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74LVC1G332
单3输入或门
牧师02 - 2007年7月19日
产品数据表
1.概述
该74LVC1G332提供了一个3输入或功能。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这些
设备中混合3.3 V和5 V应用翻译。
在所有输入施密特触发器动作使得输入速度较慢的上升和下降的电路宽容
时间。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出,防止损坏背溢流电流通过
设备时,它被断电。
2.特点
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准:
x
JESD8-7 ( 1.65 V至1.95 V)
x
JESD8-5 ( 2.3 V至2.7 V )
x
JESD8B / JESD36 ( 2.7 V至3.6 V )
s
±24
mA输出驱动(V
CC
= 3.0 V)
s
CMOS低功耗
s
闭锁性能超过250毫安
s
直接接口与TTL电平
s
输入接收电压高达5 V
s
ESD保护:
x
HBM JESD22- A114E超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM JESD22 - C101 - C超过1000 V
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74LVC1G332
单3输入或门
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度
范围
74LVC1G332GW
74LVC1G332GV
74LVC1G332GM
74LVC1G332GF
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
SC-88
SC-74
XSON6
XSON6
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装( TSOP6 ) ; 6引线
VERSION
SOT363
SOT457
类型编号
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT886
6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT891
6终端;体1
×
1
×
0.5 mm
4.标记
表2中。
记号
标识代码
YG
YG
YG
YG
类型编号
74LVC1G332GW
74LVC1G332GV
74LVC1G332GM
74LVC1G332GF
5.功能图
B
3
1
6
B
A
C
001aad933
Y
4
1
3
6
1
4
A
C
Y
001aad934
001aad935
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图
74LVC1G332_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
74LVC1G332
单3输入或门
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC1G332
74LVC1G332
A
GND
1
2
6
5
C
GND
V
CC
B
B
3
001aaf473
A
1
6
C
A
GND
74LVC1G332
1
2
3
6
5
4
C
V
CC
Y
2
5
V
CC
3
4
Y
B
4
Y
001aaf474
001aaf475
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT363
( SC - 88)和SOT457 ( SC- 74 )
图5.引脚CON组fi guration SOT886
(XSON6)
图6.引脚CON组fi guration SOT891
(XSON6)
6.2引脚说明
表3中。
符号
A
GND
B
Y
V
CC
C
引脚说明
1
2
3
4
5
6
描述
数据输入
接地( 0 V )
数据输入
数据输出
电源电压
数据输入
7.功能描述
表4 。
输入
A
H
X
X
L
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不在乎。
功能表
[1]
产量
B
X
H
X
L
C
X
X
H
L
Y
H
H
H
L
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3 14
恩智浦半导体
74LVC1G332
单3输入或门
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
& LT ; 0 V
[1]
0.5
50
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
100
-
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
& GT ; V
CC
或V
O
& LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V(掉电模式)时,输出电压可以是5.5 V,在正常的操作。
对于SC- 88封装: 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包: 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降速度V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
1.65
0
0
0
40
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
74LVC1G332_2
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恩智浦半导体
74LVC1G332
单3输入或门
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐的工作条件。电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
V
IH
高位
输入电压
条件
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
OH
高位
输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平
输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
关闭
输入漏
当前
断电
泄漏
当前
V
CC
= 0 V至5.5 V ;
V
I
= 5.5 V或GND
V
CC
= 0 V; V
I
或V
O
= 5.5 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.70
0.45
0.60
0.80
0.80
±100
±200
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
0.1
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
CC
0.1
0.95
1.7
1.9
2.0
3.4
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
40 °C
+85
°C
0.65V
CC
1.7
2.0
0.7V
CC
-
-
-
-
典型值
[1]
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
0.35V
CC
0.7
0.8
0.3V
CC
40 °C
+125
°C
0.65V
CC
1.7
2.0
0.7V
CC
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
0.7
0.8
0.3V
CC
V
V
V
V
V
V
V
单位
0.35V
CC
V
I
CC
I
CC
C
I
电源电流V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A
另外
每个引脚; V
CC
= 2.3 V至5.5 V ;
电源电流V
I
= V
CC
0.6 V ;我
O
= 0 A
输入
电容
V
CC
= 3.3 V; V
I
= GND到
V
CC
-
-
-
0.1
5
3
10
500
-
-
-
-
200
5000
-
A
A
pF
[1]
所有典型值是在V测
CC
= 3.3 V和T
AMB
= 25
°C.
74LVC1G332_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2007年7月19日
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74LVC1G332
单3输入或门
牧师01 - 2006年10月11日
产品数据表
1.概述
该74LVC1G332是一个高性能,低功耗,低电压,硅栅CMOS器件,
优于最先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这些
设备中混合3.3 V和5 V应用翻译。
在所有输入施密特触发器动作使得输入速度较慢的上升和下降的电路宽容
时间。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出,防止损坏背溢流电流通过
设备时,它被断电。
该74LVC1G332提供了一个3输入或功能。
2.特点
I
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
I
高噪声抗扰度
I
符合JEDEC标准:
N
JESD8-7 ( 1.65 V至1.95 V)
N
JESD8-5 ( 2.3 V至2.7 V )
N
JESD8B / JESD36 ( 2.7 V至3.6 V )
I
±24
mA输出驱动(V
CC
= 3.0 V)
I
CMOS低功耗
I
闭锁性能超过250毫安
I
直接接口与TTL电平
I
输入接收电压高达5 V
I
ESD保护:
N
HBM JESD22 - A114 - D超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22 - C101 - C超过1000 V
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74LVC1G332
单3输入或门
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度
范围
74LVC1G332GW
74LVC1G332GV
74LVC1G332GM
74LVC1G332GF
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
SC-88
SC-74
XSON6
XSON6
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装( TSOP6 ) ; 6引线
VERSION
SOT363
SOT457
类型编号
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT886
6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT891
6终端;体1
×
1
×
0.5 mm
4.标记
表2中。
记号
标识代码
YG
YG
YG
YG
类型编号
74LVC1G332GW
74LVC1G332GV
74LVC1G332GM
74LVC1G332GF
5.功能图
B
3
1
6
B
A
C
001aad933
Y
4
1
3
6
1
4
A
C
Y
001aad934
001aad935
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图
74LVC1G332_1
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2006年10月11日
2 15
恩智浦半导体
74LVC1G332
单3输入或门
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC1G332
74LVC1G332
A
GND
1
2
6
5
C
GND
V
CC
B
B
3
001aaf473
A
1
6
C
A
GND
74LVC1G332
1
2
3
6
5
4
C
V
CC
Y
2
5
V
CC
3
4
Y
B
4
Y
001aaf474
001aaf475
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT363
( SC - 88)和SOT457 ( SC- 74 )
图5.引脚CON组fi guration SOT886
(XSON6)
图6.引脚CON组fi guration SOT891
(XSON6)
6.2引脚说明
表3中。
符号
A
GND
B
Y
V
CC
C
引脚说明
1
2
3
4
5
6
描述
数据输入A
接地( 0 V )
数据输入B
数据输出Y.
电源电压
数据输入的C
7.功能描述
表4 。
输入
A
H
X
X
L
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不在乎。
功能表
[1]
产量
B
X
H
X
L
C
X
X
H
L
Y
H
H
H
L
74LVC1G332_1
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2006年10月11日
3 15
恩智浦半导体
74LVC1G332
单3输入或门
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
& LT ; 0 V
[1]
0.5
-
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
50
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
100
100
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
& GT ; V
CC
或V
O
& LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
-
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V(掉电模式)时,输出电压可以是5.5 V,在正常的操作。
对于SC- 88封装: 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包: 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降速度V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
1.65
0
0
0
40
0
0
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
74LVC1G332_1
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
74LVC1G332
单3输入或门
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐的工作条件。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
IH
参数
高电平输入电压
条件
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
OH
高电平输出电压V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
100 A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
8
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
12
毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
=
24
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
32
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
I
O
= 4毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 8毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 2.7 V
I
O
= 24毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 32毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
关闭
I
CC
I
CC
C
I
V
IH
输入漏电流
电源电流
额外的电源电流
输入电容
高电平输入电压
V
CC
= 0 V至5.5 V ; V
I
= 5.5 V或GND
V
CC
= 1.65 V至5.5 V ;
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A
每个引脚; V
CC
= 2.3 V至5.5 V ;
V
I
= V
CC
0.6 V ;我
O
= 0 A
V
CC
= 3.3 V; V
I
= GND到V
CC
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
74LVC1G332_1
0.65
×
V
CC
1.7
2.0
0.7
×
V
CC
-
-
-
-
V
CC
0.1
1.2
1.9
2.2
2.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.65
×
V
CC
1.7
2.0
0.7
×
V
CC
-
-
-
-
典型值
[1]
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
0.1
5
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.35
×
V
CC
0.7
0.8
0.3
×
V
CC
-
-
-
-
-
-
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
500
-
-
-
-
-
0.35
×
V
CC
0.7
0.8
0.3
×
V
CC
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
pF
V
V
V
V
V
V
V
V
5 15
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
关机漏电流V
CC
= 0 V; V
I
或V
O
= 5.5 V
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
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牧师01 - 2006年10月11日
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