74LVC125A
翻两番三态缓冲器
描述
该74LVC125A提供了四个独立的缓冲器，三态
输出。每个输出由一个相关的独立控制
输出使能引脚（ OE ），这将器件置于高
当驱动高阻抗状态。该设备是专为
操作1.65V的电源电压范围为5.5V 。该输入是
耐受5.5V ，允许该设备在混合电压被使用
环境。
该设备是用于局部断电完全指定
该IOFF电路关闭输出
引脚分配
使用IOFF应用。
防止破坏性的电流回流时，该设备是有源
下来。
特点
电源电压范围从1.65V到5.5V
汇24毫安在Vcc = 3.3V
CMOS低功耗
IOFF支持部分掉电模式操作
输入或输出接受高达5.5V
输入可以由3.3V或5.5V的允许电压驱动
翻译应用。
ESD保护超过JESD 22
200 -V机型号（ A115 -A ）
2000 -V人体模型（ A114 -A ）
超过1000 -V带电器件模型（ C101C ）
闭锁超过每JESD 78 ， II类250毫安
封装选择范围SO- 14和TSSOP -14
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
注意事项：
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于Diodes公司的免费锑， "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
应用
电压电平转换
通用逻辑
关机信号隔离
的产品，如各种各样的：
电脑，网络，笔记本，超级本，上网本
电脑外设，硬盘驱动器， CD / DVD-ROM
电视， DVD ， DVR ，机顶盒
74LVC125A
文件编号： DS35265修订版3 - 2
1 10
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2012年7月
Diodes公司
74LVC125A
绝对最大额定值
（注4 ） （ @T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
ESD HBM
防静电清洁发展机制
ESD MM
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
,
,
I
GND
T
J
T
英镑
P
合计
注意：
描述
人体模型ESD保护
带电器件模型ESD保护
机器模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
施加电压输出高阻抗或I
关闭
状态
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
V
I
<0
V
O
<0
等级
2
1
200
-0.5 6.5
-0.5 6.5
-0.5 6.5
-0.3到V
CC
+0.5
-50
-50
±50
±100
-40到+150
-65到+150
500
单位
KV
KV
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
mW
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
工作结温
储存温度
总功耗
4.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
是在推荐值。
推荐工作条件
（注5）（ @T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
V
CC
V
I
V
O
ΔT/ ΔV
T
A
注意：
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
主动模式
条件
民
1.65
0
0
0
最大
5.50
5.5
V
CC
5.5
20
10
单位
V
V
V
V
NS / V
°C
VCC = 0V ;掉电模式
V
CC
= 1.65V到2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
-40
+125
5.未使用的输入应在V举行
CC
或地面。
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74LVC125A
开关特性
从
To
参数
（ INPUT） （ OUTPUT）
测试条件
SEE
图1
V
CC
= 1.8V
± 0.15V
V
CC
= 2.5V
t
pd
A
Y
± 0.2V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.3V
± 0.3V
V
CC
= 1.8V
± 0.15V
V
CC
= 2.5V
t
en
T
A
= +25°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
-40 ° C至+ 85°C
最大
11.8
5.8
5.3
4.6
13.8
6.6
6.4
5.2
10.6
5.1
4.8
4.4
1.0
-40°C至+ 125°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
典型值
4.5
2.7
3.0
2.5
4.3
2.7
3.3
2.4
4.3
2.2
2.5
2.4
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
12.3
6.3
5.5
4.8
14.3
7.4
6.6
5.4
11.1
5.6
5.0
4.6
1.0
最大
13.8
8.4
7.0
6.0
15.8
9.5
8.5
7.0
12.6
7.7
6.5
6.0
1.5
单位
ns
OE
Y
± 0.2V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.3V
± 0.3V
V
CC
= 1.8V
± 0.15V
V
CC
= 2.5V
ns
t
DIS
OE
Y
± 0.2V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.3V
± 0.3V
V
CC
= 3.3V
± 0.3V
ns
t
SK(0)
ns
工作特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
参数
C
pd
C
I
功耗
每栅极电容
输入电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
i
= V
CC
“或
GND
V
CC
= 1.8V
典型值
7.3
4
V
CC
= 2.5V
典型值
11.2
4
V
CC
= 3.3V
典型值
14.9
4
单位
pF
pF
封装特性
符号
θ
JA
θ
JC
注意：
参数
热阻
结到环境
热阻
结到外壳
测试条件
SO-14
TSSOP-14
SO-14
TSSOP-14
V
CC
（注6 ）
（注6 ）
民
典型值
待定
159
待定
25
最大
单位
o
C / W
C / W
o
为6。试验条件的SO- 14和TSSOP -14 ：设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局。
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