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74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
牧师07 - 2008年6月12日
产品数据表
1.概述
该74LVC3G14提供了三个反相缓冲器带施密特触发器的动作。
输入可以驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用
该器件在混合3.3 V和5 V环境。在输入端施密特触发器动作
使得输入速度较慢的上升电路宽容和下降时间。该器件是完全特定网络版的
用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出,
防止损坏背溢流电流通过设备时,电源断开。
2.特点
I
I
I
I
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
ESD保护:
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
±24
mA输出驱动(V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
无限上升和下降时间
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C.
I
I
I
I
I
I
I
3.应用
I
波和脉冲整形高度嘈杂环境
I
多谐振荡器
I
单稳态多谐振荡器。
恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
4.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74LVC3G14DP
74LVC3G14DC
74LVC3G14GT
74LVC3G14GD
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
XSON8U
XQFN8U
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
塑料非常薄小外形封装; 8线索;
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
塑料极薄四在佛罗里达州包;没有线索;
8终端; UTLP基础;机身1.6
×
1.6
×
0.5 mm
VERSION
SOT505-2
SOT765-1
SOT833-1
SOT996-2
SOT902-1
类型编号
74LVC3G14GM
40 °C
+125
°C
5.打标
表2中。
标记代码
标识代码
V14
V14
V14
V14
V14
类型编号
74LVC3G14DP
74LVC3G14DC
74LVC3G14GT
74LVC3G14GD
74LVC3G14GM
6.功能图
1A
1Y
3Y
3A
2A
2Y
A
001aah729
Y
mna025
001aah728
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图
( 1施密特触发器)
74LVC3G14_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年6月12日
2 18
恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
7.管脚信息
7.1钢钉
74LVC3G14
1A
1
8
V
CC
3Y
2
7
1Y
74LVC3G14
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aag081
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
2A
3
6
3A
GND
4
5
2Y
001aab834
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 ( TSSOP8 )和
SOT765-1 ( VSSOP8 )
图5 。
引脚CON组fi guration SOT833-1 ( XSON8 )
74LVC3G14
1号航站楼
索引区
1Y
1
V
CC
8
74LVC3G14
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
7
1A
3A
1Y
3A
2Y
2Y
2
6
3Y
3
4
5
2A
GND
001aag082
001aai242
透明的顶视图
透明的顶视图
图6 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 ( XSON8U )
图7 。
引脚CON组fi guration SOT902-1 ( XQFN8U )
7.2引脚说明
表3中。
符号
引脚说明
SOT505-2 , SOT765-1 ,
SOT833-1和SOT996-2
1A, 2A, 3A
1Y, 2Y, 3Y
GND
V
CC
1, 3, 6
7, 5, 2
4
8
SOT902-1
7, 5, 2
1, 3, 6
4
8
数据输入
数据输出
接地( 0 V )
电源电压
描述
74LVC3G14_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年6月12日
3 18
恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
8.功能描述
表4 。
输入nA的
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平
功能表
[1]
输出NY
H
L
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
& LT ; 0 V
[1]
0.5
50
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
100
-
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
& GT ; V
CC
或V
O
& LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V(掉电模式)时,输出电压可以是5.5 V,在正常的操作。
对于TSSOP8封装: 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包: 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8 , XSON8U和XQFN8U包: 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
10.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
1.65
0
0
0
40
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
单位
V
V
V
V
°C
74LVC3G14_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年6月12日
4 18
恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
V
OH
高电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
关闭
I
CC
I
CC
C
I
V
OH
输入漏电流
关机漏电流
电源电流
额外的电源电流
输入电容
高电平输出电压
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 0 V至5.5 V
V
I
或V
O
= 5.5 V; V
CC
= 0 V
V
I
= 5.5 V或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
V
I
= V
CC
0.6 V ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 2.3 V至5.5 V
V
CC
= 3.3 V; V
I
= GND到V
CC
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
输入漏电流
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 0 V至5.5 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.7
0.45
0.6
0.8
0.8
±20
V
V
V
V
V
V
A
V
CC
0.1 -
0.95
1.7
1.9
2.0
3.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
0.1
5
3.5
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
500
-
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
pF
V
CC
0.1 -
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
条件
典型值
[1]
最大
单位
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
74LVC3G14_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年6月12日
5 18
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
牧师05 - 2007年10月5日
产品数据表
1.概述
该74LVC3G14提供了三个反相缓冲器带施密特触发器的动作。
输入可以驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用
该器件在混合3.3 V和5 V环境。在输入端施密特触发器动作
使得输入速度较慢的上升电路宽容和下降时间。该器件是完全特定网络版的
用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出,
防止损坏背溢流电流通过设备时,电源断开。
2.特点
I
I
I
I
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
ESD保护:
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
±24
mA输出驱动(V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
无限上升和下降时间
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C.
I
I
I
I
I
I
I
3.应用
I
波和脉冲整形高度嘈杂环境
I
多谐振荡器
I
单稳态多谐振荡器。
恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
4.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74LVC3G14DP
74LVC3G14DC
74LVC3G14GT
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
XQFN8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
塑料非常薄小外形封装; 8线索;
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
塑料极薄四在佛罗里达州包;没有线索;
8终端;机身1.6
×
1.6
×
0.5 mm
VERSION
SOT505-2
SOT765-1
SOT833-1
SOT902-1
类型编号
74LVC3G14GM
40 °C
+125
°C
5.打标
表2中。
标记代码
标识代码
V14
V14
V14
V14
类型编号
74LVC3G14DP
74LVC3G14DC
74LVC3G14GT
74LVC3G14GM
6.功能图
1
7
1
1A
1Y
7
6
2
2
3Y
3A
6
3
2A
2Y
5
3
5
A
Y
mna025
mna740
mna741
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图
( 1施密特触发器)
74LVC3G14_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年10月5日
2 17
恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
7.管脚信息
7.1钢钉
74LVC3G14
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aag081
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
图4.引脚CON组fi guration SOT505-2 ( TSSOP8 )和SOT765-1 ( VSSOP8 )
74LVC3G14
74LVC3G14
1A
1
8
V
CC
1号航站楼
索引区
1Y
1
V
CC
8
7
1A
3Y
2
7
1Y
3A
2
6
3Y
2A
3
6
3A
2Y
3
4
5
2A
GND
GND
4
5
2Y
001aag082
001aab834
透明的顶视图
透明的顶视图
图5.引脚CON组fi guration SOT833-1 ( XSON8 )
图6.引脚CON组fi guration SOT902-1 ( XQFN8 )
7.2引脚说明
表3中。
引脚说明
SOT505-2 , SOT765-1和
SOT833-1
nA
nY
GND
V
CC
1, 3, 6
7, 5, 2
4
8
SOT902-1
7, 5, 2
1, 3, 6
4
8
数据输入
数据输出
接地( 0 V )
电源电压
描述
符号( n = 1时,2,3 )
74LVC3G14_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年10月5日
3 17
恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
8.功能描述
表4 。
输入nA的
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平
功能表
[1]
输出NY
H
L
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
& LT ; 0 V
[1]
0.5
50
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
100
-
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
& GT ; V
CC
或V
O
& LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V(掉电模式)时,输出电压可以是5.5 V,在正常的操作。
对于TSSOP8和VSSOP8套餐: 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8.0毫瓦/ K 。
对于XSON8和XQFN8包: 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
10.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
1.65
0
0
0
40
典型值
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
单位
V
V
V
V
°C
74LVC3G14_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年10月5日
4 17
恩智浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
V
OH
高电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
关闭
I
CC
I
CC
C
I
V
OH
输入漏电流
关机漏电流
电源电流
额外的电源电流
输入电容
高电平输出电压
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 0 V至5.5 V
V
I
或V
O
= 5.5 V; V
CC
= 0 V
V
I
= 5.5 V或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
V
I
= V
CC
0.6 V ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 2.3 V至5.5 V
V
CC
= 3.3 V; V
I
= GND到V
CC
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
输入漏电流
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 0 V至5.5 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.7
0.45
0.6
0.8
0.8
±20
V
V
V
V
V
V
A
V
CC
0.1 -
0.95
1.7
1.9
2.0
3.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
0.1
5
3.5
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
500
-
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
pF
V
CC
0.1 -
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
条件
典型值
[1]
最大
单位
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
74LVC3G14_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年10月5日
5 17
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
牧师03 - 2005年1月31日
产品数据表
1.概述
该74LVC3G14是一个高性能,低功耗,低电压,硅栅CMOS器件
并优于最先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这种
设备作为翻译在混合3.3 V和5 V环境。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路
禁止输出,防止损坏背溢流电流通过器件时,它
断电。
该74LVC3G14提供了三个反相缓冲器带施密特触发器的动作。它是能够
转化缓慢变化的输入信号转换成大幅德网络定义,无抖动输出
信号。
2.特点
s
s
s
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
ESD保护:
x
HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
x
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动(V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C.
s
s
s
s
s
s
3.应用
s
波和脉冲整形高度嘈杂环境
s
多谐振荡器
s
单稳态多谐振荡器。
飞利浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
4.快速参考数据
表1:
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°
C.
符号
参数
条件
-
-
-
-
-
-
V
CC
= 3.3 V
[1] [2]
典型值
4.2
3.0
3.8
3.2
2.4
3.5
18.1
最大
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
t
PHL
, t
PLH
传播延迟输入V
CC
= 1.8 V;
nA的输出NY
C
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V;
C
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V;
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V;
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V;
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
[1]
输入电容
功耗
每个缓冲电容
-
C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和。
[2]
的条件为V
I
= GND到V
CC
.
5.订购信息
表2:
订购信息
温度范围
74LVC3G14DP
74LVC3G14DC
74LVC3G14GT
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
塑料非常薄小外形封装; 8线索;
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
VERSION
SOT505-2
SOT765-1
SOT833-1
类型编号
6.标记
表3:
标记代码
标识代码
V14
V14
V14
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
类型编号
74LVC3G14DP
74LVC3G14DC
74LVC3G14GT
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产品数据表
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2 17
飞利浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
7.功能图
1
1
1A
1Y
7
7
2
3Y
3A
6
6
2
3
2A
2Y
5
3
5
mna740
mna741
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
A
Y
mna025
图3.逻辑图( 1施密特触发器)
8管脚信息
8.1钢钉
3G14
1A
1
8
V
CC
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
mna739
8
V
CC
1Y
3A
2Y
3Y
2
7
1Y
3G14
7
6
5
2A
3
6
3A
GND
4
5
2Y
001aab834
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration TSSOP8和
VSSOP8
图5.引脚CON组fi guration XSON8
9397 750 14543
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飞利浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
8.2引脚说明
表4:
符号
1A
3Y
2A
GND
2Y
3A
1Y
V
CC
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
数据输入
数据输出
数据输入
接地( 0 V )
数据输出
数据输入
数据输出
电源电压
9.功能描述
9.1功能表
表5:
输入nA的
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
输出NY
H
L
10.极限值
表6:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考
GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
条件
V
I
& LT ; 0 V
[1]
0.5
-
0.5
-
[1] [2]
[1] [2]
最大
+6.5
50
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
±100
+150
300
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
°C
mW
V
O
& GT ; V
CC
或V
O
& LT ; 0 V
使能模式
掉电模式
0.5
0.5
-
-
65
输出源或汇V
O
= 0 V到V
CC
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V(掉电模式)时,输出电压可以是5.5 V,在正常状态下。
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飞利浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
11.推荐工作条件
表7:
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
1.65
0
0
40
典型值
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
单位
V
V
V
°C
12.静态特性
表8:
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
[1]
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OH
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
LI
I
关闭
I
CC
I
CC
C
I
输入漏电流
关机泄漏
当前
其他静态
每个电源引脚
输入电容
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 5.5 V
V
I
或V
O
= 5.5 V; V
CC
= 0 V
V
CC
0.1 -
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
0.1
5
3.5
-
-
-
-
-
-
±5
±10
10
500
-
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
V
V
V
V
V
V
条件
典型值
最大
单位
静态电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 ; V
CC
= 5.5 V
V
I
= V
CC
0.6 V ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 2.3 V至5.5 V
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74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
牧师03 - 2005年1月31日
产品数据表
1.概述
该74LVC3G14是一个高性能,低功耗,低电压,硅栅CMOS器件
并优于最先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这种
设备作为翻译在混合3.3 V和5 V环境。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路
禁止输出,防止损坏背溢流电流通过器件时,它
断电。
该74LVC3G14提供了三个反相缓冲器带施密特触发器的动作。它是能够
转化缓慢变化的输入信号转换成大幅德网络定义,无抖动输出
信号。
2.特点
s
s
s
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
ESD保护:
x
HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
x
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动(V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C.
s
s
s
s
s
s
3.应用
s
波和脉冲整形高度嘈杂环境
s
多谐振荡器
s
单稳态多谐振荡器。
飞利浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
4.快速参考数据
表1:
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°
C.
符号
参数
条件
-
-
-
-
-
-
V
CC
= 3.3 V
[1] [2]
典型值
4.2
3.0
3.8
3.2
2.4
3.5
18.1
最大
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
t
PHL
, t
PLH
传播延迟输入V
CC
= 1.8 V;
nA的输出NY
C
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V;
C
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V;
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V;
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V;
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
[1]
输入电容
功耗
每个缓冲电容
-
C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和。
[2]
的条件为V
I
= GND到V
CC
.
5.订购信息
表2:
订购信息
温度范围
74LVC3G14DP
74LVC3G14DC
74LVC3G14GT
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP8
VSSOP8
XSON8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
塑料非常薄小外形封装; 8线索;
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
VERSION
SOT505-2
SOT765-1
SOT833-1
类型编号
6.标记
表3:
标记代码
标识代码
V14
V14
V14
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类型编号
74LVC3G14DP
74LVC3G14DC
74LVC3G14GT
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飞利浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
7.功能图
1
1
1A
1Y
7
7
2
3Y
3A
6
6
2
3
2A
2Y
5
3
5
mna740
mna741
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
A
Y
mna025
图3.逻辑图( 1施密特触发器)
8管脚信息
8.1钢钉
3G14
1A
1
8
V
CC
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
mna739
8
V
CC
1Y
3A
2Y
3Y
2
7
1Y
3G14
7
6
5
2A
3
6
3A
GND
4
5
2Y
001aab834
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration TSSOP8和
VSSOP8
图5.引脚CON组fi guration XSON8
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74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
8.2引脚说明
表4:
符号
1A
3Y
2A
GND
2Y
3A
1Y
V
CC
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
数据输入
数据输出
数据输入
接地( 0 V )
数据输出
数据输入
数据输出
电源电压
9.功能描述
9.1功能表
表5:
输入nA的
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
输出NY
H
L
10.极限值
表6:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考
GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
条件
V
I
& LT ; 0 V
[1]
0.5
-
0.5
-
[1] [2]
[1] [2]
最大
+6.5
50
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
±100
+150
300
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
°C
mW
V
O
& GT ; V
CC
或V
O
& LT ; 0 V
使能模式
掉电模式
0.5
0.5
-
-
65
输出源或汇V
O
= 0 V到V
CC
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V(掉电模式)时,输出电压可以是5.5 V,在正常状态下。
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牧师03 - 2005年1月31日
4 17
飞利浦半导体
74LVC3G14
三重反相施密特触发器具有5 V容限输入
11.推荐工作条件
表7:
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
1.65
0
0
40
典型值
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
单位
V
V
V
°C
12.静态特性
表8:
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
[1]
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OH
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
LI
I
关闭
I
CC
I
CC
C
I
输入漏电流
关机泄漏
当前
其他静态
每个电源引脚
输入电容
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 5.5 V
V
I
或V
O
= 5.5 V; V
CC
= 0 V
V
CC
0.1 -
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
0.1
5
3.5
-
-
-
-
-
-
±5
±10
10
500
-
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
V
V
V
V
V
V
条件
典型值
最大
单位
静态电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 ; V
CC
= 5.5 V
V
I
= V
CC
0.6 V ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 2.3 V至5.5 V
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