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74HC7540 ; 74HCT7540

八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态;反相

第4版 - 2012年12月31日

产品数据表

1.概述

该74HC7540 ; 74HCT7540是高速硅栅CMOS器件，其引脚兼容

低功耗肖特基TTL （ LSTTL ）。这是符合JEDEC标准规定

没有。 7A 。

该74HC7540 ; 74HCT7540提供八个反相缓冲器/线路驱动器，具有三态

输出和施密特触发器动作。 3态输出由输出使能控制

输入OE1和OE2 。在OEN一高，会使输出呈高阻抗

OFF状态。在数据输入施密特触发器动作变换缓慢变化的输入

信号转换成大幅德网络定义，无抖动的输出信号。

该74HC7540 ; 74HCT7540是相同的74HC540 ; 74HCT540但滞后

上的数据输入端。

2.特点和好处科幻TS

反相输出

低功耗

ESD保护：

HBM JESD22- A114F超过2000伏

MM JESD22 - A115 - A超过200 V

多种封装选择

从指定的

40 C

+85

C

从

40 C

+125

C

3.订购信息

表1中。

订购信息

包

温度范围

74HC7540N

74HCT7540N

74HC7540D

74HCT7540D

74HC7540DB

40 C

+125

C

SSOP20

40 C

+125

C

SO20

塑料小外形封装; 20线索;

体宽7.5毫米

塑料小外形封装; 20线索;

体宽5.3毫米

SOT163-1

SOT339-1

40 C

+125

C

名字

DIP20

描述

塑料双列直插式封装; 20引线（ 300万）

VERSION

SOT146-1

类型编号

恩智浦半导体

74HC7540 ; 74HCT7540

八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态;反相

4.功能图

$

＆ LT ;?

$

＆ LT ;?

$

＆ LT ;?

$

＆ LT ;?

(1

$

＆ LT ;?

$

＆ LT ;?

DDD

$

＆ LT ;?

$

＆ LT ;?

2(

DDD

图1 。

逻辑符号

图2 。

IEC逻辑符号

5.管脚信息

5.1钢钉

?? + & ????

+&7

2(

$

9

&&

2(

?? < ？

DDD

?? + & ????

+&7

2(

$

9

&&

2(

?? < ？

DDD

*1'

图3 。

引脚配置DIP20 ， SO20

图4 。

引脚配置SSOP20

74HC_HCT7540

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恩智浦半导体

74HC7540 ; 74HCT7540

八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态;反相

5.2引脚说明

表2中。

符号

OE1

A0到A7

GND

Y0到Y7

OE2

V

CC

引脚说明

针

1

2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9

10

19

20

描述

输出使能输入（低电平有效）

数据输入

接地（ 0 V ）

输出使能输入（低电平有效）

电源电压

18 ，17， 16 ，15， 14 ，13， 12 ， 11的数据输出

6.功能描述

表3中。

控制

OE1

L

X

H

[1]

多功能表

[1]

输入

OE2

L

H

X

An

L

H

X

产量

Yn

H

L

Z

H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。

7.极限值

表4 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。电压参考GND（地= 0V）。

符号

V

CC

I

IK

I

OK

I

O

I

CC

I

GND

T

英镑

P

合计

参数

电源电压

输入钳位电流

输出钳位电流

输出电流

电源电流

地电流

储存温度

总功耗

DIP20

SO20 ， SSOP20

[1]

[2]

条件

V

I

＆ LT ;

0.5

V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

V

O

＆ LT ;

0.5

V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

0.5

V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5 V

[1]

民

0.5

-

70

65

-

最大

+7

20

35

70

-

+150

750

500

单位

V

mA

C

mW

如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

对于DIP20封装： 70以上

C

P的值

合计

减额直线为12毫瓦/ K 。

对于SO20封装： 70以上

C

P的值

合计

减额线性8毫瓦/ K 。

对于SSOP20封装： 60岁以上

C

P的值

合计

减额线性5.5毫瓦/ K 。

74HC_HCT7540

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恩智浦半导体

74HC7540 ; 74HCT7540

八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态;反相

8.推荐工作条件

表5 。

推荐工作条件

电压参考GND（地= 0 V）的

符号参数

V

CC

V

I

V

O

T

AMB

电源电压

输入电压

输出电压

环境温度

条件

74HC7540

民

2.0

0

40

典型值

5.0

-

+25

最大

6.0

V

CC

V

CC

+125

74HCT7540

民

4.5

0

40

典型值

5.0

-

+25

最大

5.5

V

CC

V

CC

+125

V

C

单位

9.静态特性

表6 。

静态特性

在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。

符号参数

条件

T

AMB

= 25

C

民

74HC7540

V

OH

高位

输出电压

V

I

= V

T+

或V

T

I

O

=

20 A;

V

CC

= 2.0 V

I

O

=

20 A;

V

CC

= 4.5 V

I

O

=

20 A;

V

CC

= 6.0 V

I

O

=

6.0

毫安; V

CC

= 4.5 V

I

O

=

7.8

毫安; V

CC

= 6.0 V

V

OL

低电平

输出电压

V

I

= V

T+

或V

T

I

O

= 20

A;

V

CC

= 2.0 V

I

O

= 20

A;

V

CC

= 4.5 V

I

O

= 20

A;

V

CC

= 6.0 V

I

O

= 6.0毫安; V

CC

= 4.5 V

I

O

= 7.8毫安; V

CC

= 6.0 V

I

OZ

输入漏

当前

关闭状态

输出电流

V

I

= V

CC

或GND ; V

CC

= 6.0 V

每个输入引脚; V

I

= V

T+

或V

T

;

V

O

= V

CC

或GND ;

其他输入在V

CC

或GND ;

V

CC

= 6.0 V ;我

O

= 0 A

V

I

= V

CC

或GND ;我

O

= 0 A;

V

CC

= 6.0 V

-

0

0.15

0.16

-

0.1

0.26

0.1

0.5

-

0.1

0.33

1.0

5.0

-

0.1

0.4

1.0

10

V

A

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

2.0

4.5

6.0

4.32

5.81

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

V

典型值

最大

T

AMB

=

40 C

+85

C

民

最大

T

AMB

=

40 C

+125

C

民

最大

单位

I

CC

C

I

电源电流

输入

电容

高位

输出电压

-

3.5

8.0

-

80

-

160

-

A

pF

74HCT7540

V

OH

V

I

= V

T+

或V

T

; V

CC

= 4.5 V

I

O

=

20 A

I

O

=

6.0

mA

74HC_HCT7540

4.4

3.98

4.5

4.32

-

4.4

3.84

-

4.4

3.7

-

V

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恩智浦半导体

74HC7540 ; 74HCT7540

八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态;反相

表6 。

静态特性

- 续

在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。

符号参数

条件

T

AMB

= 25

C

民

V

OL

低电平

输出电压

V

I

= V

T+

或V

T

; V

CC

= 4.5 V

I

O

= 20

A;

I

O

= 6.0毫安;

I

OZ

输入漏

当前

关闭状态

输出电流

V

I

= V

CC

或GND ; V

CC

= 5.5 V

每个输入引脚; V

I

= V

T+

或V

T

;

V

O

= V

CC

或GND ;

其他输入在V

CC

或GND ;

V

CC

= 5.5 V ;我

O

= 0 A

V

I

= V

CC

或GND ;我

O

= 0 A;

V

CC

= 5.5 V

每个输入引脚;我

O

= 0 A;

V

I

= V

CC

2.1 V;

其他输入在V

CC

或GND ;

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

输入

OEN输入

C

I

输入

电容

-

20

130

3.5

72

468

-

90

585

-

98

637

-

A

pF

-

0

0.15

-

0.1

0.26

0.1

0.5

-

0.1

0.33

1.0

5.0

-

0.1

0.4

1.0

10

V

A

典型值

最大

T

AMB

=

40 C

+85

C

民

最大

T

AMB

=

40 C

+125

C

民

最大

单位

I

CC

I

CC

电源电流

另外

电源电流

-

8.0

-

80

-

160

A

10.动态特性

表7中。

动态特性

GND = 0 V ;

L

= 50 pF的;测试电路见

图7 。

符号参数

74HC7540

t

pd

传输延迟至Yn ;看

图5

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 5.0 V ;

L

= 15 pF的

V

CC

= 6.0 V

t

en

启用时间

OEN到Yn ;看

图6

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

t

DIS

禁止时间

OEN到Yn ;看

图6

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

[1]

条件

T

AMB

= 25

C

民

典型值

最大

T

AMB

=

40 C

+125

C

马克斯（ 85

C)

马克斯（ 125

C)

单位

-

39

14

11

41

15

12

52

19

15

120

24

-

20

150

30

26

150

30

26

150

30

-

26

190

38

33

190

38

33

180

36

-

31

225

45

38

225

45

38

ns

74HC_HCT7540

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