飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入异或门
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟输入A和B
输出y
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每个功率耗散电容
卜FF器
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC1G86
该74LVC1G86是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
这些特性允许使用这些设备中的混合
3.3 V和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC1G86提供二输入异或
功能。
典型
3.7
2.5
2.8
2.3
1.9
5
25
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
单位
2004年9月8日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入异或门
74LVC1G86
86
1
2
5
B
1
6
V
CC
B
A
V
CC
86
4
001aab664
A
2
5
北卡罗来纳州
GND
3
Y
GND
3
4
Y
001aab665
透明的顶视图
Fig.1引脚配置SC -88A和SC- 74A 。
图2引脚配置XSON6 。
手册， halfpage
1
2
B
A
Y
手册， halfpage
4
1
2
=1
MNA039
4
MNA038
图3逻辑符号。
图4 IEE / IEC逻辑符号。
2004年9月8日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入异或门
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟输入A和B
输出y
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每个功率耗散电容
卜FF器
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC1G86
该74LVC1G86是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
这些特性允许使用这些设备中的混合
3.3 V和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC1G86提供二输入异或
功能。
典型
3.7
2.5
2.8
2.3
1.9
5
25
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
单位
2004年9月8日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入异或门
74LVC1G86
86
1
2
5
B
1
6
V
CC
B
A
V
CC
86
4
001aab664
A
2
5
北卡罗来纳州
GND
3
Y
GND
3
4
Y
001aab665
透明的顶视图
Fig.1引脚配置SC -88A和SC- 74A 。
图2引脚配置XSON6 。
手册， halfpage
1
2
B
A
Y
手册， halfpage
4
1
2
=1
MNA039
4
MNA038
图3逻辑符号。
图4 IEE / IEC逻辑符号。
2004年9月8日
4
74LVC1G86
2输入异或门
牧师06 - 2007年7月18日
产品数据表
1.概述
该74LVC1G86提供二输入异或函数。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。这些功能允许使用
这些器件在混合3.3 V和5 V环境。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过
设备时，它被断电。
2.特点
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准：
x
JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
x
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
x
JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
s
ESD保护：
x
HBM JESD22- A114E超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
s
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
s
CMOS低功耗
s
闭锁性能超过250毫安
s
直接接口与TTL电平
s
输入接收电压高达5 V
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74LVC1G86
2输入异或门
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC1G86
74LVC1G86
B
A
1
2
GND
GND
3
001aaf186
B
5
V
CC
1
6
V
CC
B
A
74LVC1G86
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
A
2
5
北卡罗来纳州
3
4
Y
GND
4
Y
001aaf187
001aaf259
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT353-1
和SOT753
图5.引脚CON组fi guration SOT886
图6.引脚CON组fi guration SOT891
6.2引脚说明
表3中。
符号
B
A
GND
Y
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
针
SOT353-1/SOT753
1
2
3
4
-
5
SOT886/SOT891
1
2
3
4
5
6
数据输入
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
没有连接
电源电压
描述
7.功能描述
表4 。
输入
A
L
L
H
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
B
L
H
L
H
Y
L
H
H
L
74LVC1G86_6
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
74LVC1G86
2输入异或门
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
+100
-
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
对于TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
民
1.65
0
0
0
40
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
74LVC1G86_6
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2007年7月18日
4 14
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