飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 -OF- 2非反相与解复用器
三态输出取消
特点
宽电源电压范围从1.65至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （2.7 3.6 V ） 。
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
SOT363和SOT457封装
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟输入A输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每门功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC1G18
该74LVC1G18是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3或5 V设备。这些
特征允许这些设备的使用中的混合
3.3和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC1G18是1-为2的非反相多路分解器
与3态输出。该74LVC1G18缓冲器中的数据
输入引脚A和传递，要么输出1Y和2Y ，
这取决于选择输入（引脚S）的状态
是低还是高。
典型
5.1
3.2
3.2
3.0
2.3
2.5
28.8
ns
ns
ns
ns
ns
单位
pF
pF
2003年07月25
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 -OF- 2非反相与解复用器
三态输出取消
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
参数
电源电压
输入电压
输出电压
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电或
高阻抗状态
T
AMB
t
r
, t
f
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 2.7 V
V
CC
= 2.7 5.5 V
条件
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
74LVC1G18
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0
主动模式;注1和2
V
O
= 0至V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
2003年07月25
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 -OF- 2非反相与解复用器
三态输出取消
特点
宽电源电压范围从1.65至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （2.7 3.6 V ） 。
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
SOT363和SOT457封装
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟输入A输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每门功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC1G18
该74LVC1G18是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3或5 V设备。这些
特征允许这些设备的使用中的混合
3.3和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC1G18是1-为2的非反相多路分解器
与3态输出。该74LVC1G18缓冲器中的数据
输入引脚A和传递，要么输出1Y和2Y ，
这取决于选择输入（引脚S）的状态
是低还是高。
典型
5.1
3.2
3.2
3.0
2.3
2.5
28.8
ns
ns
ns
ns
ns
单位
pF
pF
2003年07月25
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 -OF- 2非反相与解复用器
三态输出取消
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
参数
电源电压
输入电压
输出电压
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电或
高阻抗状态
T
AMB
t
r
, t
f
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 2.7 V
V
CC
= 2.7 5.5 V
条件
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
74LVC1G18
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0
主动模式;注1和2
V
O
= 0至V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
2003年07月25
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 -OF- 2非反相与解复用器
三态输出取消
特点
宽电源电压范围从1.65至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （2.7 3.6 V ） 。
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
SOT363和SOT457封装
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟输入A输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每门功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC1G18
该74LVC1G18是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3或5 V设备。这些
特征允许这些设备的使用中的混合
3.3和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC1G18是1-为2的非反相多路分解器
与3态输出。该74LVC1G18缓冲器中的数据
输入引脚A和传递，要么输出1Y和2Y ，
这取决于选择输入（引脚S）的状态
是低还是高。
典型
5.1
3.2
3.2
3.0
2.3
2.5
28.8
ns
ns
ns
ns
ns
单位
pF
pF
2003年07月25
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 -OF- 2非反相与解复用器
三态输出取消
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
参数
电源电压
输入电压
输出电压
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电或
高阻抗状态
T
AMB
t
r
, t
f
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 2.7 V
V
CC
= 2.7 5.5 V
条件
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
74LVC1G18
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0
主动模式;注1和2
V
O
= 0至V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
2003年07月25
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 -OF- 2非反相与解复用器
三态输出取消
特点
宽电源电压范围从1.65至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （2.7 3.6 V ） 。
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
SOT363和SOT457封装
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟输入A输出NY
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每门功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC1G18
该74LVC1G18是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3或5 V设备。这些
特征允许这些设备的使用中的混合
3.3和5 V环境。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC1G18是1-为2的非反相多路分解器
与3态输出。该74LVC1G18缓冲器中的数据
输入引脚A和传递，要么输出1Y和2Y ，
这取决于选择输入（引脚S）的状态
是低还是高。
典型
5.1
3.2
3.2
3.0
2.3
2.5
28.8
ns
ns
ns
ns
ns
单位
pF
pF
2003年07月25
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 -OF- 2非反相与解复用器
三态输出取消
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
参数
电源电压
输入电压
输出电压
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电或
高阻抗状态
T
AMB
t
r
, t
f
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 2.7 V
V
CC
= 2.7 5.5 V
条件
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
74LVC1G18
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C
V
I
＆ LT ; 0
注1
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0
主动模式;注1和2
V
O
= 0至V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
300
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
2003年07月25
4
74LVC1G18
1 -OF- 2非反相信号分离器与三态取消
产量
牧师02 - 2007年8月30日
产品数据表
1.概述
该74LVC1G18是1的- 2非反相信号分离器具有三态输出。该装置
缓冲输入引脚上的数据，并将其要么传递给输出1Y和2Y ，根据
无论选择输入（引脚S）的状态是低还是高。输入可以驱动
无论是3.3或5 V设备。这些特性允许使用这些设备中的混合
3.3和5 V环境。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过设备
当它被断电。
2.特点
I
I
I
I
宽电源电压范围从1.65至5.5 V
5 V容限输入/输出5 V逻辑接口
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
N
JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
N
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
N
JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
ESD保护：
N
HBM EIA / JESD22- A114E超过2000伏
N
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
SOT363和SOT457封装
从特定网络版
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
I
I
I
I
I
I
I
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74LVC1G18GW
74LVC1G18GV
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
SC-88
SC-74
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装（ TSOP6 ） ; 5线索
VERSION
SOT363
SOT457
类型编号
恩智浦半导体
74LVC1G18
1 -OF- 2非反相信号分离器具有三态输出取消
7.功能描述
表4 。
输入
S
L
L
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
A
L
H
L
H
1Y
L
H
Z
Z
2Y
Z
Z
L
H
H =高电压电平; L =低电压电平; Z =高阻关断状态
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
V
CC
+ 0.5
+6.5
±50
100
-
+150
300
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V（掉电模式）时，输出电压可以是5.5 V，在正常的操作。
对于SC- 74和SC- 88封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
民
1.65
0
0
0
40
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
单位
V
V
V
O
V
O
°C
NS / V
NS / V
74LVC1G18_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2007年8月30日
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