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集成电路
74LV688
8位幅值比较器
产品speci fi cation
取代1997年5月15日的数据
IC24数据手册
1998年06月23日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位幅值比较器
74LV688
特点
宽工作电压: 1.0 5.5V
优化的低电压应用: 1.0V至3.6V
接受V的TTL电平输入
CC
= 2.7V和V
CC
= 3.6V
典型的V
OLP
(输出地弹跳) < 0.8V在V
CC
= 3.3V,
典型的V
OHV
(输出V
OH
冲) > 2V在V
CC
= 3.3V,
比较两个8位字
输出能力:标准
I
CC
类别: MSI
快速参考数据
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
参数
传播延迟P
n
, Q
n
以P = Q
输入电容
每门功率耗散电容
T
AMB
= 25°C
T
AMB
= 25°C
描述
该74LV688是一个高速硅栅CMOS器件,引脚兼容
与74HC / HCT688
该74LV688是一个8位幅值比较。它执行
两个8位二进制或BCD码字的比较。的输出提供
P = Q (等于通) 。
条件
C
L
= 15pF的
V
CC
= 3.3V
典型
17
3.5
单位
ns
pF
pF
V
I
= GND到V
CC1
22
注意:
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
毫瓦) :
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
S
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
L
=以pF输出负载能力;
f
o
=以MHz输出频率; V
CC
在V =电源电压;
S
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和。
订购信息
套餐
20引脚塑料DIL
20引脚塑料SO
20引脚塑封SSOP II型
20引脚塑封TSSOP I型
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
北美以外的地区
74LV688
74LV688
74LV688 DB
74LV688 PW
北美
74LV688
74LV688
74LV688 DB
74LV688PW DH
PKG 。 DWG 。 #
SOT146-1
SOT163-1
SOT339-1
SOT360-1
引脚配置
E
P0
Q0
P1
Q1
P2
Q2
P3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
P = Q
Q7
P7
Q6
P6
Q5
P5
Q4
P4
引脚说明
PIN号
1
2, 4, 6, 8, 11,
13, 15, 17
3, 5, 7, 9, 12,
14, 16, 18
10
19
20
E
P0到P7
Q0到Q7
GND
P = Q
V
CC
符号
功能
使能输入(低电平有效)
文字输入
文字输入
地( 0V )
等于输出
正电源电压
GND 10
SY00054
1998年06月23日
2
853-1878 19618
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位幅值比较器
74LV688
逻辑符号
2
4
6
8
11
13
15
17
3
5
7
9
12
14
16
18
P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P = Q
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
E
1
19
逻辑图
P7
Q7
P6
Q6
P5
Q5
P4
Q4
P3
P = Q
Q3
P2
Q2
SY00055
逻辑符号( IEEE / IEC )
1
2
4
6
8
11
13
15
17
3
5
7
9
12
14
16
18
7
Q
7
( P = Q) 1
0
19
P
G1
0
P1
Q1
P0
Q0
E
SY00057
功能表
输入
数据
PN ,尺寸Qn
P = Q
X
启用
E
L
H
L
L
产量
P = Q
L
H
H
H
SY00056
P>Q
P<Q
注意事项:
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
1998年06月23日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位幅值比较器
74LV688
绝对最大额定值
1, 2
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
±
I
GND ,
±
I
CC
T
英镑
直流电源电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源或灌电流
- 标准输出
DC V
CC
或接地电流与类型
- 标准输出
存储温度范围
每个封装功耗
- 塑料DIL
- 塑料小包装( SO )
- 塑料中收缩SO ( SSOP和TSSOP )
适用温度范围: -40 + 125°C
高于+ 70 °C减免线性12毫瓦/ K
高于+ 70 °C减免线性8毫瓦/ K
高于+ 60 °C减免线性5.5毫瓦/ K
–65
V
I
< -0.5 V或V
1
& GT ; V
CC
+ 0.5V
V
O
< -0.5 V或V
0
& GT ; V
CC
+ 0.5V
-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+0.5V
参数
条件
–0.5
最大
+7.0
±
20
±
50
±
25
±
50
+150
750
500
400
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
P
合计
mW
注意事项:
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件, “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.高性能集成电路的结合它的热环境可以创建结的性能能力
温度,这是不利于可靠性。该集成电路的最高结温度不应超过150 ℃。
3.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作环境温度范围
自由的空气
见DC和AC特性
V
CC
= 1.0V至2.0V
V
CC
= 2.0V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 3.6V至5.5V
条件
见注1
分钟。
1.0
0
0
–40
–40
典型值
典型值。
3.3
最大
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+85
+125
500
200
100
50
单位
V
V
V
°C
t
r
, t
f
(
ΔT / ΔV )
输入上升和下降时间
NS / V
注意:
1.左心室是有保证的功能下降到V
CC
= 1.0V (输入电平GND或V
CC
) ;直流特性从V保
CC
= 1.2V至V
CC
= 5.5V.
1998年06月23日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位幅值比较器
74LV688
DC电气特性
在推荐的工作条件。电压参考GND(地= 0V)。
范围
符号
参数
测试条件
V
CC
= 1.2V
V
IH
输入高电平
电压
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 2.7 3.6V
V
CC
= 4.5 5.5V
V
CC
= 1.2V
V
IL
低电平输入
电压
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 2.7 3.6V
V
CC
= 4.5 5.5
V
CC
= 1.2V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 100A
高电平输出
所有的电压输出
出UTS
电压;
V
OH
高电平输出
电压;
g
标准
输出
V
CC
= 2.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 100A
V
CC
= 2.7V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 100A
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 100A
V
CC
= 4.5V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 100A
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 6毫安
V
CC
= 4.5V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 12毫安
V
CC
= 1.2V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 100A
低电平输出
电压
出UTS
电压;所有输出
V
OL
低电平输出
电压;
g
标准
输出
I
I
I
CC
I
CC
输入漏
当前
静态电源
电流;微星
另外
静态电源
当前
V
CC
= 2.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 100A
V
CC
= 2.7V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 100A
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 100A
V
CC
= 4.5V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 100A
V
CC
= 3.0V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 6毫安
V
CC
= 4.5V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 12毫安
V
CC
= 5.5V; V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 5.5V; V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0
V
CC
= 2.7V至3.6V ; V
I
= V
CC
– 0.6V
1.8
2.5
2.8
4.3
2.40
3.60
1.2
2.0
2.7
3.0
4.5
2.82
4.20
0
0
0
0
0
0.25
0.35
0.2
0.2
0.2
0.2
0.40
0.55
1.0
20.0
500
0.2
0.2
0.2
0.2
0.50
0.65
1.0
160
850
A
A
A
V
1.8
2.5
2.8
4.3
2.20
3.50
V
0.9
1.4
2.0
0.7<V
CC
0.3
0.6
0.8
0.3<V
CC
-40 ° C至+ 85°C
典型值
1
最大
-40°C至+ 125°C
0.9
1.4
2.0
0.7<V
CC
0.3
0.6
0.8
0.3<V
CC
V
V
最大
单位
注意:
1.所有典型值是在T测
AMB
= 25°C.
1998年06月23日
5
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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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