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集成电路
74LV165
8位并行输入/串行输出移位寄存器
产品speci fi cation
取代1997年5月15日的数据
IC24数据手册
1998年5月7日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位并行输入/串行输出移位寄存器
74LV165
特点
宽工作电压: 1.0 5.5 V
优化的低电压应用: 1.0 3.6 V
接受V的TTL电平输入
CC
= 2.7 V和V
CC
= 3.6 V
典型的V
OLP
(输出地弹跳) < 0.8 V电压V
CC
= 3.3 V,
典型的V
OHV
(输出V
OH
冲) > 2 V在V
CC
= 3.3 V,
异步8位并行负载
同步串行输入
输出能力:标准
I
CC
类别: MSI
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25°C ;吨
r
= t
f
2.5纳秒
符号
t
PHL
/t
PLH
f
最大
C
I
C
PD
参数
传播延迟
CE, CP为Q
7
, Q
7
PL到Q
7
, Q
7
D
7
以Q
7
, Q
7
最大时钟频率
输入电容
每门功率耗散电容
T
AMB
= 25°C
T
AMB
= 25°C
描述
该74LV165是低电压硅栅CMOS器件,其引脚与
功能与74HC / HCT165兼容。
该74LV165是一个8位的并行负载或串行输入移位寄存器用
互补串行输出(Q
7
和Q
7
),可从最后一个
阶段。当并行负载(PL)输入是来自低时,并行数据
D
0
到D
7
输入加载到寄存器异步。当PL
为高电平时,数据进入串行寄存器的D
S
输入和转移1
放置到右侧(Q
0
→Q
1
→Q
2
与每个正向时钟等)
过渡。此功能允许并行到串行转换器通过扩张
绑Q
7
输出到D
S
后级的输入端。
时钟输入是一个选通或结构,它允许一个输入是
用作活性低的时钟使能(CE )输入。针脚分配
为CP和CE的输入是任意的,并且可以进行布局被逆转
方便。输入CE低到高的转变应该只
在此同时CP高可预测的操作。无论是CP或
PL向低到高的跳变前,行政长官应是高
防止移位的数据时的PL被激活。
条件
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 3.3 V
典型
18
18
14
78
3.5
单位
ns
兆赫
pF
pF
V
CC
= 3.3 V
V
I
= GND到V
CC1
35
注意事项:
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W)
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
)
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
L
=以pF输出负载电容;
f
o
=以MHz输出频率; V
CC
在V =电源电压;
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =的输出的总和。
订购信息
套餐
16引脚塑料DIL
16引脚塑料SO
16引脚塑封SSOP II型
16引脚塑料TSSOP I型
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
北美以外的地区
74LV165
74LV165
74LV165 DB
74LV165 PW
北美
74LV165
74LV165
74LV165 DB
74LV165PW DH
PKG 。 DWG 。 #
SOT38-4
SOT109-1
SOT338-1
SOT403-1
引脚配置
PL
CP
D
4
D
5
D
6
D
7
Q
7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
引脚说明
引脚数
1
CE
D
3
D
2
D
1
D
0
D
S
Q
7
符号
PL
CP
Q
7
GND
Q
7
D
S
D
0
到D
7
CE
V
CC
功能
异步并行加载
输入(低电平有效)
时钟输入(从低到
HIGH ,边沿触发)
从互补输出
最后阶段
接地( 0 V )
从最后一个阶段串行输出
串行数据输入
并行数据输入
时钟使能输入
(低电平有效)
正电源电压
2
7
8
9
10
11, 12, 13, 14, 3, 4, 5, 6
15
16
SV00585
1998年5月7日
2
853–1915 19349
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位并行输入/串行输出移位寄存器
74LV165
逻辑符号
10
D
S
工作原理图
11
11
12
13
14
3
4
5
6
1
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
PL
CP CE
15
2
15
CE
Q
7
Q
7
9
7
2
CP
8位移位寄存器
在并联/串联 - OUT
10
DS
Q7
Q7
9
7
1
PL
D
0
12
D
1
13
D
2
14
D
3
3
D
4
4
D
5
5
D
6
6
D
7
SV00586
SV00588
逻辑符号( IEEE / IEC )
1
SRG8
C2 [ LOAD ]
G1 [ SHIFT]
>1
1
C3/
3D
2D
2D
15
2
10
11
12
13
14
3
4
5
6
9
7
SV00587
逻辑图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
S
CP
D
SD
Q
D
SD
Q
D
SD
Q
D
SD
Q
D
SD
Q
D
SD
Q
D
SD
Q
D
SD
Q
Q7
Q
7
CE
PL
CP
FF0
RD
CP
FF1
RD
CP
FF2
RD
CP
FF3
RD
CP
FF4
RD
CP
FF5
RD
CP
FF6
RD
CP
FF7
RD
Q
SV00589
1998年5月7日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位并行输入/串行输出移位寄存器
74LV165
功能表
输入
操作模式
PL
L
并行加载
L
H
串行移位
持有“什么都不做”
H
H
CE
X
X
L
L
H
CP
X
X
X
D
S
X
X
l
h
X
D
0
–D
7
L
H
X
X
X
QN寄存器
Q
0
L
H
L
H
q
0
Q
1
–Q
6
L–L
H–H
q
0
–q
5
q
0
–q
5
q
1–
q
6
输出
Q
7
L
H
q
6
q
6
q
7
Q
7
H
L
q
6
q
6
q
7
注意事项:
H =高电压等级
H =高电平电压电平一个建立时间之前的低到高的时钟转变
L =低电压等级
I =低电平一级建立时间之前低到高时钟转换
Q =小写字母表示的参考输出一个建立时的状态之前低到高时钟转换
X =无关
=低到高的时钟跳变
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度范围在自由空气
见直流和交流
特征
V
CC
= 1.0V至2.0V
V
CC
= 2.0V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 3.6V至5.5V
条件
见注1
1.0
0
0
–40
–40
典型值
3.3
最大
5.5
V
CC
V
CC
+85
+125
500
200
100
50
单位
V
V
V
°C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
NS / V
注意:
1.左心室是有保证的功能下降到V
CC
= 1.0V (输入电平GND或V
CC
) ;直流特性从V保
CC
= 1.2V至V
CC
= 5.5V.
绝对最大额定值
1, 2
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
"I
IK
"I
OK
"I
O
"I
GND
,
"I
CC
T
英镑
P
合计
参数
直流电源电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源或灌电流
- 标准输出
DC V
CC
或接地电流与类型
- 标准输出
存储温度范围
每个封装功耗
- 塑料DIL
- 塑料小包装( SO )
- 塑料收缩小包装( SSOP和TSSOP )
适用温度范围: -40 + 125°C
高于+ 70 °C减免线性12毫瓦/ K
高于+ 70 °C减免线性8毫瓦/ K
高于+ 60 °C减免线性5.5毫瓦/ K
V
I
< -0.5或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
V
O
< -0.5或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
条件
等级
-0.5到+7.0
20
50
25
单位
V
mA
mA
mA
50
-65到+150
750
500
400
mA
°C
mW
注意事项:
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件, “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
1998年5月7日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位并行输入/串行输出移位寄存器
74LV165
DC电气特性
在推荐的工作条件。电压参考GND(地= 0V)。
范围
符号
参数
测试条件
V
CC
= 1.2 V
V
IH
输入高电平
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 2.7 3.6 V
V
CC
= 4.5 5.5 V
V
CC
= 1.2 V
V
IL
低电平输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 2.7 3.6 V
V
CC
= 4.5 5.5
V
CC
= 1.2 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 100A
V
CC
= 2.0 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 100A
V
OH
HIGH升
电平输出
L T吨
电压
出UTS
电压;所有输出
V
CC
= 2.7 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 100A
V
CC
= 3.0 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 100A
V
CC
= 4.5 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 100A
V
O
OH
高电平输出
电压;
g
标准
输出
V
CC
= 3.0 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 6毫安
V
CC
= 4.5 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
–I
O
= 12毫安
V
CC
= 1.2 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 100A
V
CC
= 2.0 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 100A
V
OL
低升
L T吨
电平输出
电压
出UTS
电压;所有输出
V
CC
= 2.7 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 100A
V
CC
= 3.0 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 100A
V
CC
= 4.5 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 100A
V
O
OL
低电平输出
电压;
g
标准
输出
输入漏
当前
静态电源
电流;微星
另外
静态电源
每输入电流
V
CC
= 3.0 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 6毫安
V
CC
= 4.5 V; V
I
= V
IH
或V
白细胞介素;
I
O
= 12毫安
V
CC
= 5.5 V; V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 5.5 V; V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0
V
CC
= 2.7 V至3.6 V ; V
I
= V
CC
– 0.6 V
1.8
2.5
2.8
4.3
2.40
3.60
1.2
2.0
2.7
3.0
4.5
2.82
4.20
0
0
0
0
0
0.25
0.35
0.2
0.2
0.2
0.2
0.40
0.55
1.0
20.0
500
0.2
0.2
0.2
0.2
0.50
V
0.65
1.0
160
850
A
A
A
V
1.8
2.5
2.8
4.3
2.20
V
3.50
V
0.9
1.4
2.0
0.7<V
CC
0.3
0.6
0.8
0.3<V
CC
-40 ° C至+ 85°C
典型值
1
最大
-40°C至+ 125°C
0.9
1.4
2.0
0.7<V
CC
0.3
0.6
0.8
0.3<V
CC
V
V
最大
单位
I
I
I
CC
I
CC
注意:
1.所有典型值是在T测
AMB
= 25°C.
1998年5月7日
5
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