74LVC3G17
三重非反相施密特触发器具有5 V容限输入
牧师06 - 2008年6月6日
产品数据表
1.概述
该74LVC3G17提供了三个非反相缓冲器带施密特触发器的动作。这是
能够转化缓慢变化的输入信号转换成大幅德网络定义，无抖动
输出信号。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用的
74LVC3G17在混合3.3 V和5 V环境中的翻译。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过设备
当它被断电。
2.特点
I
I
I
I
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
I
I
I
I
I
I
3.应用
I
波和脉冲整形器用于高噪声环境
恩智浦半导体
74LVC3G17
三重非反相施密特触发器具有5 V容限输入
7.管脚信息
7.1钢钉
74LVC3G17
1A
1
8
V
CC
3Y
2
7
1Y
74LVC3G17
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aab106
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
2A
3
6
3A
GND
4
5
2Y
001aac023
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT833-1 （ XSON8 ）
74LVC3G17
1号航站楼
索引区
1Y
1
V
CC
8
74LVC3G17
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
7
1A
3A
1Y
3A
2Y
2Y
2
6
3Y
3
4
5
2A
GND
001aag404
001aai246
透明的顶视图
透明的顶视图
图6 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
图7 。
引脚CON组fi guration SOT902-1 （ XQFN8U ）
74LVC3G17_6
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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恩智浦半导体
74LVC3G17
三重非反相施密特触发器具有5 V容限输入
7.2引脚说明
表3中。
符号
引脚说明
针
SOT505-2 ， SOT765-1 ，
SOT833-1和SOT996-2
1A, 2A, 3A
GND
1Y, 2Y, 3Y
V
CC
1, 3, 6
4
7, 5, 2
8
SOT902-1
7, 5, 2
4
1, 3, 6
8
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
描述
8.功能描述
表4 。
输入
nA
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nY
L
H
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
100
-
+150
250
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的最小的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8 ， XSON8U和XQFN8U包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74LVC3G17_6
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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三重非反相施密特触发器具有5 V容限输入
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产品数据表
1.概述
该74LVC3G17是一个高性能，低功耗，低电压，硅栅CMOS器件
并优于最先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这种
设备作为翻译在混合3.3 V和5 V环境。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路
禁止输出，防止损坏背溢流电流通过器件时，它
断电。
该74LVC3G17提供了三个非反相缓冲器带施密特触发器的动作。这是
能够转化缓慢变化的输入信号转换成大幅德网络定义，无抖动
输出信号。
2.特点
s
s
s
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
ESD保护：
x
HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
x
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
s
s
s
s
s
s
3.应用
s
波和脉冲整形器用于高噪声环境。
飞利浦半导体
74LVC3G17
三重非反相施密特触发器具有5 V容限输入
4.快速参考数据
表1：
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°
C.
符号
t
PHL
, t
PLH
参数
传播延迟
输入nA的输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
R
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
R
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
R
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
R
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
R
L
= 500
C
I
C
PD
[1]
民
-
-
-
-
-
-
[1] [2]
典型值
5.6
3.7
3.8
3.6
2.7
3.5
16.3
最大
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
输入电容
功耗
V
CC
= 3.3 V
每个缓冲电容
-
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
[2]
的条件为V
I
= GND到V
CC
.
5.订购信息
表2：
订购信息
包
温度范围
74LVC3G17DP
40 °C
+125
°C
74LVC3G17DC
40 °C
+125
°C
74LVC3G17GT
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT833-1
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
6.标记
表3：
标记代码
标识代码
V17
V17
V17
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
类型编号
74LVC3G17DP
74LVC3G17DC
74LVC3G17GT
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飞利浦半导体
74LVC3G17
三重非反相施密特触发器具有5 V容限输入
7.功能图
1
1A
1Y
7
1
7
2
3Y
3A
6
6
2
3
2A
2Y
001aab107
5
3
5
001aab108
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
A
Y
001aab109
图3.逻辑图
8管脚信息
8.1钢钉
3G17
1A
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aab106
1
8
V
CC
8
7
V
CC
1Y
3A
2Y
3Y
2
7
1Y
3G17
6
5
2A
3
6
3A
GND
4
5
2Y
001aac023
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration TSSOP8和
VSSOP8
图5.引脚CON组fi guration XSON8
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飞利浦半导体
74LVC3G17
三重非反相施密特触发器具有5 V容限输入
8.2引脚说明
表4：
符号
1A
3Y
2A
GND
2Y
3A
1Y
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
数据输入
数据输出
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
数据输入
数据输出
电源电压
9.功能描述
9.1功能表
表5：
输入nA的
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
输出NY
L
H
10.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考
GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
条件
[1]
民
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
65
最大
+6.5
+6.5
+6.5
50
±50
±50
±100
+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
主动模式
掉电模式
V
I
＆ LT ; 0 V
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
V
O
= 0 V到V
CC
[1]
[1] [2]
V
CC
+ 0.5 V
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
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三重非反相施密特触发器具有5 V容限输入
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产品数据表
1.概述
该74LVC3G17是一个高性能，低功耗，低电压，硅栅CMOS器件
并优于最先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这种
设备作为翻译在混合3.3 V和5 V环境。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路
禁止输出，防止损坏背溢流电流通过器件时，它
断电。
该74LVC3G17提供了三个非反相缓冲器带施密特触发器的动作。这是
能够转化缓慢变化的输入信号转换成大幅德网络定义，无抖动
输出信号。
2.特点
s
s
s
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
ESD保护：
x
HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
x
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
s
s
s
s
s
s
3.应用
s
波和脉冲整形器用于高噪声环境。
飞利浦半导体
74LVC3G17
三重非反相施密特触发器具有5 V容限输入
4.快速参考数据
表1：
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°
C.
符号
t
PHL
, t
PLH
参数
传播延迟
输入nA的输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
R
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
R
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
R
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
R
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
R
L
= 500
C
I
C
PD
[1]
民
-
-
-
-
-
-
[1] [2]
典型值
5.6
3.7
3.8
3.6
2.7
3.5
16.3
最大
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
输入电容
功耗
V
CC
= 3.3 V
每个缓冲电容
-
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
[2]
的条件为V
I
= GND到V
CC
.
5.订购信息
表2：
订购信息
包
温度范围
74LVC3G17DP
40 °C
+125
°C
74LVC3G17DC
40 °C
+125
°C
74LVC3G17GT
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT833-1
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
6.标记
表3：
标记代码
标识代码
V17
V17
V17
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类型编号
74LVC3G17DP
74LVC3G17DC
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飞利浦半导体
74LVC3G17
三重非反相施密特触发器具有5 V容限输入
7.功能图
1
1A
1Y
7
1
7
2
3Y
3A
6
6
2
3
2A
2Y
001aab107
5
3
5
001aab108
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
A
Y
001aab109
图3.逻辑图
8管脚信息
8.1钢钉
3G17
1A
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aab106
1
8
V
CC
8
7
V
CC
1Y
3A
2Y
3Y
2
7
1Y
3G17
6
5
2A
3
6
3A
GND
4
5
2Y
001aac023
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration TSSOP8和
VSSOP8
图5.引脚CON组fi guration XSON8
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飞利浦半导体
74LVC3G17
三重非反相施密特触发器具有5 V容限输入
8.2引脚说明
表4：
符号
1A
3Y
2A
GND
2Y
3A
1Y
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
数据输入
数据输出
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
数据输入
数据输出
电源电压
9.功能描述
9.1功能表
表5：
输入nA的
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
输出NY
L
H
10.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考
GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
条件
[1]
民
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
65
最大
+6.5
+6.5
+6.5
50
±50
±50
±100
+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
主动模式
掉电模式
V
I
＆ LT ; 0 V
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
V
O
= 0 V到V
CC
[1]
[1] [2]
V
CC
+ 0.5 V
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
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4 16
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