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74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
牧师07 - 2008年6月12日
产品数据表
1.概述
该74LVC3G14提供了三个反相缓冲器带施密特触发器的动作。
输入可以驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用
该器件在混合3.3 V和5 V环境。在输入端施密特触发器动作
使得输入速度较慢的上升电路宽容和下降时间。该器件是完全特定网络版的
用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏背溢流电流通过设备时，电源断开。
2.特点
I
I
I
I
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
无限上升和下降时间
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
I
I
I
I
I
I
I
3.应用
I
波和脉冲整形高度嘈杂环境
I
多谐振荡器
I
单稳态多谐振荡器。
恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74LVC3G14DP
74LVC3G14DC
74LVC3G14GT
74LVC3G14GD
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
XSON8U
XQFN8U
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
塑料非常薄小外形封装; 8线索;
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
塑料极薄四在佛罗里达州包;没有线索;
8终端; UTLP基础;机身1.6
×
1.6
×
0.5 mm
VERSION
SOT505-2
SOT765-1
SOT833-1
SOT996-2
SOT902-1
类型编号
74LVC3G14GM
40 °C
+125
°C
5.打标
表2中。
标记代码
标识代码
V14
V14
V14
V14
V14
类型编号
74LVC3G14DP
74LVC3G14DC
74LVC3G14GT
74LVC3G14GD
74LVC3G14GM
6.功能图
1A
1Y
3Y
3A
2A
2Y
A
001aah729
Y
mna025
001aah728
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图
（ 1施密特触发器）
74LVC3G14_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年6月12日
2 18
恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
7.管脚信息
7.1钢钉
74LVC3G14
1A
1
8
V
CC
3Y
2
7
1Y
74LVC3G14
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aag081
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
2A
3
6
3A
GND
4
5
2Y
001aab834
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT833-1 （ XSON8 ）
74LVC3G14
1号航站楼
索引区
1Y
1
V
CC
8
74LVC3G14
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
7
1A
3A
1Y
3A
2Y
2Y
2
6
3Y
3
4
5
2A
GND
001aag082
001aai242
透明的顶视图
透明的顶视图
图6 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
图7 。
引脚CON组fi guration SOT902-1 （ XQFN8U ）
7.2引脚说明
表3中。
符号
引脚说明
针
SOT505-2 ， SOT765-1 ，
SOT833-1和SOT996-2
1A, 2A, 3A
1Y, 2Y, 3Y
GND
V
CC
1, 3, 6
7, 5, 2
4
8
SOT902-1
7, 5, 2
1, 3, 6
4
8
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
电源电压
描述
74LVC3G14_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
8.功能描述
表4 。
输入nA的
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平
功能表
[1]
输出NY
H
L
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
100
-
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8 ， XSON8U和XQFN8U包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
10.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
民
1.65
0
0
0
40
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
单位
V
V
V
V
°C
74LVC3G14_7
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恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
V
OH
高电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
关闭
I
CC
I
CC
C
I
V
OH
输入漏电流
关机漏电流
电源电流
额外的电源电流
输入电容
高电平输出电压
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 0 V至5.5 V
V
I
或V
O
= 5.5 V; V
CC
= 0 V
V
I
= 5.5 V或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
V
I
= V
CC
0.6 V ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 2.3 V至5.5 V
V
CC
= 3.3 V; V
I
= GND到V
CC
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
输入漏电流
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 0 V至5.5 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.7
0.45
0.6
0.8
0.8
±20
V
V
V
V
V
V
A
V
CC
0.1 -
0.95
1.7
1.9
2.0
3.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
0.1
5
3.5
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
500
-
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
pF
V
CC
0.1 -
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
条件
民
典型值
[1]
最大
单位
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
74LVC3G14_7
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