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74LVC1G80
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
牧师08 - 2007年8月29日
产品数据表
1.概述
该74LVC1G80提供了一个单一的正边沿触发的D型佛罗里达州的ip-佛罗里达州运算。
对输入的数据信息传送到Q输出端上的低到高的跳变
的时钟脉冲。输入针D必须是稳定的一个建立时间之前
低到高的可预测的操作时钟过渡。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这种
器件在混合3.3 V和5 V环境。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,防止损坏背溢流电流通过设备
当它被断电。
2.特点
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准:
x
JESD8-7 ( 1.65 V至1.95 V)
x
JESD8-5 ( 2.3 V至2.7 V )
x
JESD8B / JESD36 ( 2.7 V至3.6 V )
s
±24
mA输出驱动(V
CC
= 3.0 V)
s
CMOS低功耗
s
闭锁性能超过250毫安
s
直接接口与TTL电平
s
输入接收电压高达5 V
s
多种封装选择
s
ESD保护:
x
HBM JESD22- A114E超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
s
从特定网络版
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74LVC1G80
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74LVC1G80GW
74LVC1G80GV
74LVC1G80GM
74LVC1G80GF
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
SC-74A
XSON6
XSON6
描述
塑料薄小外形封装;
5线索;体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
塑料非常薄小外形封装;
没有线索; 6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;
没有线索; 6终端;体1
×
1
×
0.5 mm
VERSION
SOT353-1
SOT753
SOT886
SOT891
类型编号
4.标记
表2中。
标记代码
记号
VT
V80
VT
VT
类型编号
74LVC1G80GW
74LVC1G80GV
74LVC1G80GM
74LVC1G80GF
5.功能图
1
D
Q
4
1
2
CP
mna649
D
CP
001aac523
4
2
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
74LVC1G80_8
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2007年8月29日
2 16
恩智浦半导体
74LVC1G80
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
CP
C
C
C
C
D
TG
C
TG
C
Q
C
C
TG
TG
C
C
mna651
图3.逻辑图
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC1G80
74LVC1G80
D
CP
1
2
GND
GND
3
001aab662
D
5
V
CC
1
6
V
CC
D
CP
74LVC1G80
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Q
CP
2
5
北卡罗来纳州
3
4
Q
GND
4
Q
001aab663
001aaf535
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT353-1
和SOT753
图5.引脚CON组fi guration SOT886
图6.引脚CON组fi guration SOT891
6.2引脚说明
表3中。
符号
D
CP
GND
Q
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
SOT353-1/SOT753
1
2
3
4
-
5
SOT886/SOT891
1
2
3
4
5
6
数据输入
数据脉冲输入
接地( 0 V )
数据输出
没有连接
电源电压
描述
74LVC1G80_8
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恩智浦半导体
74LVC1G80
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
7.功能描述
表4 。
输入
CP
L
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
=低到高CP的过渡;
X =不关心;
Q =小写字母代表参考输入的状态下,一个建立时间之前的低到高的CP的过渡。
功能表
[1]
产量
D
L
H
X
Q
H
L
q
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
& LT ; 0 V
[1]
0.5
50
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
100
-
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
& GT ; V
CC
或V
O
& LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V(掉电模式)时,输出电压可以是5.5 V,在正常的操作。
对于TSSOP5和SC - 74A封装: 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包: 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74LVC1G80_8
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恩智浦半导体
74LVC1G80
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
1.65
0
0
0
40
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐的工作条件。电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
OH
高电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
关闭
输入漏电流
关机漏电流
V
I
= 5.5 V或GND ; V
CC
= 0 V至5.5 V
V
CC
= 0 V; V
I
或V
O
= 5.5 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
0.1
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
0.65
×
V
CC
1.7
2.0
0.7
×
V
CC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.35
×
V
CC
0.7
0.8
0.3
×
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
V
条件
典型值
[1]
最大
单位
74LVC1G80_8
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