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74LV86
四2输入异或门
牧师03 - 2007年11月27日
产品数据表
1.概述
该74LV86是低电压硅栅CMOS器件的引脚和功能兼容
74HC86和74HCT86 。
该74LV86提供了一个四2输入异或功能。
2.特点
s
s
s
s
s
宽工作电压: 1.0 V至5.5 V
优化的低电压应用: 1.0 V至3.6 V
接受V的TTL电平输入
CC
= 2.7 V和V
CC
= 3.6 V
典型输出地反弹< 0.8 V电压V
CC
= 3.3 V和T
AMB
= 25
°C
典型的高级别输出电压(V
OH
)冲: > 2 V在V
CC
= 3.3 V和
T
AMB
= 25
°C
s
ESD保护:
x
HBM JESD22- A114E超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74LV86N
74LV86D
74LV86DB
74LV86PW
74LV86BQ
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
DIP14
SO14
SSOP14
TSSOP14
描述
塑料双列直插式封装; 14引线( 300万)
塑料小外形封装; 14线索;
体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 14线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
VERSION
SOT27-1
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
SOT762-1
类型编号
DHVQFN14塑料双列直插兼容非常热增强
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
3
×
0.85 mm
恩智浦半导体
74LV86
四2输入异或门
4.功能图
1
2
=1
3
1
2
4
5
9
10
12
13
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
4
1Y
3
5
=1
6
2Y
6
9
=1
8
3Y
8
10
4Y
11
12
13
=1
11
mna787
mna786
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
A
Y
B
mna788
图3.逻辑图( 1门)
5.管脚信息
5.1钢钉
74LV86
1A
1B
1Y
2A
2B
2Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aad103
14 V
CC
13 4B
12 4A
1号航站楼
索引区
1B
1Y
2A
2B
2
3
4
5
6
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9
3A
3Y
8
86
11 4Y
10 3B
9
8
3A
3Y
V
CC(1)
7
GND
2Y
1
1A
001aah098
透明的顶视图
(1)模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入。
图4.引脚CON组fi guration DIP14 , SO14和( T) SSOP14
74LV86_3
图5.引脚CON组fi guration DHVQFN14
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2007年11月27日
2 15
恩智浦半导体
74LV86
四2输入异或门
5.2引脚说明
表2中。
符号
1A
1B
1Y
2A
2B
2Y
GND
3Y
3A
3B
4Y
4A
4B
V
CC
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
描述
数据输入
数据输入
数据输出
数据输入
数据输入
数据输出
接地( 0 V )
数据输出
数据输入
数据输入
数据输出
数据输入
数据输入
电源电压
6.功能描述
表3中。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平
输入
nA
L
L
H
H
nB
L
H
L
H
产量
nY
L
H
H
L
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到(V
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
条件
0.5
-
-
-
-
50
65
最大
+7.0
±20
±50
±25
50
-
+150
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
74LV86_3
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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3 15
恩智浦半导体
74LV86
四2输入异或门
表4 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
P
合计
参数
总功耗
DIP14封装
SO14封装
(T ) SSOP14封装
DHVQFN14包
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
条件
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
[3]
[4]
[5]
-
-
-
-
最大
750
500
500
500
单位
mW
mW
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
°C.
P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
°C.
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
参数
电源电压
[1]
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 1.0至2.0V
V
CC
= 2.0 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至5.5 V
[1]
条件
1.0
0
0
40
-
-
-
-
典型值
3.3
-
-
+25
-
-
-
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
500
200
100
50
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
NS / V
静态特性是从V保证
CC
= 1.2 V到V
CC
= 5.5 V ,但LV的设备,保证功能下降到
V
CC
= 1.0 V(与输入电平GND或V
CC
).
74LV86_3
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恩智浦半导体
74LV86
四2输入异或门
9.静态特性
表6 。
静态特性
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
V
IH
高电平输入电压
条件
V
CC
= 1.2 V
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 1.2 V
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
OH
高电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
l
O
=
100 A;
V
CC
= 1.2 V
l
O
=
100 A;
V
CC
= 2.0 V
l
O
=
100 A;
V
CC
= 2.7 V
l
O
=
100 A;
V
CC
= 3.0 V
l
O
=
100 A;
V
CC
= 4.5 V
l
O
=
6
毫安; V
CC
= 3.0 V
l
O
=
12
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 100
A;
V
CC
= 1.2 V
I
O
= 100
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 100
A;
V
CC
= 2.7 V
I
O
= 100
A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
= 100
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 6毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 12毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
I
CC
C
I
[1]
40 °C
+85
°C
0.9
1.4
2.0
0.7V
CC
-
-
-
-
-
1.8
2.5
2.8
4.3
2.4
3.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
[1]
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
2.0
2.7
3.0
4.5
2.82
4.2
0
0
0
0
0
0.25
0.35
-
-
-
3.5
最大
-
-
-
-
0.3
0.6
0.8
0.3V
CC
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.40
0.55
1.0
20.0
500
-
40 °C
+125
°C
单位
0.9
1.4
2.0
0.7V
CC
-
-
-
-
-
1.8
2.5
2.8
4.3
2.2
3.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
0.3
0.6
0.8
V
V
V
V
V
V
V
0.3V
CC
V
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.50
0.65
1.0
40
850
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
pF
输入漏电流
电源电流
额外的电源电流
输入电容
V
I
= V
CC
或GND ;
V
CC
= 5.5 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
每个输入; V
I
= V
CC
0.6 V;
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
典型值是在T测
AMB
= 25
°C.
74LV86_3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    74LV86BQ
    -
    -
    -
    -
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电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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