SN74LVC1GU04
单非门
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SCES215T - 1999年4月 - 修订2007年1月
特点
可以在德州仪器
NanoFree 封装
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
无缓冲输出
最大牛逼
pd
3.7 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
DBV包装
（ TOP VIEW ）
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
NC
A
GND
1
5
V
CC
NC
A
1
2
3
5
V
CC
NC
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
YZP包装
（底视图）
YZV包装
（底视图）
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
GND
A
2 3
1 4
Y
V
CC
请参见机械图纸尺寸。
NC - 无内部连接
DNU =不使用
描述/订购信息
这种单一的逆变器门是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1GU04包含一个逆变器的无缓冲输出，并执行布尔函数Y = A.
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有1999-2007 ，德州仪器
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订购信息
T
A
包
(1)
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP
（无铅）
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZV
（无铅）
-40 ° C至85°C
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
订购型号
SN74LVC1GU04YZPR
3000卷
SN74LVC1GU04YZVR
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
SN74LVC1GU04DBVR
SN74LVC1GU04DBVT
SN74LVC1GU04DCKR
SN74LVC1GU04DCKT
SN74LVC1GU04DRLR
TOP- SIDE
记号
(2)
_ _CD_
____
CD
CU4_
CD-
CD-
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
YZV ：实际的顶部端标记为两行。线1具有四个字符来表示年，月，日，和装配/测试位点。 2号线
有这表明家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
L
H
逻辑图（正逻辑）
DBV ， DCK ， DRL和YZP包装
A
2
4
Y
YZV包装
A
1
3
Y
2
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
等级
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
DRL包装
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
(2)
(2) (3)
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
-0.5 6.5
0.5 6.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
206
252
142
132
116
-65到150
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I
V
O
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
I
O
= –100
A
I
O
= 100
A
0
0
1.65
0.75
×
V
CC
0.25
×
V
CC
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号
SCBA004.
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
I
OH
= –100 A
I
OH
= -4毫安
V
OH
V
IL
= 0 V
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100 A
I
OL
= 4毫安
V
OL
V
IH
= V
CC
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
CC
C
i
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
= 5.5 V或GND ，
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C.
I
O
= 0
V
CC
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
1.65 V至5.5 V
3.3 V
7
民
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
10
A
A
pF
V
V
典型值
(1)
最大
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图1）
参数
t
pd
从
（输入）
A
TO
（输入）
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
民
1.3
最大
5
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
1
最大
4
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
1.1
最大
3.7
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
民
1
最大
3
ns
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
测试条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V
典型值
9
V
CC
= 2.5 V
典型值
11
V
CC
= 3.3 V
典型值
13
V
CC
= 5 V
典型值
27
单位
pF
4
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参数测量信息
V
负载
从输出
被测
C
L
（见注一）
R
L
R
L
S1
开放
GND
TEST
t
PLH
/t
PHL
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
V
负载
GND
负载电路
输入
V
CC
1.8 V
±
0.15 V
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
5 V
±
0.5 V
V
I
V
CC
V
CC
3V
V
CC
t
r
/t
f
2
ns
2
ns
2.5
ns
2.5
ns
V
M
V
CC
/2
V
CC
/2
1.5 V
V
CC
/2
V
负载
2 × V
CC
2 × V
CC
6V
2 × V
CC
C
L
30 pF的
30 pF的
50 pF的
50 pF的
R
L
1 KW
500
W
500
W
500
W
V
D
0.15 V
0.15 V
0.3 V
0.3 V
V
I
定时输入
t
W
V
I
输入
V
M
电压波形
脉冲持续时间
V
I
输入
t
PLH
产量
t
PHL
V
M
V
M
V
M
V
M
0V
t
PHL
V
OH
V
M
V
OL
t
PLH
V
OH
产量
V
M
V
OL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
产量
波形1
S1在V
负载
（见注B）
t
PZH
V
M
V
M
0V
电压波形
建立和保持时间
V
I
V
M
t
PZL
V
M
V
M
0V
t
PLZ
V
负载
/2
V
OL
+ V
D
t
PHZ
V
OH
– V
D
V
OH
0
V
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
V
OL
数据输入
t
su
V
M
t
h
V
I
V
M
0V
V
M
0V
产量
控制
注意事项： A.
L
包括探头和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高电平，除非输出控制禁止时。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
10兆赫，Z
O
= 50
W
.
D的输出被测量一次，每测量1过渡。
E.吨
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
F.吨
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
G·T
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
.
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
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特点
可以在德州仪器
NanoFree 封装
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
无缓冲输出
最大牛逼
pd
3.7 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
DBV包装
（ TOP VIEW ）
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
NC
A
GND
1
5
V
CC
NC
A
1
2
3
5
V
CC
NC
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
YZP包装
（底视图）
YZV包装
（底视图）
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
GND
A
2 3
1 4
Y
V
CC
请参见机械图纸尺寸。
NC - 无内部连接
DNU =不使用
描述/订购信息
这种单一的逆变器门是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1GU04包含一个逆变器的无缓冲输出，并执行布尔函数Y = A.
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有1999-2007 ，德州仪器
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订购信息
T
A
包
(1)
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP
（无铅）
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZV
（无铅）
-40 ° C至85°C
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
订购型号
SN74LVC1GU04YZPR
3000卷
SN74LVC1GU04YZVR
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
SN74LVC1GU04DBVR
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SN74LVC1GU04DCKR
SN74LVC1GU04DCKT
SN74LVC1GU04DRLR
TOP- SIDE
记号
(2)
_ _CD_
____
CD
CU4_
CD-
CD-
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
YZV ：实际的顶部端标记为两行。线1具有四个字符来表示年，月，日，和装配/测试位点。 2号线
有这表明家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
L
H
逻辑图（正逻辑）
DBV ， DCK ， DRL和YZP包装
A
2
4
Y
YZV包装
A
1
3
Y
2
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
等级
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
DRL包装
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
(2)
(2) (3)
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
-0.5 6.5
0.5 6.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
206
252
142
132
116
-65到150
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I
V
O
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
I
O
= –100
A
I
O
= 100
A
0
0
1.65
0.75
×
V
CC
0.25
×
V
CC
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号
SCBA004.
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
I
OH
= –100 A
I
OH
= -4毫安
V
OH
V
IL
= 0 V
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100 A
I
OL
= 4毫安
V
OL
V
IH
= V
CC
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
CC
C
i
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
= 5.5 V或GND ，
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C.
I
O
= 0
V
CC
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
1.65 V至5.5 V
3.3 V
7
民
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
10
A
A
pF
V
V
典型值
(1)
最大
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图1）
参数
t
pd
从
（输入）
A
TO
（输入）
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
民
1.3
最大
5
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
1
最大
4
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
1.1
最大
3.7
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
民
1
最大
3
ns
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
测试条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V
典型值
9
V
CC
= 2.5 V
典型值
11
V
CC
= 3.3 V
典型值
13
V
CC
= 5 V
典型值
27
单位
pF
4
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SCES215T - 1999年4月 - 修订2007年1月
参数测量信息
V
负载
从输出
被测
C
L
（见注一）
R
L
R
L
S1
开放
GND
TEST
t
PLH
/t
PHL
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
V
负载
GND
负载电路
输入
V
CC
1.8 V
±
0.15 V
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
5 V
±
0.5 V
V
I
V
CC
V
CC
3V
V
CC
t
r
/t
f
2
ns
2
ns
2.5
ns
2.5
ns
V
M
V
CC
/2
V
CC
/2
1.5 V
V
CC
/2
V
负载
2 × V
CC
2 × V
CC
6V
2 × V
CC
C
L
30 pF的
30 pF的
50 pF的
50 pF的
R
L
1 KW
500
W
500
W
500
W
V
D
0.15 V
0.15 V
0.3 V
0.3 V
V
I
定时输入
t
W
V
I
输入
V
M
电压波形
脉冲持续时间
V
I
输入
t
PLH
产量
t
PHL
V
M
V
M
V
M
V
M
0V
t
PHL
V
OH
V
M
V
OL
t
PLH
V
OH
产量
V
M
V
OL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
产量
波形1
S1在V
负载
（见注B）
t
PZH
V
M
V
M
0V
电压波形
建立和保持时间
V
I
V
M
t
PZL
V
M
V
M
0V
t
PLZ
V
负载
/2
V
OL
+ V
D
t
PHZ
V
OH
– V
D
V
OH
0
V
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
V
OL
数据输入
t
su
V
M
t
h
V
I
V
M
0V
V
M
0V
产量
控制
注意事项： A.
L
包括探头和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高电平，除非输出控制禁止时。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
10兆赫，Z
O
= 50
W
.
D的输出被测量一次，每测量1过渡。
E.吨
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
F.吨
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
G·T
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
.
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
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5
SN74LVC1GU04
单非门
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SCES215T - 1999年4月 - 修订2007年1月
特点
可以在德州仪器
NanoFree 封装
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
无缓冲输出
最大牛逼
pd
3.7 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
DBV包装
（ TOP VIEW ）
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
NC
A
GND
1
5
V
CC
NC
A
1
2
3
5
V
CC
NC
A
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
YZP包装
（底视图）
YZV包装
（底视图）
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
GND
A
2 3
1 4
Y
V
CC
请参见机械图纸尺寸。
NC - 无内部连接
DNU =不使用
描述/订购信息
这种单一的逆变器门是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1GU04包含一个逆变器的无缓冲输出，并执行布尔函数Y = A.
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有1999-2007 ，德州仪器
SN74LVC1GU04
单非门
SCES215T - 1999年4月 - 修订2007年1月
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订购信息
T
A
包
(1)
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP
（无铅）
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZV
（无铅）
-40 ° C至85°C
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
订购型号
SN74LVC1GU04YZPR
3000卷
SN74LVC1GU04YZVR
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
SN74LVC1GU04DBVR
SN74LVC1GU04DBVT
SN74LVC1GU04DCKR
SN74LVC1GU04DCKT
SN74LVC1GU04DRLR
TOP- SIDE
记号
(2)
_ _CD_
____
CD
CU4_
CD-
CD-
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
YZV ：实际的顶部端标记为两行。线1具有四个字符来表示年，月，日，和装配/测试位点。 2号线
有这表明家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
L
H
逻辑图（正逻辑）
DBV ， DCK ， DRL和YZP包装
A
2
4
Y
YZV包装
A
1
3
Y
2
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单非门
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
等级
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
DRL包装
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
(2)
(2) (3)
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
-0.5 6.5
0.5 6.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
206
252
142
132
116
-65到150
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I
V
O
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
I
O
= –100
A
I
O
= 100
A
0
0
1.65
0.75
×
V
CC
0.25
×
V
CC
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号
SCBA004.
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
I
OH
= –100 A
I
OH
= -4毫安
V
OH
V
IL
= 0 V
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100 A
I
OL
= 4毫安
V
OL
V
IH
= V
CC
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
CC
C
i
(1)
A输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
= 5.5 V或GND ，
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C.
I
O
= 0
V
CC
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
1.65 V至5.5 V
3.3 V
7
民
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
10
A
A
pF
V
V
典型值
(1)
最大
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图1）
参数
t
pd
从
（输入）
A
TO
（输入）
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
民
1.3
最大
5
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
1
最大
4
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
1.1
最大
3.7
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
民
1
最大
3
ns
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
测试条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V
典型值
9
V
CC
= 2.5 V
典型值
11
V
CC
= 3.3 V
典型值
13
V
CC
= 5 V
典型值
27
单位
pF
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参数测量信息
V
负载
从输出
被测
C
L
（见注一）
R
L
R
L
S1
开放
GND
TEST
t
PLH
/t
PHL
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
V
负载
GND
负载电路
输入
V
CC
1.8 V
±
0.15 V
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
5 V
±
0.5 V
V
I
V
CC
V
CC
3V
V
CC
t
r
/t
f
2
ns
2
ns
2.5
ns
2.5
ns
V
M
V
CC
/2
V
CC
/2
1.5 V
V
CC
/2
V
负载
2 × V
CC
2 × V
CC
6V
2 × V
CC
C
L
30 pF的
30 pF的
50 pF的
50 pF的
R
L
1 KW
500
W
500
W
500
W
V
D
0.15 V
0.15 V
0.3 V
0.3 V
V
I
定时输入
t
W
V
I
输入
V
M
电压波形
脉冲持续时间
V
I
输入
t
PLH
产量
t
PHL
V
M
V
M
V
M
V
M
0V
t
PHL
V
OH
V
M
V
OL
t
PLH
V
OH
产量
V
M
V
OL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
产量
波形1
S1在V
负载
（见注B）
t
PZH
V
M
V
M
0V
电压波形
建立和保持时间
V
I
V
M
t
PZL
V
M
V
M
0V
t
PLZ
V
负载
/2
V
OL
+ V
D
t
PHZ
V
OH
– V
D
V
OH
0
V
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
V
OL
数据输入
t
su
V
M
t
h
V
I
V
M
0V
V
M
0V
产量
控制
注意事项： A.
L
包括探头和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高电平，除非输出控制禁止时。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
10兆赫，Z
O
= 50
W
.
D的输出被测量一次，每测量1过渡。
E.吨
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
F.吨
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
G·T
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
.
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
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