飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
特点
非常低的导通电阻：
– 7.5
（典型值） V
CC
= 2.7 V
– 6.5
（典型值） V
CC
= 3.3 V
– 6
（典型值） V
CC
= 5 V.
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
高噪声抗扰度
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
符合JEDEC标准没有。 8-1A
直接接口TTL电平。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PZH
/t
PZL
t
PHZ
/t
PLZ
C
I
C
PD
C
S
参数
开启时间E至V
os
关断时间E到V
os
输入电容
功率耗散电容
开关电容
条件
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 3 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 5 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 3 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 5 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
关闭状态
导通状态
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N + （ （C
L
+ C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
C
S
=开关电容。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
描述
74LVC4066
该74LVC4066是一个高速硅栅CMOS器件。
该74LVC4066有4个独立的模拟开关。
每个开关有两个输入/输出端（ NY和NZ）
和一个高电平有效使能输入（NE ） 。当NE为低，
模拟开关被关断。
典型
2.5
1.9
3.4
2.5
3.5
12.5
8.0
14.0
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
pF
单位
2003年08月12
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
S
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
开关电压
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 2.7 V
V
CC
= 2.7 5.5 V
条件
74LVC4066
分钟。
1.65
0
0
40
0
0
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
见注1 。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
SK
V
S
I
S
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.为了避免绘制V
CC
电流输出端子Z ，当开关电流在端子Y ，跨越的电压降流过的
双向开关必须不超过0.4伏。如果所述开关电流流入端子Z ，没有V
CC
电流将流出来的
终端Y.在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降，但在Y处的电压和Z可以不
超过V
CC
或GND 。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于TSSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
开关二极管电流
开关电压
开关源或吸收电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C;
注3
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
启用和禁用模式
0.5
＆ LT ; V
S
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
0.5
65
马克斯。
+6.5
+6.5
50
±50
+6.5
±50
±100
+150
500
单位
V
V
mA
mA
V
mA
mA
°C
mW
2003年08月12
5
74LVC4066
四路双向开关
牧师02 - 2007年8月27日
产品数据表
1.概述
该74LVC4066是一个高速硅栅CMOS器件。
该74LVC4066提供四个单刀单掷模拟开关的功能。每
开关具有两个输入/输出端（ NY和NZ）和一个高有效的使能输入（NE） 。
当NE为低电平时，模拟开关被关断。
在使能输入施密特触发器动作使得输入速度较慢的上升电路宽容
并在整个V下降时间
CC
范围从1.65 V至5.5 V.
2.特点
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
s
非常低的导通电阻：
x
7.5
（典型值） V
CC
= 2.7 V
x
6.5
（典型值） V
CC
= 3.3 V
x
6
（典型值） V
CC
= 5 V
s
切换32 mA电流能力
s
高噪声抗扰度
s
CMOS低功耗
s
直接接口TTL电平
s
闭锁性能超过250毫安
s
ESD保护：
x
HBM JESD22- A114E超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
s
使能输入接收电压高达5 V
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74LVC4066
四路双向开关
5.管脚信息
5.1钢钉
1号航站楼
索引区
1Z
2Z
2Y
2E
2E
3E
GND
5
6
7
001aad117
1Y
1Z
2Z
2Y
1
2
3
4
14 V
CC
13 1E
12 4E
2
3
4
5
6
7
GND
3Y
8
14 V
CC
13 1E
12 4E
11 4Y
10 4Z
9
3Z
4066
11 4Y
10 4Z
9
8
3Z
3Y
GND
(1)
3E
1
1Y
4066
001aad118
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入。
图4.引脚CON组fi guration为SO14和TSSOP14
图5.引脚CON组fi guration的DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1Y
1Z
2Z
2Y
2E
3E
GND
3Y
3Z
4Z
4Y
4E
1E
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
描述
独立的输入/输出
独立的输出/输入
独立的输出/输入
独立的输入/输出
使能输入（高电平有效）
使能输入（高电平有效）
接地（ 0 V ）
独立的输入/输出
独立的输出/输入
独立的输出/输入
独立的输入/输出
使能输入（高电平有效）
使能输入（高电平有效）
电源电压
74LVC4066_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2007年8月27日
3 22
恩智浦半导体
74LVC4066
四路双向开关
6.功能描述
表3中。
输入NE
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
开关
关闭
ON
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
SK
V
SW
I
SW
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电压
开关电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
[1]
民
0.5
0.5
50
-
[2]
最大
+6.5
+6.5
-
±50
+6.5
±50
100
-
+150
500
单位
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
启用和禁用模式
0.5
＆ LT ; V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
-
-
100
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
如果开关钳位电流额定值观察到的最小和最大开关电压额定值可能会超过。
对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于（T ） SSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
74LVC4066_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2007年8月27日
4 22
恩智浦半导体
74LVC4066
四路双向开关
8.推荐工作条件
表5 。
符号
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
[1]
[2]
[2]
[1]
条件
民
1.65
0
0
40
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
为了避免下沉接地电流从终端NZ当终端纽约州，横跨双向开关的电压降开关电流FL OWS
不得超过0.4 V.如果开关电流FL OWS到终端新西兰，从终端纽约没有接地电流会溢流。在这种情况下，不存在
限制了开关两端的电压降。
适用于控制信号电平。
[2]
9.静态特性
表6 。
静态特性
在推荐工作条件电压参考GND （地= 0 V） 。
符号参数
V
IH
高位
输入电压
条件
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
I
I
I
S（ OFF）
输入漏
当前
关闭状态
泄漏
当前
导通状态
泄漏
当前
销NE ; V
CC
= 5.5 V;
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 5.5 V;
SEE
图6
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 5.5 V;
SEE
图7
[2]
40 °C
+85
°C
民
0.65V
CC
1.7
2.0
0.7V
CC
-
-
-
-
-
-
典型值
[1]
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
最大
-
-
-
-
0.35V
CC
0.7
0.8
0.3V
CC
±5
±5
40 °C
+125
°C
单位
民
0.65V
CC
1.7
2.0
0.7V
CC
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
0.7
0.8
0.3V
CC
±20
±20
V
V
V
V
V
V
V
A
A
0.35V
CC
V
[2]
I
秒（上）
[2]
-
±0.1
±5
-
±20
A
I
CC
I
CC
电源电流V
I
= V
CC
或GND ; V
SW
= GND或
V
CC
; V
CC
= 5.5 V ;我
O
= 0 A;
另外
销NE ; V
I
= V
CC
0.6 V; V
CC
= 5.5 V;
电源电流V
SW
= GND或V
CC
[2]
-
-
0.1
5
10
500
-
-
40
5000
A
A
[2]
74LVC4066_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2007年8月27日
5 22
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
特点
非常低的导通电阻：
– 7.5
（典型值） V
CC
= 2.7 V
– 6.5
（典型值） V
CC
= 3.3 V
– 6
（典型值） V
CC
= 5 V.
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
高噪声抗扰度
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
符合JEDEC标准没有。 8-1A
直接接口TTL电平。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PZH
/t
PZL
t
PHZ
/t
PLZ
C
I
C
PD
C
S
参数
开启时间E至V
os
关断时间E到V
os
输入电容
功率耗散电容
开关电容
条件
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 3 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 5 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 3 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 5 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
关闭状态
导通状态
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N + （ （C
L
+ C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
C
S
=开关电容。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
描述
74LVC4066
该74LVC4066是一个高速硅栅CMOS器件。
该74LVC4066有4个独立的模拟开关。
每个开关有两个输入/输出端（ NY和NZ）
和一个高电平有效使能输入（NE ） 。当NE为低，
模拟开关被关断。
典型
2.5
1.9
3.4
2.5
3.5
12.5
8.0
14.0
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
pF
单位
2003年08月12
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
S
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
开关电压
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 2.7 V
V
CC
= 2.7 5.5 V
条件
74LVC4066
分钟。
1.65
0
0
40
0
0
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
见注1 。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
SK
V
S
I
S
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.为了避免绘制V
CC
电流输出端子Z ，当开关电流在端子Y ，跨越的电压降流过的
双向开关必须不超过0.4伏。如果所述开关电流流入端子Z ，没有V
CC
电流将流出来的
终端Y.在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降，但在Y处的电压和Z可以不
超过V
CC
或GND 。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于TSSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
开关二极管电流
开关电压
开关源或吸收电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C;
注3
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
启用和禁用模式
0.5
＆ LT ; V
S
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
0.5
65
马克斯。
+6.5
+6.5
50
±50
+6.5
±50
±100
+150
500
单位
V
V
mA
mA
V
mA
mA
°C
mW
2003年08月12
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
特点
非常低的导通电阻：
– 7.5
（典型值） V
CC
= 2.7 V
– 6.5
（典型值） V
CC
= 3.3 V
– 6
（典型值） V
CC
= 5 V.
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
高噪声抗扰度
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
符合JEDEC标准没有。 8-1A
直接接口TTL电平。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PZH
/t
PZL
t
PHZ
/t
PLZ
C
I
C
PD
C
S
参数
开启时间E至V
os
关断时间E到V
os
输入电容
功率耗散电容
开关电容
条件
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 3 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 5 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 3 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 5 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
关闭状态
导通状态
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N + （ （C
L
+ C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
C
S
=开关电容。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
描述
74LVC4066
该74LVC4066是一个高速硅栅CMOS器件。
该74LVC4066有4个独立的模拟开关。
每个开关有两个输入/输出端（ NY和NZ）
和一个高电平有效使能输入（NE ） 。当NE为低，
模拟开关被关断。
典型
2.5
1.9
3.4
2.5
3.5
12.5
8.0
14.0
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
pF
单位
2003年08月12
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
S
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
开关电压
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 2.7 V
V
CC
= 2.7 5.5 V
条件
74LVC4066
分钟。
1.65
0
0
40
0
0
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
见注1 。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
SK
V
S
I
S
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.为了避免绘制V
CC
电流输出端子Z ，当开关电流在端子Y ，跨越的电压降流过的
双向开关必须不超过0.4伏。如果所述开关电流流入端子Z ，没有V
CC
电流将流出来的
终端Y.在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降，但在Y处的电压和Z可以不
超过V
CC
或GND 。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于TSSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
开关二极管电流
开关电压
开关源或吸收电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C;
注3
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
启用和禁用模式
0.5
＆ LT ; V
S
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
0.5
65
马克斯。
+6.5
+6.5
50
±50
+6.5
±50
±100
+150
500
单位
V
V
mA
mA
V
mA
mA
°C
mW
2003年08月12
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
特点
非常低的导通电阻：
– 7.5
（典型值） V
CC
= 2.7 V
– 6.5
（典型值） V
CC
= 3.3 V
– 6
（典型值） V
CC
= 5 V.
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
高噪声抗扰度
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
符合JEDEC标准没有。 8-1A
直接接口TTL电平。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PZH
/t
PZL
t
PHZ
/t
PLZ
C
I
C
PD
C
S
参数
开启时间E至V
os
关断时间E到V
os
输入电容
功率耗散电容
开关电容
条件
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 3 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 5 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 3 V
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
;
V
CC
= 5 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
关闭状态
导通状态
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N + （ （C
L
+ C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
C
S
=开关电容。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
描述
74LVC4066
该74LVC4066是一个高速硅栅CMOS器件。
该74LVC4066有4个独立的模拟开关。
每个开关有两个输入/输出端（ NY和NZ）
和一个高电平有效使能输入（NE ） 。当NE为低，
模拟开关被关断。
典型
2.5
1.9
3.4
2.5
3.5
12.5
8.0
14.0
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
pF
单位
2003年08月12
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
S
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
开关电压
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 2.7 V
V
CC
= 2.7 5.5 V
条件
74LVC4066
分钟。
1.65
0
0
40
0
0
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
见注1 。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
SK
V
S
I
S
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.为了避免绘制V
CC
电流输出端子Z ，当开关电流在端子Y ，跨越的电压降流过的
双向开关必须不超过0.4伏。如果所述开关电流流入端子Z ，没有V
CC
电流将流出来的
终端Y.在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降，但在Y处的电压和Z可以不
超过V
CC
或GND 。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于TSSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
开关二极管电流
开关电压
开关源或吸收电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C;
注3
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
启用和禁用模式
0.5
＆ LT ; V
S
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
0.5
65
马克斯。
+6.5
+6.5
50
±50
+6.5
±50
±100
+150
500
单位
V
V
mA
mA
V
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mA
°C
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