74LVC1GX04
一个片上晶体振荡器驱动器
半导体
描述
该74LVC1GX04结合74LVC1GU04的功能和
74LVC1G04成一个单一的软件包，可提供使用而优化的设备
在晶体振荡器的应用程序。这种融合产生的好处
紧凑的尺寸，更低的功耗，以及在一个稳定运行
宽范围的频率和温度。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
at
输出Y.这禁止输出，防止损坏回流电流
当设备被断电。
应用
晶体振荡器
多谐振荡器
1
北卡罗来纳州
LVC1GX04
Y
6
特点
+ / - 24 mA输出驱动
多种封装选择
宽电源电压范围1.65至5.5伏
宽工作温度范围-40 + 125℃
演示板可用
从系统负载隔离水晶
多谐振荡器
好处
3 X1
单芯片
低功耗
经过优化设计，可
系统负荷的重复使用而不管
X2
4
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25C
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟输入X1到X2输出
V
CC
= 1.8 V;
V
CC
= 2.5 V;
V
CC
= 2.7 V;
V
CC
= 3.3 V;
V
CC
= 5.0 V;
V
CC
= 1.8 V;
V
CC
= 2.5 V;
V
CC
= 2.7 V;
V
CC
= 3.3 V;
V
CC
= 5.0 V;
条件
C
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
C
L
= 30 pF的;
L
= 500
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
C
L
= 30 pF的;
L
= 500
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
L
= 50 pF的;
L
= 500
典型
2.1
1.7
2.5
2.1
1.6
4.1
2.9
3.0
2.8
2.3
5
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
t
PHL
/t
PLH
传播延迟输入X1到输出Y.
C
I
C
PD
输入电容
每个缓冲区的功率耗散电容
输出启用
74LVC1GX04
一个片上晶体振荡器驱动器
W W瓦特发E M I C 0 N D ü （C T） R 5 。 P H I L I P秒。 C 0米
在设计一个晶体振荡器，将C的值
1
和C
2
如图中
参考设计取决于所选择的水晶上。
1
是临界
启动到晶体性能和驱动电平。因为系统负载
设置在74LVC1GX04分离的内部缓冲器中，这些计算可以
可以对许多不同的系统负载进行一次。对于参考设计
所示，晶体负载电容（C
L
）应等于该电容
C
1
和C
2
并联除了任何杂散电容（C
s
)
C
1
和C
2
应该是相等的，设计人员可以使用下面的公式
计算值：
C
L
= (C
1
*C
2
) / (C
1
+C
2
) +C
s
其中：
C
L
是所指定的水晶制造商，C负载电容
s
为
该电路的寄生电容，它等于的输入电容
74LVC1GX04 5 pF左右。反馈电阻（R
f
）提供负反馈
并设置一个偏置点的无缓冲反相器。这个值不是关键
并且通常为1兆欧。
对于R的起始值
1
应等于C的电抗
2
在
晶振频率。 （R
1
= X
C2
)
这将导致在一个输入的轨50％至轨输出晶体
的X2 。这通常保持驱动电平放入光驱内的晶体
水晶但设计师的规格应该验证这一点。过驱动
晶体会造成损坏。
之后对于特定晶体，振荡器执行的计算
电路应进行测试。下面简单的检查将验证
原型设计一个晶体控制振荡器的：
测试过的最小 - 最大操作最坏情况条件下振荡
电压和temperature.You还可以模拟最坏情况下的晶体
变化通过增加串联和并联电阻。
确保当晶体被去除电路不振荡。
检查频率稳定在一个电压范围略大于
这是有可能发生的正常运行期间。
检查启动时间是系统要求之内。
订购信息
套餐
产品型号
温度。范围引脚封装材料编码标识
74LVC1GX04GW -40°至+ 125 C 6
SC-88
塑料SOT363
VX
74LVC1GX04GV -40°至+ 125 C 6
SC-74
塑料SOT457
VX4
评估板参考设计原理图
V
CC
TP1
测试点A
U1A
3
4
1
TP2
测试点B
U1B
Rf
1M
R1
330
6
1
74LVC1G04GW
CL
50P
RL
500
C3
0.1F
74LVC1G04GW
飞利浦半导体
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传达或暗示下，专利或其它工业或知识产权的任何许可。
发布日期： 2003年8月
文档顺序号： 9397 750 11958
X1
CL
22P
公民
HCM49
C2
22P
TP3
测试点C
www.semiconductors.philips.com/logic
发布时间美\u003cbr/\u003e国
飞利浦半导体
产品speci fi cation
X - TAL驱动程序
特点
宽电源电压范围从1.65至5.5 V
5 V容限输入和一个5 V的过压容限
断电输出。
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （2.7 3.6 V ） 。
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
SOT363和SOT457封装
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
描述
74LVC1GX04
该74LVC1GX04是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件和优越于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3或5 V设备。这
功能允许在使用该设备作为翻译
混合3.3和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
在输出Y的我
关闭
电路禁用
输出Y，防止破坏性电流回流
通过该装置，当它被断电。
该74LVC1GX04结合的功能
74LVC1GU04和74LVC1G04提供一种装置
在晶体振荡器的应用进行了优化。
这两个设备的融入74LVC1GX04
产生一个紧凑的优点，低功耗
耗散和稳定工作在很宽的范围内的
频率和温度。
2003年8月13日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
X - TAL驱动程序
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
参数
电源电压
输入电压
输出电压
注2
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
T
AMB
t
r
, t
f
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 2.7 V
V
CC
= 2.7 5.5 V
笔记
1.使用常规的晶体振荡器，建议的最低V
CC
应该是2.0V。
2.仅适用于输出Y.
0
0
40
0
0
注1
条件
0
分钟。
1.65
74LVC1GX04
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0
主动模式;注1和2
V
O
= 0至V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
2003年8月13日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
X - TAL驱动程序
特点
宽电源电压范围从1.65至5.5 V
5 V容限输入和一个5 V的过压容限
断电输出。
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （2.7 3.6 V ） 。
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
SOT363和SOT457封装
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
描述
74LVC1GX04
该74LVC1GX04是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件和优越于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3或5 V设备。这
功能允许在使用该设备作为翻译
混合3.3和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
在输出Y的我
关闭
电路禁用
输出Y，防止破坏性电流回流
通过该装置，当它被断电。
该74LVC1GX04结合的功能
74LVC1GU04和74LVC1G04提供一种装置
在晶体振荡器的应用进行了优化。
这两个设备的融入74LVC1GX04
产生一个紧凑的优点，低功耗
耗散和稳定工作在很宽的范围内的
频率和温度。
2003年8月13日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
X - TAL驱动程序
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
参数
电源电压
输入电压
输出电压
注2
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
T
AMB
t
r
, t
f
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 2.7 V
V
CC
= 2.7 5.5 V
笔记
1.使用常规的晶体振荡器，建议的最低V
CC
应该是2.0V。
2.仅适用于输出Y.
0
0
40
0
0
注1
条件
0
分钟。
1.65
74LVC1GX04
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0
主动模式;注1和2
V
O
= 0至V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
2003年8月13日
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QQ：2880707522 复制
