飞利浦半导体
产品speci fi cation
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟CP到Q
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC.
2004年09月10日
2
最大频率
输入电容
功率耗散电容
每个缓冲区
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
描述
74LVC1G79
该74LVC1G79是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
此功能允许在混合使用这种装置的
3.3 V和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC1G79提供单个正边沿触发的
D型触发器。
对输入的数据信息传送到Q输出端
在时钟脉冲的低电平到高电平跳变。
D输入端必须先于稳定一个建立时间
低到高的可预测的操作时钟过渡。
典型
3.6
2.3
2.6
2.2
1.7
450
5
17
ns
ns
ns
ns
ns
单位
兆赫
pF
pF
飞利浦半导体
产品speci fi cation
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
功能表
见注1 。
输入
CP
↑
↑
L
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
↑
=低到高CP的过渡;
X =不关心;
D
L
H
X
74LVC1G79
产量
Q
L
H
q
Q =小写字母代表参考输入的状态下，一个建立时间之前的低到高的CP的过渡。
订购信息
包
类型编号
74LVC1G79GW
74LVC1G79GV
74LVC1G79GM
钉扎
引脚SC- 88A ; SC- 74A
1
2
3
4
-
5
PIN码XSON6
1
2
3
4
5
6
符号
D
CP
GND
Q
北卡罗来纳州
V
CC
数据输入端D
时钟脉冲输入CP
接地（ 0 V ）
数据输出Q
没有连接
电源电压
描述
温度
范围
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
引脚
5
5
6
包
SC-88A
SC-74A
XSON6
材料
塑料
塑料
塑料
CODE
SOT353
SOT753
SOT886
记号
VP
V79
VP
2004年09月10日
3
74LVC1G79
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
牧师07 - 2007年8月29日
产品数据表
1.概述
该74LVC1G79提供了一个单一的正边沿触发的D型佛罗里达州的ip-佛罗里达州运算。
对输入的数据信息传送到Q输出端上的低到高的跳变
的时钟脉冲。在D输入端必须在一设定时间之前是稳定的低到高
时钟转换为可预见的操作。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这种
器件在混合3.3 V和5 V环境。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过设备
当它被断电。
2.特点
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准：
x
JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
x
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
x
JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
s
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
s
CMOS低功耗
s
闭锁性能超过250毫安
s
直接接口与TTL电平
s
输入接收电压高达5 V
s
多种封装选择
s
ESD保护：
x
HBM JESD22- A114E超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
s
从特定网络版
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74LVC1G79
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
CP
C
C
C
C
D
TG
C
TG
C
Q
C
C
TG
TG
C
C
mna442
图3.逻辑图
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC1G79
74LVC1G79
D
D
CP
1
2
GND
3
4
Q
5
V
CC
CP
2
5
北卡罗来纳州
D
CP
4
001aaf188
1
6
V
CC
74LVC1G79
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Q
GND
3
Q
GND
001aaf189
001aaf410
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT353-1
和SOT753
图5.引脚CON组fi guration SOT886
图6.引脚CON组fi guration SOT891
6.2引脚说明
表3中。
符号
D
CP
GND
Q
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
针
SOT353-1/SOT753
1
2
3
4
-
5
SOT886/SOT891
1
2
3
4
5
6
数据输入
数据脉冲输入
接地（ 0 V ）
数据输出
没有连接
电源电压
描述
74LVC1G79_7
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2007年8月29日
3 16
恩智浦半导体
74LVC1G79
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
7.功能描述
表4 。
输入
CP
↑
↑
L
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
↑
=低到高CP的过渡;
X =不关心;
Q =小写字母代表参考输入的状态下，一个建立时间之前的低到高的CP的过渡。
功能表
[1]
产量
D
L
H
X
Q
L
H
q
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
100
-
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
对于TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74LVC1G79_7
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2007年8月29日
4 16
飞利浦半导体
产品speci fi cation
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟CP到Q
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC.
2004年09月10日
2
最大频率
输入电容
功率耗散电容
每个缓冲区
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
描述
74LVC1G79
该74LVC1G79是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
此功能允许在混合使用这种装置的
3.3 V和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC1G79提供单个正边沿触发的
D型触发器。
对输入的数据信息传送到Q输出端
在时钟脉冲的低电平到高电平跳变。
D输入端必须先于稳定一个建立时间
低到高的可预测的操作时钟过渡。
典型
3.6
2.3
2.6
2.2
1.7
450
5
17
ns
ns
ns
ns
ns
单位
兆赫
pF
pF
飞利浦半导体
产品speci fi cation
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
功能表
见注1 。
输入
CP
↑
↑
L
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
↑
=低到高CP的过渡;
X =不关心;
D
L
H
X
74LVC1G79
产量
Q
L
H
q
Q =小写字母代表参考输入的状态下，一个建立时间之前的低到高的CP的过渡。
订购信息
包
类型编号
74LVC1G79GW
74LVC1G79GV
74LVC1G79GM
钉扎
引脚SC- 88A ; SC- 74A
1
2
3
4
-
5
PIN码XSON6
1
2
3
4
5
6
符号
D
CP
GND
Q
北卡罗来纳州
V
CC
数据输入端D
时钟脉冲输入CP
接地（ 0 V ）
数据输出Q
没有连接
电源电压
描述
温度
范围
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
引脚
5
5
6
包
SC-88A
SC-74A
XSON6
材料
塑料
塑料
塑料
CODE
SOT353
SOT753
SOT886
记号
VP
V79
VP
2004年09月10日
3
QQ：2881677436 复制
