有
防止静电放电保护电路，使
他们2KV ESD免疫能力和瞬态过剩
电压。
图1 ：引脚连接和IEC逻辑符号
2004年7月
第4版
1/11
74LVC86A
图2 ：输入输出等效电路
表2 ：引脚说明
引脚n °
1, 4, 9, 12
2, 5, 10, 13
3, 6, 8, 11
7
14
符号
1A至4A
1B到4B
1Y到4Y
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
数据输入
数据输出
地（ 0V ）
正电源电压
表3 ：真值表
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
Y
L
H
H
L
表4 ：绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压（V
CC
= 0V)
直流输出电压（高或低状态） （注1 ）
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流（注2 ）
直流输出电流
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
- 50
- 50
±
50
±
100
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流每个电源引脚
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
1) I
O
绝对最大额定值必须遵守
2) V
O
＆ LT ; GND
2/11
74LVC86A
表7 ：动态开关特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
3.3
C
L
= 50pF的
V
IL
= 0V, V
IH
= 3.3V
价值
T
A
= 25 °C
分钟。
典型值。
0.8
-0.8
马克斯。
V
单位
V
OLP
V
OLV
动态的低级别安静
输出（注1 ）
1）定义为"n"输出的数量。测量"n - 1"输出从高电平变为低电平或低电平至高电平转换。剩下的输出
在低状态测量。
表8 ： AC电气特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
1.65 1.95
2.3 2.7
2.7
3.0 3.6
2.7 3.6
C
L
（PF ）
30
30
50
50
R
L
()
1000
500
500
500
t
s
=
t
r
（纳秒）
2.0
2.0
2.5
2.5
-40到85°C
分钟。
马克斯。
8.9
5.9
4.8
4.2
1
价值
-55到125°C
分钟。
马克斯。
12
8.0
5.8
5.0
1
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
ns
1
1
t
OSLH
t
OSHL
输出到输出
偏移时间（注1 ，
2)
ns
1）斜度被定义为用于在同一设备中的任何两个输出实际的传播延迟之间的差的绝对值开关
荷兰国际集团在同一方向上，为高电平或低电平（叔
OSLH
= | t
PLHm
- t
PLHn
|, t
OSHL
= | t
PHLm
- t
PHLn
|
2）参数设计保证来
表9 ：电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
价值
T
A
= 25 °C
分钟。
f
IN
= 10MHz时
典型值。
4
1.8
2.5
3.3
32
33
37
马克斯。
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功率耗散电容
（注1 ）
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ N（每路）
4/11
74LVC86A
四路2输入异或门
描述
该74LVC86A提供了四个独立的2输入异或
城门。
该装置被设计成运行时与电源
引脚分配
（顶视图）
1A
1B
1Y
2A
2B
2Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
范围为1.65V至5.5V 。输入是宽容5.5V ，允许这
在混合电压环境中使用的设备。该装置是完全
使用IOFF部分断电应用程序指定。该IOFF
电路关闭输出防止破坏性电流回流
当设备被断电。
门进行积极的布尔函数：
VCC
4B
4A
4Y
3B
3A
3Y
Y
=
A
⊕
B
or
Y
=
AB
+
A B
特点
电源电压范围从1.65V到5.5V
汇24毫安在V
CC
= 3.3V
CMOS低功耗
IOFF支持部分掉电模式操作
输入或输出接受高达5.5V
输入可以由3.3V或5.5V的允许电压驱动
翻译应用。
ESD保护超过JESD 22
200 -V机型号（ A115 -A ）
2000 -V人体模型（ A114 -A ）
闭锁超过每JESD 78 ， II类250毫安
超过1000 -V带电器件模型（ C101C ）
封装选择范围SO- 14和TSSOP -14
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
注意事项：
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于Diodes公司的免费锑， "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
应用
电压电平转换
通用逻辑
关机信号隔离
的产品，如各种各样的：
电脑，网络，笔记本，超级本，上网本
电脑外设，硬盘驱动器， CD / DVD-ROM
电视， DVD ， DVR ，机顶盒
74LVC86A
文件编号： DS35264修订版3 - 2
1 10
www.diodes.com
2012年6月
Diodes公司
74LVC86A
绝对最大额定值
（注4 ） （ @T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
ESD HBM
防静电清洁发展机制
ESD MM
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
,
,
I
GND
T
J
T
英镑
P
合计
注意：
描述
人体模型ESD保护
带电器件模型ESD保护
机器模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
施加电压输出高阻抗或I
关闭
状态
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
V
I
<0
V
O
<0
等级
2
1
200
-0.5 6.5
-0.5 6.5
-0.5 6.5
-0.3到V
CC
+0.5
-50
-50
50
±100
-40到+150
-65到+150
500
单位
KV
KV
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
mW
连续输出电流
连续电流通过VCC或GND
工作结温
储存温度
总功耗
4.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
是在推荐值。
推荐工作条件
（注5）（ @T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
V
CC
V
I
V
O
ΔT/ ΔV
T
A
注意：
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
主动模式
条件
民
1.65
0
0
0
最大
5.50
5.5
V
CC
5.5
20
10
单位
V
V
V
V
NS / V
°C
V
CC
= 0V ;掉电模式
V
CC
= 1.65V到2.7V
V
CC
= 2.7V至5.5V
-40
+125
5.未使用的输入应在V举行
CC
或地面。
74LVC86A
文件编号： DS35264修订版3 - 2
3 10
www.diodes.com
2012年6月
Diodes公司
74LVC86A
开关特性
符号
参数
传播
延迟
N
或B
N
为Y
N
输出偏斜
时间
TEST
条件
V
CC
1.65V to1.95V
T
A
= +25°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
-40 ° C至+ 85°C
最大
9.4
7.1
5.4
4.4
-40°C至+ 125°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
典型值
4.1
2.9
2.8
2.5
民
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
9.9
7.6
5.6
4.6
1.0
最大
11.4
9.7
7.1
5.8
1.5
单位
t
PD
图1
2.3V至2.7V
2.7V
3.0V至3.6V
ns
t
SK(0)
3.0V至3.6V
ns
工作特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
参数
C
pd
C
I
功耗
每栅极电容
输入电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
i
= V
CC
“或
GND
V
CC
= 1.8V
典型值
6.4
4
V
CC
= 2.5V
典型值
7.4
4
V
CC
= 3.3V
典型值
8.4
4
单位
pF
pF
封装特性
符号
θ
JA
θ
JC
注意：
参数
热阻
结到环境
热阻
结到外壳
测试条件
SO-14
TSSOP-14
SO-14
TSSOP-14
V
CC
（注6 ）
（注6 ）
民
典型值
待定
159
待定
25
最大
单位
o
C / W
C / W
o
为6。试验条件的SO- 14和TSSOP -14 ：设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局。
74LVC86A
文件编号： DS35264修订版3 - 2
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www.diodes.com
2012年6月
Diodes公司
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