74LVC2G66
双向开关
牧师04 - 2008年7月1日
产品数据表
1.概述
该74LVC2G66是一种低功率,低电压,高速硅栅CMOS器件。
该74LVC2G66提供两个单刀单掷模拟开关的功能。每
开关具有两个输入/输出端( NY和NZ)和一个高有效的使能输入(NE) 。
当NE为低电平时,模拟开关被关断。
在使能输入施密特触发器动作使得输入速度较慢的上升电路宽容
并在整个V下降时间
CC
范围从1.65 V至5.5 V.
2.特点
I
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
I
非常低的导通电阻:
N
7.5
(典型值) V
CC
= 2.7 V
N
6.5
(典型值) V
CC
= 3.3 V
N
6
(典型值) V
CC
= 5 V
I
切换32 mA电流能力
I
高噪声抗扰度
I
CMOS低功耗
I
在3.3 V TTL接口的兼容性
I
闭锁性能符合JESD78 I类要求
I
ESD保护:
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
使能输入接收电压高达5.5 V
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74LVC2G66
双向开关
Z
Y
E
V
CC
mna658
图3 。
逻辑图(一个开关)
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC2G66
1Y
1
8
V
CC
1Z
2
7
1E
74LVC2G66
2E
1Y
1Z
2E
GND
1
2
3
4
001aaa529
3
6
2Z
8
7
6
5
V
CC
1E
2Z
2Y
GND
4
5
2Y
001aaf567
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 ( TSSOP8 )和
SOT765-1 ( VSSOP8 )
图5 。
引脚CON组fi guration SOT833-1 ( XSON8 )
74LVC2G66
1号航站楼
索引区
1E
1
V
CC
8
74LVC2G66
1Y
1Z
2E
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
7
1Y
2Z
1E
2Z
2Y
2Y
2
6
1Z
3
4
5
2E
GND
001aaf568
001aai248
透明的顶视图
透明的顶视图
图6 。
74LVC2G66_4
引脚CON组fi guration SOT996-2 ( XSON8U )
图7 。
引脚CON组fi guration SOT902-1 ( XQFN8U )
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年7月1日
3 24
恩智浦半导体
74LVC2G66
双向开关
6.2引脚说明
表3中。
符号
引脚说明
针
SOT505-2 , SOT765-1 ,
SOT833-1和SOT996-2
1Y
1Z
2E
GND
2Y
2Z
1E
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
SOT902-1
7
6
5
4
3
2
1
8
独立的输入或输出
独立的输入或输出
使能输入(高电平有效)
接地( 0 V )
独立的输入或输出
独立的输入或输出
使能输入(高电平有效)
电源电压
描述
7.功能描述
表4 。
输入NE
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
开关
关闭状态
导通状态
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
SK
V
SW
I
SW
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电压
开关电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
[1]
民
0.5
0.5
50
-
[2]
最大
+6.5
+6.5
-
±50
V
CC
+ 0.5
±50
100
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
启用和禁用模式
V
SW
& GT ;
0.5
V或
V
SW
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
-
-
100
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
如果开关钳位电流额定值观察到的最小和最大开关电压额定值可能会超过。
对于TSSOP8封装: 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包: 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8 , XSON8U和XQFN8U包: 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74LVC2G66_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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牧师04 - 2008年7月1日
4 24
恩智浦半导体
74LVC2G66
双向开关
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
工作条件
参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
[1]
[3]
[3]
[1][2]
条件
民
1.65
0
0
40
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
为了避免下沉接地电流从终端NZ当终端纽约州,横跨双向开关的电压降开关电流FL OWS
不得超过0.4 V.如果开关电流FL OWS到终端新西兰,从终端纽约没有接地电流会溢流。在这种情况下,不存在
限制了开关两端的电压降。
对于过压容限开关电压能力,是指74LVCV2G66 。
适用于控制信号电平。
[2]
[3]
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
V
IH
高位
输入电压
条件
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
I
I
I
S( OFF)
输入漏
当前
关闭状态
泄漏
当前
导通状态
泄漏
当前
电源电流
销NE ; V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
V
I
= V
IH
或V
IL
;
V
CC
= 5.5 V ;看
图8
V
I
= V
IH
或V
IL
;
V
CC
= 5.5 V ;看
图9
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
SW
= GND或V
CC
;
I
O
= 0 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
销NE ; V
I
= V
CC
0.6 V;
V
SW
= GND或V
CC
;
I
O
= 0 ; V
CC
= 5.5 V
[2]
40 °C
+85
°C
民
0.65
×
V
CC
1.7
2.0
0.7
×
V
CC
-
-
-
-
-
-
典型值
[1]
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
最大
-
-
-
-
0.35
×
V
CC
0.7
0.8
0.3
×
V
CC
±5
±5
40 °C
+125
°C
民
0.65
×
V
CC
1.7
2.0
0.7
×
V
CC
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
0.7
0.8
0.3
×
V
CC
±100
±200
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
0.35
×
V
CC
V
[2]
I
秒(上)
[2]
-
±0.1
±5
-
±200
A
I
CC
[2]
-
0.1
10
-
200
A
I
CC
另外
电源电流
[2]
-
5
500
-
5000
A
74LVC2G66_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年7月1日
5 24
74LVC2G66
双向开关
启5 - 2010年6月16日
产品数据表
1.概述
该74LVC2G66是一种低功率,低电压,高速硅栅CMOS器件。
该74LVC2G66提供两个单刀单掷模拟开关的功能。每
开关具有两个输入/输出端( NY和NZ)和一个高有效的使能输入(NE) 。
当NE为低电平时,模拟开关被关断。
在使能输入施密特触发器动作使得输入速度较慢的上升电路宽容
并在整个V下降时间
CC
范围从1.65 V至5.5 V.
2.特点和好处科幻TS
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
非常低的导通电阻:
7.5
Ω
(典型值) V
CC
= 2.7 V
6.5
Ω
(典型值) V
CC
= 3.3 V
6
Ω
(典型值) V
CC
= 5 V
切换32 mA电流能力
高噪声抗扰度
CMOS低功耗
在3.3 V TTL接口的兼容性
闭锁性能符合JESD78 I类要求
ESD保护:
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
使能输入接收电压高达5.5 V
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74LVC2G66
双向开关
6.2引脚说明
表3中。
符号
引脚说明
针
SOT505-2 , SOT765-1 , SOT996-2和
SOT833-1
1Y
1Z
2E
GND
2Y
2Z
1E
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
SOT902-1
7
6
5
4
3
2
1
8
独立的输入或输出
独立的输入或输出
使能输入(高电平有效)
接地( 0 V )
独立的输入或输出
独立的输入或输出
使能输入(高电平有效)
电源电压
描述
7.功能描述
表4 。
输入NE
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
开关
关闭状态
导通状态
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
SK
V
SW
I
SW
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电压
开关电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
[1]
民
0.5
0.5
50
-
[2]
最大
+6.5
+6.5
-
±50
V
CC
+ 0.5
±50
100
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
启用和禁用模式
V
SW
& GT ;
0.5
V或
V
SW
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
-
-
100
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
如果开关钳位电流额定值观察到的最小和最大开关电压额定值可能会超过。
对于TSSOP8封装: 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包: 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8 , XSON8U和XQFN8U套餐: 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
74LVC2G66
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NXP B.V. 2010保留所有权利。
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启5 - 2010年6月16日
4 26
恩智浦半导体
74LVC2G66
双向开关
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
工作条件
参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
[1]
[3]
[3]
[1][2]
条件
民
1.65
0
0
40
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
为了避免下沉的GND电流从终端NZ当开关电流在终端NY流动,穿过双向开关上的电压降
必须不超过0.4伏。如果开关电流流入端子NZ,没有接地电流流从终端NY 。在这种情况下,不存在
限制了开关两端的电压降。
对于过压容限开关电压能力,是指74LVCV2G66 。
适用于控制信号电平。
[2]
[3]
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
V
IH
高位
输入电压
条件
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
I
I
I
S( OFF)
输入漏
当前
关闭状态
泄漏
当前
导通状态
泄漏
当前
电源电流
销NE ; V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
V
CC
= 5.5 V ;看
图8
[2]
40 °C
+85
°C
民
0.65
×
V
CC
1.7
2.0
0.7
×
V
CC
-
-
-
-
-
-
典型值
[1]
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
最大
-
-
-
-
0.35
×
V
CC
0.7
0.8
0.3
×
V
CC
±5
±5
40 °C
+125
°C
民
0.65
×
V
CC
1.7
2.0
0.7
×
V
CC
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
0.7
0.8
0.3
×
V
CC
±100
±200
单位
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
0.35
×
V
CC
V
[2]
I
秒(上)
V
CC
= 5.5 V ;看
图9
[2]
-
±0.1
±5
-
±200
μA
I
CC
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
SW
= GND或V
CC
;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
销NE ; V
I
= V
CC
0.6 V;
V
SW
= GND或V
CC
;
V
CC
= 5.5 V
[2]
-
0.1
10
-
200
μA
ΔI
CC
另外
电源电流
[2]
-
5
500
-
5000
μA
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NXP B.V. 2010保留所有权利。
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启5 - 2010年6月16日
5 26