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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符7型号页 > 首字符7的型号第108页 > 74LVC2GU04GW
集成电路
数据表
74LVC2GU04
双变频器
产品speci fi cation
取代2004年5月24日的数据
2004年9月21日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双变频器
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟nA的输入输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每门功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC2GU04
该74LVC2GU04是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
这些特性允许使用这些设备中的混合
3.3 V和5 V环境。
该74LVC2GU04提供两个反相器。每个逆变器
单级与非缓冲输出。
典型
2.3
1.8
2.6
2.3
1.7
5
7.8
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
单位
2004年9月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双变频器
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
订购信息
包
类型编号
74LVC2GU04GW
74LVC2GU04GV
74LVC2GU04GM
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
1A
GND
2A
2Y
V
CC
1Y
符号
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输入
数据输出
电源电压
数据输出
描述
温度
范围
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
引脚
6
6
6
包
SC-88
SC-74
XSON6
材料
塑料
塑料
塑料
产量
nY
H
L
74LVC2GU04
CODE
SOT363
SOT457
SOT886
记号
YD
VU4
YD
04
1A
GND
1
2
6
1Y
V
CC
2Y
1A
1
6
1Y
U04
5
GND
2
5
V
CC
2A
3
001aab680
4
2A
3
4
2Y
001aab681
透明的顶视图
Fig.1引脚配置SC- 88和SC- 74 。
图2引脚配置XSON6 。
2004年9月21日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双变频器
74LVC2GU04
手册， halfpage
1
1A
1Y
6
手册， halfpage
1
1
6
3
2A
2Y
4
3
1
4
MNB106
MNB107
图3逻辑符号。
图4 IEC逻辑符号。
手册， halfpage
VCC
VCC
100
A
Y
MNA636
图5的逻辑图（ 1栅极） 。
2004年9月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双变频器
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
条件
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
74LVC2GU04
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0 V
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式;注1
V
O
= 0 V到V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
2004年9月21日
5
集成电路
数据表
74LVC2GU04
双变频器
产品speci fi cation
取代2004年5月24日的数据
2004年9月21日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双变频器
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟nA的输入输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每门功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC2GU04
该74LVC2GU04是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
这些特性允许使用这些设备中的混合
3.3 V和5 V环境。
该74LVC2GU04提供两个反相器。每个逆变器
单级与非缓冲输出。
典型
2.3
1.8
2.6
2.3
1.7
5
7.8
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
单位
2004年9月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双变频器
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
订购信息
包
类型编号
74LVC2GU04GW
74LVC2GU04GV
74LVC2GU04GM
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
1A
GND
2A
2Y
V
CC
1Y
符号
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输入
数据输出
电源电压
数据输出
描述
温度
范围
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
引脚
6
6
6
包
SC-88
SC-74
XSON6
材料
塑料
塑料
塑料
产量
nY
H
L
74LVC2GU04
CODE
SOT363
SOT457
SOT886
记号
YD
VU4
YD
04
1A
GND
1
2
6
1Y
V
CC
2Y
1A
1
6
1Y
U04
5
GND
2
5
V
CC
2A
3
001aab680
4
2A
3
4
2Y
001aab681
透明的顶视图
Fig.1引脚配置SC- 88和SC- 74 。
图2引脚配置XSON6 。
2004年9月21日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双变频器
74LVC2GU04
手册， halfpage
1
1A
1Y
6
手册， halfpage
1
1
6
3
2A
2Y
4
3
1
4
MNB106
MNB107
图3逻辑符号。
图4 IEC逻辑符号。
手册， halfpage
VCC
VCC
100
A
Y
MNA636
图5的逻辑图（ 1栅极） 。
2004年9月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双变频器
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
条件
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
74LVC2GU04
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0 V
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式;注1
V
O
= 0 V到V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
2004年9月21日
5
74LVC2GU04
双变频器
牧师05 - 2009年10月27日
产品数据表
1.概述
该74LVC2GU04提供两个反相器。每个逆变器与缓冲单级
输出。
输入可以驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用
该器件在混合3.3 V和5 V环境。
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
I
I
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
接受输入电压高达5 V
多种封装选择
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114F超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74LVC2GU04GW
74LVC2GU04GV
74LVC2GU04GM
74LVC2GU04GF
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
SC-88
TSOP6
XSON6
XSON6
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装（ TSOP6 ） ;
6 LEADS
塑料非常薄小外形封装;
没有线索; 6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;
没有线索; 6终端;体1
×
1
×
0.5 mm
VERSION
SOT363
SOT457
SOT886
SOT891
类型编号
恩智浦半导体
74LVC2GU04
双变频器
4.标记
表2中。
标记代码
记号
[1]
YD
VU4
YD
YD
类型编号
74LVC2GU04GW
74LVC2GU04GV
74LVC2GU04GM
74LVC2GU04GF
[1]
销1指示符位于该装置的左下角，下面的标记代码。
5.功能图
V
CC
1
1
6
100
1
1A
1Y
6
V
CC
A
3
2A
2Y
4
3
1
4
Y
mnb106
mnb107
mna636
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图（ 1门）
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC2GU04
74LVC2GU04
1A
GND
1
2
6
5
1Y
GND
V
CC
2A
2A
3
001aab680
1A
1
6
1Y
1A
GND
74LVC2GU04
1
2
3
6
5
4
1Y
V
CC
2Y
2
5
V
CC
3
4
2Y
2A
4
2Y
001aab681
001aag421
透明的顶视图
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT363
和SOT457
图5 。
引脚CON组fi guration SOT886
图6 。
引脚CON组fi guration SOT891
74LVC2GU04_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年10月27日
2 16
恩智浦半导体
74LVC2GU04
双变频器
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A
GND
2A
2Y
V
CC
1Y
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
描述
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输入
数据输出
电源电压
数据输出
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nY
H
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
50
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
-
V
CC
+ 0.5
±50
100
-
+150
250
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
-
-
100
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的最小的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
对于TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74LVC2GU04_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年10月27日
3 16
恩智浦半导体
74LVC2GU04
双变频器
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
条件
民
1.65
0
0
40
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
[1]
V
IH
V
IL
V
OH
高电平输入电压
低电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏电流
电源电流
输入电容
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
V
CC
= 3.3 V; V
I
= GND到V
CC
[2]
条件
民
0.75
×
V
CC
-
V
CC
0.1
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
0.1
5
最大
-
0.25
×
V
CC
-
-
-
-
-
-
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
10
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
高电平输出电压V
I
= V
IH
或V
IL
74LVC2GU04_5
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牧师05 - 2009年10月27日
4 16
恩智浦半导体
74LVC2GU04
双变频器
表7中。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
IH
V
IL
V
OH
高电平输入电压
低电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
输入漏电流
电源电流
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.7
0.45
0.6
0.8
0.8
±20
40
V
V
V
V
V
V
A
A
0.8
×
V
CC
-
V
CC
0.1
0.95
1.7
1.9
2.0
3.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
×
V
CC
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
高电平输出电压V
I
= V
IH
或V
IL
[1]
[2]
所有典型值是在T测
AMB
= 25
°C.
这些典型值是在V测
CC
= 3.3 V.
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7009-01-D
7070-50-ZBO
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