4位D锁存
该TTL / MSI SN54 / 74LS75和SN54 / 74LS77被锁存作为温
porary存储处理单元和输入之间的二进制信息/输出
放或指标的单位。信息存在于一个数据(D)输入端被传输到
当Enable的Q输出端为高电平,并在Q输出将按照数据
输入,只要使能保持高电平。当启用变为低电平时,
信息(这是出现在数据输入的时候过渡OC-
curred )被保持在Q输出,直到启用允许变为高电平。
该SN54 / 74LS75功能从4位互补的Q和Q输出
锁存器和在16引脚封装。对于更高的元件密度
申请SN54 / 74LS77 4位锁存器是在14引脚封装
用Q输出省略。
接线图DIP
( TOP VIEW )
Q0
16
Q1
15
Q1
14
E0-1 GND
13
12
Q2
11
Q2
10
Q3
9
16
SN54/74LS75
SN54/74LS77
4位D锁存
小功率肖特基
后缀
陶瓷的
CASE 620-09
1
SN54 / 74LS75
SUF科幻X
塑料
案例648-08
1
1
Q0
Q0
14
2
D0
Q1
13
3
D1
4
5
E2-3 VCC
NC
10
6
D2
Q2
9
7
D3
Q3
8
8
Q3
16
E0-1 GND
12
11
16
1
后缀
SOIC
案例751B -03
SN54 / 74LS77
后缀
陶瓷的
CASE 632-08
14
1
1
D0
引脚名称
2
D1
3
E2–3
4
VCC
5
D2
6
D3
7
NC
加载中
(注一)
高
低
0.25 U.L.
1.0 U.L.
1.0 U.L.
5 (2.5) U.L.
5 (2.5) U.L.
D1–D4
E0–1
E2–3
Q1–Q4
Q1–Q4
数据输入
使能输入锁存0,1
使能输入锁存器2 , 3
锁存器输出(注二)
免费锁存器输出(注二)
0.5 U.L.
2.0 U.L.
2.0 U.L.
10 U.L.
10 U.L.
14
1
SUF科幻X
塑料
案例646-06
注意事项:
一) 1机组负荷( U.L. ) = 40
A
高。
B)输出低电平驱动因素是2.5 U.L.军用(54)和5 U.L.商业( 74 )
温度范围。
14
1
后缀
SOIC
案例751A -02
真值表
(每个锁存器)
订购信息
tn
D
H
L
TN + 1
Q
H
L
注意事项:
TN =位时间之前启用
负跳变
之后, TN + 1 =位时使
负跳变
SN54LSXXJ
SN74LSXXN
SN74LSXXD
陶瓷的
塑料
SOIC
快速和LS TTL数据
5-75
SN54/74LS75
逻辑符号
SN54/74LS75
2
3
6
7
1
SN54/74LS77
2
D1
5
D2
6
D3
VCC = 4 PIN
= GND引脚11
NC = 7针, 10
13
4
D0 D1
D2
D3
E0–1
E2–3
Q0 Q0 Q1 Q1 Q2 Q2 Q3 Q3
16 1 15 14 10 11 9
8
VCC = 5 PIN
GND = 12 PIN
12
3
D0
E0–1
E2–3
Q0
14
Q1
13
Q2
9
Q3
8
DC特性在整个工作温度范围
(除非另有规定编)
范围
符号
VIH
VIL
VIK
VOH
参数
输入高电压
54
输入低电压
74
输入钳位二极管电压
54
输出高电压
74
54, 74
VOL
输出低电压
74
D输入
输入E
IIH
输入高电流
D输入
输入E
输入低电平电流
短路电流(注1 )
电源电流
D输入
输入E
– 20
0.1
0.4
– 0.4
–1.6
–100
12
mA
VCC = MAX , VIN = 7.0 V
0.35
0.5
20
80
V
A
2.7
3.5
0.25
0.4
V
V
2.5
– 0.65
3.5
0.8
– 1.5
V
V
民
2.0
0.7
V
典型值
最大
单位
V
测试条件
保证输入高电压
所有的输入
保证输入电压低的
所有的输入
VCC = MIN , IIN = - 18毫安
VCC = MIN , IOH = MAX , VIN = VIH
或每真值表VIL
IOL = 4.0毫安
IOL = 8.0毫安
VCC = VCC最小值,
VIN = VIL或VIH
每真值表
VCC = MAX , VIN = 2.7 V
IIL
IOS
ICC
mA
mA
mA
VCC = MAX , VIN = 0.4 V
VCC =最大
VCC =最大
注1:不超过一个输出应在同一时间被短路,也不会超过1秒。
AC特性
( TA = 25℃ , VCC = 5.0 V)
范围
符号
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
参数
传播延迟,数据以Q
传播延迟,数据以Q
传播延迟,启用以Q
传播延迟,启用以Q
民
典型值
15
9.0
12
7.0
15
14
16
7.0
最大
27
17
20
15
27
25
30
15
单位
ns
ns
ns
ns
测试条件
VCC = 5.0 V
CL = 15 pF的
快速和LS TTL数据
5-76
SN54/74LS77
DC特性在整个工作温度范围
(除非另有规定编)
范围
符号
VIH
VIL
VIK
VOH
参数
输入高电压
54
输入低电压
74
输入钳位二极管电压
54
输出高电压
74
54, 74
VOL
输出低电压
74
D输入
输入E
IIH
输入高电流
D输入
输入E
输入低电平电流
短路电流(注1 )
电源电流
D输入
输入E
– 20
0.1
0.4
– 0.4
–1.6
–100
13
mA
VCC = MAX , VIN = 7.0 V
0.35
0.5
20
80
V
A
2.7
3.5
0.25
0.4
V
V
2.5
– 0.65
3.5
0.8
– 1.5
V
V
民
2.0
0.7
V
典型值
最大
单位
V
测试条件
保证输入高电压
所有的输入
保证输入电压低的
所有的输入
VCC = MIN , IIN = - 18毫安
VCC = MIN , IOH = MAX , VIN = VIH
或每真值表VIL
IOL = 4.0毫安
IOL = 8.0毫安
VCC = VCC最小值,
VIN = VIL或VIH
每真值表
VCC = MAX , VIN = 2.7 V
IIL
IOS
ICC
mA
mA
mA
VCC = MAX , VIN = 0.4 V
VCC =最大
VCC =最大
注1:不超过一个输出应在同一时间被短路,也不会超过1秒。
AC特性
( TA = 25℃ , VCC = 5.0 V)
范围
符号
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
参数
传播延迟,数据以Q
传播延迟,启用以Q
民
典型值
11
9.0
10
10
最大
19
17
18
18
单位
ns
ns
VCC = 5.0 V
CL = 15 pF的
测试条件
快速和LS TTL数据
5-77
SN54/74LS75
D
SN54/74LS77
逻辑图
数据
启用
TO其它锁存器
Q( SN54 / 74LS75 ONLY)
Q
保证工作范围
符号
VCC
TA
IOH
IOL
电源电压
工作环境温度范围
输出电流 - 高
输出电流 - 低
参数
54
74
54
74
54, 74
54
74
民
4.5
4.75
– 55
0
典型值
5.0
5.0
25
25
最大
5.5
5.25
125
70
– 0.4
4.0
8.0
单位
V
°C
mA
mA
AC设置要求
( TA = 25℃ , VCC = 5.0 V)
范围
符号
tW
ts
th
参数
使能脉冲宽高
建立时间
保持时间
民
20
20
0
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
VCC = 5.0 V
测试条件
AC波形
D
1.3 V
ts
E
1.3 V
TPLH
Q
TPLH
1.3 V
的TPH1
的TPH1
Q
的TPH1
的TPH1
1.3 V
TPLH
TPLH
1.3 V
1.3 V
1.3 V
1.3 V
th
1.3 V
条款的德网络nition
设置时间(Ts ) - 先于定义为存在于所述逻辑输入所需要的正确的逻辑电平的最小时间
从高电平到低电平,以时钟跳变要被识别并传送到输出端。
保持时间(日) - 被定义为最小的时间之后从高电平到低电平的逻辑电平必须在时钟转换
为了确保继续识别保持在所述输入。负的时间表明,正确的逻辑电平可
被释放之前,从高至低,但仍然可以识别的时钟跳变。
快速和LS TTL数据
5-78
SN5475 , SN5477 , SN54LS75 , SN54LS77
SN7475 , SN74LS75
4位双稳态锁存器
SDLS120 - 1974年3月 - 修订1988年3月
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1988年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN5475 , SN5477 , SN54LS75 , SN54LS77
SN7475 , SN74LS75
4位双稳态锁存器
SDLS120 - 1974年3月 - 修订1988年3月
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN5475 , SN5477 , SN54LS75 , SN54LS77
SN7475 , SN74LS75
4位双稳态锁存器
SDLS120 - 1974年3月 - 修订1988年3月
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SN5475 , SN5477 , SN54LS75 , SN54LS77
SN7475 , SN74LS75
4位双稳态锁存器
SDLS120 - 1974年3月 - 修订1988年3月
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN5475 , SN5477 , SN54LS75 , SN54LS77
SN7475 , SN74LS75
4位双稳态锁存器
SDLS120 - 1974年3月 - 修订1988年3月
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
DM74LS75四锁存
1986年8月
修订后的2000年3月
DM74LS75
四锁存
概述
这些锁存器非常适合用作临时stor-
年龄为处理单元之间的二进制信息
输入/输出或指示剂单元。信息存在于数据
(D)的输入传送到Q输出端,当使能
高,并且在Q输出将跟随输入的数据,只要
使能仍然很高。当使能变为低电平时,
信息(这是出现在数据输入的时候
过渡发生)被保持在Q输出,直至
使被允许变为高电平。
这些锁存器设有互补Q及输出
从4位锁存器,并采用16引脚封装。
订购代码:
订单号
DM74LS75M
DM74LS75N
包装数
M16A
N16E
包装说明
16引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 012 , 0.150窄
16引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 ,宽0.300
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
逻辑图
(每个锁存器)
接线图
功能表
输入
D
L
H
X
(每个锁存器)
输出
Q
L
H
Q
0
Q
H
L
Q
0
启用
H
H
L
H
=
高层
L
=
低层
X
=
不关心
Q
0
=
Q的电平启用的高电平到低电平的跳变前
2000仙童半导体公司
DS006374
www.fairchildsemi.com
DM74LS75
绝对最大额定值
(注1 )
电源电压
输入电压
工作自由空气的温度范围
存储温度范围
7V
7V
0℃至
+70°C
65°C
to
+150°C
注1 :
“绝对最大额定值”,超出该值的
该装置的安全性不能得到保证。该设备不应该
在这些限制操作。在电气定义的参数值
特性表不能保证在绝对最大额定值。
“推荐工作条件”表将定义的条件
器件的实际工作。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
t
W
t
SU
t
H
T
A
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
使能脉冲宽度(注5 )
建立时间(注5 )
保持时间(注5 )
自由空气工作温度
20
20
0
0
70
参数
民
4.75
2
0.8
0.4
8
喃
5
最大
5.25
单位
V
V
V
mA
mA
ns
ns
ns
°C
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非另有说明)
符号
V
I
V
OH
V
OL
参数
输入钳位电压
高层
输出电压
低层
输出电压
I
I
I
IH
I
IL
I
OS
I
CC
输入电流最大@
输入电压
输入高电平
当前
低电平输入
当前
短路输出电流
电源电流
V
CC
=
最大值(注2)
V
CC
=
最大值(注3)
V
CC
=
马克斯,V
I
=
0.4V
V
CC
=
马克斯,V
I
=
2.7V
条件
V
CC
=
分钟,我
I
= 18
mA
V
CC
=
分钟,我
OH
=
最大
V
IL
=
马克斯,V
IH
=
民
V
CC
=
分钟,我
OL
=
最大
V
IL
=
马克斯,V
IH
=
民
I
OL
=
4毫安,V
CC
=
民
V
CC
=
马克斯,V
I
=
7V
D
启用
D
启用
D
启用
20
6.3
2.7
3.5
0.35
0.25
0.5
0.4
0.1
0.4
20
80
0.4
1.6
100
12
mA
A
mA
mA
mA
民
典型值
(注2 )
最大
1.5
单位
V
V
V
注2 :
所有标准被定在V
CC
=
5V ,T
A
=
25°C.
注3 :
不超过一个的输出应在同一时间被短路,并且持续时间应不超过一秒钟。
注4 :
I
CC
测量时,所有输出开路和接地所有输入。
注5 :
T
A
=
25° C和V
CC
=
5V.
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2
DM74LS75
物理尺寸
英寸(毫米),除非另有说明
16引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 012 , 0.150窄
包装数M16A
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4
DM74LS75四锁存
物理尺寸
英寸(毫米),除非另有说明(续)
16引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 ,宽0.300
包装数N16E
飞兆半导体不承担使用上述任何电路的任何责任,也不提供其专利许可和
飞兆半导体公司保留在任何时间的权利,恕不另行通知更改上述电路和规格。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可, FAIRCHILD总统
半导体公司版权所有。如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到
体,或(b )支持或维持生命,和(c) ,其故障
执行时,依照正确使用
在标签规定的使用说明,可说明原因
sonably预计将造成显著伤害
用户。
5
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统,其未能履行可说明原因
sonably预期造成的生命支持故障
装置或系统,或影响其安全性或有效性。
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