飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
74LVC02A
特点
1.2V至3.6V的宽电源电压范围
符合JEDEC标准没有。 8-1A
输入接受高达5.5V的电压
CMOS低功耗
直接接口与TTL电平
宽容的5伏输入，与5伏逻辑接口
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25°C ;吨
r
= t
f
v2.5
ns
符号
t
PHL
t
PLH
C
I
C
PD
参数
传播延迟
呐， NB到纽约
输入电容
每门功率耗散电容
描述
该74LVC02A是一款高性能，低功耗，低电压，
硅栅CMOS器件和优越于最先进的CMOS
兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能
允许在混合3.3 V / 5 V使用这些设备作为译员
环境。
该74LVC02A提供二输入NOR函数。
条件
C
L
= 50 pF的;
V
CC
= 3.3 V
注1和2
典型
2.8
5.0
28
单位
ns
pF
pF
注意事项：
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W)
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
)
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
L
=以pF输出负载能力;
f
o
=以MHz输出频率; V
CC
在V =电源电压;
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC.
订购信息
套餐
14引脚塑料SO
14引脚塑封SSOP II型
14引脚塑料TSSOP I型
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
北美以外的地区
74LVC02A
74LVC02A DB
74LVC02A PW
北美
74LVC02A
74LVC02A DB
74LVC02APW DH
DWG号
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
引脚配置
1Y
1A
1B
2Y
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
4Y
4B
4A
3Y
3B
3A
引脚说明
针
数
1, 4, 10, 13
2, 5, 8, 11
3, 6, 9, 12
7
14
符号
1Y – 4Y
1A – 4A
1B – 4B
GND
V
CC
数据输入
接地（ 0 V ）
正电源电压
名称和功能
数据输出
SV00389
1998年04月28日
2
853-2019 19310
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
74LVC02A
绝对最大额定值
1
绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）
电压参考GND（地= 0V ）
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
GND
, I
CC
T
英镑
P
合计
参数
直流电源电压（最大速度
性能）
DC输入二极管电流
直流输入电压
DC输出二极管电流
直流输出电压
DC输出源或灌电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
- 塑料小包装（ SO ）
- 塑料收缩小包装（ SSOP和TSSOP ）
高于+ 70 °C减免线性8毫瓦/ K
高于+ 60 °C减免线性5.5毫瓦/ K
V
I
t0
注2
V
O
uV
CC
或V
O
t
0
注2
V
O
= 0至V
CC
条件
等级
-0.5到+6.5
–50
-0.5到+5.5
"50
-0.5到V
CC
+ 0.5
"50
"100
-65到+150
500
500
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
注意事项：
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件， “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
DC特性
在推荐工作条件电压参考GND （地= 0V）
范围
符号
参数
测试条件
温度= -40 ° C至+ 85°C
民
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 1.2V
V
CC
= 2.7 3.6V
低电平输入电压
V
CC
= 1.2V
V
CC
= 2.7 3.6V
V
CC
= 2.7V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= -12mA
V
O
OH
高电平输出电压
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= –100A
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= -18mA
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= ?? 24毫安
V
CC
= 2.7V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= 12毫安
V
OL
低电平输出电压
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= 100A
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 24毫安
I
I
I
CC
I
CC
输入漏电流
静态电源电流
额外的静态电源电流
每个输入引脚
V
CC
= 3 6V; V
I
= 5 5V或GND
3.6V;
5.5V
V
CC
= 3.6V; V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0
V
CC
= 2.7V至3.6V ; V
I
= V
CC
-0.6V ;我
O
= 0
"0
1
"0.1
0.1
5
V
CC
*0.5
V
CC
*0.2
V
CC
*0.6
V
CC
*0.8
0.40
0.20
0.55
"5
10
500
A
A
A
V
V
CC
V
V
CC
2.0
GND
V
0.8
典型值
1
最大
V
单位
V
IL
注意事项：
1.所有典型值是在V
CC
= 3.3V和T
AMB
= 25°C.
1998年04月28日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
74LVC02A
AC特性
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
v
2.5纳秒;
L
= 50 pF的
范围
符号
参数
波形
V
CC
= 3.3V
±0.3V
民
t
PHL
/t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
图1,2
1.5
典型值
1
2.8
最大
4.6
民
1.5
V
CC
= 2.7V
典型值
1
3.2
最大
5.6
V
CC
= 1.2V
典型值
11
ns
单位
注意：
1.这些典型值是在V
CC
= 3.3V和T
AMB
= 25°C.
AC波形
V
M
= 1.5 V在V
CC
w
2.7 V
V
M
= 0.5
S
V
CC
在V
CC
＆ LT ; 2.7 V
V
OL
和V
OH
是与所发生的典型的输出电压降
输出负载。
V
I
呐， NB ， INPUT
V
M
测试电路
V
CC
S
1
2
＆ LT ;
V
CC
开放
GND
脉冲
发电机
V
I
D.U.T.
R
T
V
O
500
C
L
50pF
500
GND
t
PHL
V
OH
纽约输出
V
M
t
PLH
V
CC
t
2.7V
2.7V – 3.6V
V
I
V
CC
2.7V
TEST
t
PLH
/t
PHL
S
1
开放
SY00077
SV00392
V
OL
波形2 。
负载电路的开关时间。
波形1.输入（NA ， NB）到输出（纽约州）的传播延迟。
1998年04月28日
5
74LVC02A
四路2输入NOR门
启8 - 2011年11月16日
产品数据表
1.概述
该74LVC02A提供了四个二输入NOR门。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这些
设备中混合3.3 V和5 V应用翻译。
2.特点和好处科幻TS
5 V容限输入为5 V逻辑接口
宽电源电压范围为1.2 V至3.6 V
CMOS低功耗
直接接口与TTL电平
符合JEDEC标准：
JESD8-7A （ 1.65 V至1.95 V）
JESD8-5A （ 2.3 V至2.7 V ）
JESD8 -C / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 -B超过200 V
CDM JESD22- C101E超过1000 V
从指定的
40 C
+85
C
和
40 C
+125
C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74LVC02AD
74LVC02ADB
74LVC02APW
74LVC02ABQ
40 C
+125
C
40 C
+125
C
40 C
+125
C
40 C
+125
C
名字
SO14
SSOP14
TSSOP14
描述
塑料小外形封装; 14线索;
体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 14线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
VERSION
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
SOT762-1
类型编号
DHVQFN14塑料双列直插兼容非常热增强
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
3
0.85 mm
恩智浦半导体
74LVC02A
四路2输入NOR门
5.2引脚说明
表2中。
符号
1Y到4Y
1A至4A
1B到4B
GND
V
CC
引脚说明
针
1, 4, 10, 13
2, 5, 8, 11
3, 6, 9,12
7
14
描述
数据输出
数据输入
数据输入
接地（ 0 V ）
电源电压
6.功能描述
表3中。
输入nA的
L
X
H
[1]
功能表
[1]
输入NB
L
H
X
输出NY
H
L
L
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[2]
最大
+6.5
-
+6.5
50
V
CC
+ 0.5
50
100
-
500
+150
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
mA
mW
C
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
在高温或低温状态输出
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
-
-
100
T
AMB
=
40 C
+125
C
[3]
-
65
如果输入电流额定值观察到的最小输入电压额定值可能会超过。
如果输出电流额定值是所观察到的输出电压额定值可能被超过。
对于SO14封装： 70以上
C
8毫瓦/ K线性降额。
对于（T ） SSOP14封装： 60岁以上
C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
C
4.5毫瓦/ K线性降额。
74LVC02A
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NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启8 - 2011年11月16日
3 14
恩智浦半导体
74LVC02A
四路2输入NOR门
表6 。
静态特性
- 续
在推荐的工作条件。电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
I
CC
I
CC
供应
当前
另外
供应
当前
输入
电容
条件
V
CC
= 3.6 V; V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0 A
每个输入引脚;
V
CC
= 2.7 V至3.6 V ;
V
I
= V
CC
0.6 V ;我
O
= 0 A
V
CC
= 0 V至3.6 V ;
V
I
= GND到V
CC
-
-
40 C
+85
C
民
典型值
[1]
0.1
5
10
500
最大
-
-
40 C
+125
C
民
40
5000
最大
A
A
单位
C
I
-
4.0
-
-
-
pF
[1]
所有典型值是在V测
CC
= 3.3V （除非另有说明）和T
AMB
= 25
C.
10.动态特性
表7中。
动态特性
电压参考GND（地= 0V）。测试电路见
图7 。
符号参数
t
pd
传播延迟
条件
呐， NB到纽约;看
图6
V
CC
= 1.2 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
t
SK （ O）
C
PD
输出偏移时间
功耗
电容
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
每门; V
I
= GND到V
CC
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
[1]
[2]
[3]
[4]
[3]
[4]
[2]
40 C
+85
C
民
-
0.5
1.0
1.0
1.0
-
-
-
-
典型值
[1]
14
4.0
2.4
2.5
2.2
-
2.5
5.7
8.5
最大
-
8.6
4.9
5.1
4.4
1.0
-
-
-
40 C
+125
C
单位
民
-
0.5
1.0
1.0
1.0
-
-
-
-
最大
-
10.1
5.7
6.5
5.5
1.5
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
典型值是在T测
AMB
= 25
C
和V
CC
分别= 1.2 V， 1.8 V ， 2.5 V ， 2.7 V和3.3 V 。
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
在相同的方向相同的包交换的任何两个输出间偏差。此参数为设计保证。
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
N +
(C
L
V
CC2
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率; F
o
=输出MHz的频率
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在电压=电源电压
N =输入数字开关
(C
L
V
CC2
f
o
）=输出的总和
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