飞利浦半导体
产品speci fi cation
双缓冲门
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟nA的输入输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC2G34
该74LVC2G34是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件和优越于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
这些功能允许使用这些设备作为
译者在混合3.3 V和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC2G34提供了两个缓冲区。
典型
3.8
2.4
2.5
2.2
1.9
2.5
20
ns
ns
ns
ns
ns
单位
pF
pF
2004年09月10日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双缓冲门
74LVC2G34
手册， halfpage
1
1A
1Y
6
手册， halfpage
1
1
6
3
2A
2Y
4
3
1
4
MNB064
MNB063
图3逻辑符号。
图4逻辑符号（ IEEE / IEC ） 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
2004年09月10日
4
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0 V
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式;注1和2
V
O
= 0 V到V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
74LVC2G34
双缓冲门
启示录04 - 2007年7月20日
产品数据表
1.概述
该74LVC2G34提供了两个缓冲区。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。这些功能允许使用
这些器件在混合3.3 V和5 V环境。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过
设备时，它被断电。
2.特点
s
s
s
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入为5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
x
JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
x
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
x
JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
ESD保护：
x
HBM JESD22- A114E超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
s
s
s
s
s
s
s
恩智浦半导体
74LVC2G34
双缓冲门
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC2G34
74LVC2G34
1A
GND
1
2
6
5
1Y
GND
V
CC
2A
2A
3
001aab676
1A
1
6
1Y
1A
GND
74LVC2G34
1
2
3
6
5
4
1Y
V
CC
2Y
2
5
V
CC
3
4
2Y
2A
4
2Y
001aab677
001aag030
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT363
（ SC - 88）和SOT457
(TSOP6)
图5.引脚CON组fi guration SOT886
(XSON6)
图6.引脚CON组fi guration SOT891
(XSON6)
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A
GND
2A
2Y
V
CC
1Y
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
描述
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输入
数据输出
电源电压
数据输出
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nY
L
H
74LVC2G34_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
启示录04 - 2007年7月20日
3 14
恩智浦半导体
74LVC2G34
双缓冲门
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
100
-
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
对于SC- 88和SC- 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
民
1.65
0
0
0
40
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
74LVC2G34_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
启示录04 - 2007年7月20日
4 14
74LVC2G34
双缓冲门
启5 - 2010年9月2日
产品数据表
1.概述
该74LVC2G34提供了两个缓冲区。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。这些功能允许使用
这些器件在混合3.3 V和5 V环境。
这个装置是用我的部分断电应用完全指定
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过
设备时，它被断电。
2.特点和好处科幻TS
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入为5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
恩智浦半导体
74LVC2G34
双缓冲门
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
100
-
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
对于SC- 88和SC- 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
民
1.65
0
0
0
40
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
74LVC2G34
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产品数据表
启5 - 2010年9月2日
4 17
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双缓冲门
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟nA的输入输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC2G34
该74LVC2G34是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件和优越于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
这些功能允许使用这些设备作为
译者在混合3.3 V和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC2G34提供了两个缓冲区。
典型
3.8
2.4
2.5
2.2
1.9
2.5
20
ns
ns
ns
ns
ns
单位
pF
pF
2004年09月10日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双缓冲门
74LVC2G34
手册， halfpage
1
1A
1Y
6
手册， halfpage
1
1
6
3
2A
2Y
4
3
1
4
MNB064
MNB063
图3逻辑符号。
图4逻辑符号（ IEEE / IEC ） 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
2004年09月10日
4
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0 V
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式;注1和2
V
O
= 0 V到V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
QQ：2880707522 复制
