74HC423 ; 74HCT423
双可再触发单稳多谐振荡器与重置
牧师03 - 2008年7月24日
产品数据表
1.概述
74HC423 ; 74HCT423是高速硅栅CMOS器件的引脚兼容
低功耗肖特基TTL （ LSTTL ） 。他们是在符合JEDEC特定网络版
没有标准。 7A 。
该74HC423 ; 74HCT423双可重触发单稳多谐振荡器与复位有两个
输出脉冲宽度控制的方法。
1.最小脉冲宽度基本上是由一个外部的选择来确定
电阻器（R
EXT
）和电容（C
EXT
） ，见
12.1节。
2.一旦被触发，该基本输出脉冲宽度可以通过重触发延长
门控低电平有效，边沿输入（ NA）或有源高边沿输入（ NB ） 。通过
重复该过程，输出脉冲周期（ NQ =高， NQ =低）可以由
只要想得到的。当NRD低，迫使NQ输出低电平时，输出NQ
高，也抑制了触发。
图10
和
图11
说明脉冲控制
通过复位。
在NA和NB输入“施密特触发器动作使得他们非常宽容的输入速度较慢
上升和下降时间。
该74HC423 ; 74HCT423是相同的74HC123 ; 74HCT123除了它们
无法通过复位输入触发。
2.特点
I
I
I
I
I
I
从高电平或低电平输入直流触发
可再触发的非常长的脉冲，高达100％的占空因数
直接复位终止输出脉冲
在所有输入端施密特触发器动作以外的复位输入端
符合JEDEC标准没有。 7A
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74HC423 ; 74HCT423
双可再触发单稳多谐振荡器与重置
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围名称
74HC423N
74HCT423N
74HC423D
74HCT423D
74HC423BQ
74HCT423BQ
74HCT423DB
40 °C
+125
°C
74HCT423PW
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
SO16
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米
SOT109-1
40 °C
+125
°C
DIP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）
VERSION
SOT38-4
型号封装
DHVQFN16塑料双列直插兼容的热增强型很瘦SOT763-1
四，在FL封装;没有线索; 16个终端;
机身2.5
×
3.5
×
0.85 mm
SSOP16
TSSOP16
塑料小外形封装; 16线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;
体宽4.4毫米
SOT338-1
SOT403-1
4.功能图
14
15
S
Q
1A
1
T
2
RD
3
6
7
S
Q
2A
9
T
10
RD
11
001aah796
1CEXT
1REXT/CEXT
13
1Q
Q
4
1Q
1B
1RD
2CEXT
2REXT/CEXT
5
2Q
Q
12
2Q
2B
2RD
图1 。
工作原理图
74HC_HCT423_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年7月24日
2 23
恩智浦半导体
74HC423 ; 74HCT423
双可再触发单稳多谐振荡器与重置
5.管脚信息
5.1钢钉
74HC423
74HCT423
1号航站楼
索引区
1B
16 V
CC
15 1REXT / CEXT
14 1Cext
13 1Q
12 2Q
11 2RD
10 2B
9
001aah785
74HC423
74HCT423
1A
1B
1RD
1Q
2Q
2CEXT
2REXT/CEXT
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
2
3
4
5
6
7
8
GND
2A
9
V
CC(1)
16 V
CC
15 1REXT / CEXT
14 1Cext
13 1Q
12 2Q
11 2RD
10 2B
1RD
1Q
2Q
2CEXT
2REXT/CEXT
1
1A
2A
001aah784
透明的顶视图
（1）模具基体附着到使用此垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入
图5 。
引脚CON组fi guration DIP16 ， SO16和（ T） SSOP16
图6 。
引脚CON组fi guration DHVQFN16
5.2引脚说明
表2中。
符号
1A, 2A
1B, 2B
1RD ， 2RD
1Q, 2Q
GND
1Q, 2Q
1CEXT ， 2CEXT
1REXT / CEXT ， 2REXT / CEXT
V
CC
引脚说明
针
1, 9
2, 10
3, 11
4, 12
8
13, 5
14, 6
15, 7
16
描述
触发输入（下降沿触发）
触发输入（上升沿触发）
直接复位（低电平有效）
输出（低电平有效）
接地（ 0 V ）
输出（高电平有效）
外部电容连接
外部电阻/电容连接
电源电压
74HC_HCT423_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年7月24日
4 23
恩智浦半导体
74HC423 ; 74HCT423
双可再触发单稳多谐振荡器与重置
6.功能描述
表3中。
输入
NRD
L
X
X
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
nA
X
H
X
L
↓
nB
X
X
L
↑
H
nQ
L
L
[2]
L
[2]
nQ
H
H
[2]
H
[2]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
↑
=低到高的转变;
↓
= HIGH到LOW过渡;
= 1高电平输出脉冲;
= 1低电平输出脉冲。
[2]
如果该单稳态多谐振荡器被触发建立这个条件之前，该脉冲将继续编程。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP16封装
SO16 ， SSOP16 ， TSSOP16和
DHVQFN16包
[1]
[2]
[3]
[2]
[3]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
±20
±20
±25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP16封装： 70以上
°C
P的值
合计
线性减额在12毫瓦/ K 。
对于SO16封装： 70以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K ;
对于SSOP16和TSSOP16封装： 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K ;
对于DHVQFN16包： 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性在4.5毫瓦/ K 。
74HC_HCT423_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年7月24日
5 23
集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT423
双可再触发单稳态
多谐振荡器与重置
产品speci fi cation
取代1990年12月数据
在集成电路， IC06文件
1998年7月08
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双可再触发单稳态
多谐振荡器与重置
特点
从高电平或低电平输入直流触发
可再触发的非常长的脉冲，高达100 ％的占空
因素
直接复位终止输出脉冲
在所有输入端施密特触发器动作除了复位
输入
输出能力：标准（除NR
EXT
/C
EXT
)
I
CC
类别： MSI
概述
该74HC / HCT423是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT423是双可再触发单稳态
多谐振荡器由两个输出脉冲宽度控制
的方法。基本的脉冲时间由编程
选择外部电阻（R
EXT
）和电容
74HC/HCT423
(C
EXT
） 。外部电阻和电容通常
连接，如图6所示。
一旦触发，基本输出脉冲宽度可以
通过重新触发门控有源低边沿扩展
输入（ NA）或有源高边沿输入（ NB ） 。通过
重复该过程，输出脉冲周期
（ NQ = HIGH ， NQ = LOW ），可只要想得到的制作。
当NR
D
低，迫使NQ输出低电平，
NQ输出高，也抑制了触发。
图7和图8示出由复位脉冲的控制。基本
输出脉冲宽度基本上由这些值确定的
外部定时元件的R
EXT
和C
EXT
.
对于脉冲宽度，当C
EXT
＆ LT ;
10 000 pF的，见图9 。
当C
EXT
＆ GT ;
10 000 pF的，典型的输出脉冲宽度是
德网络定义为：
t
W
= 0.45
×
R
EXT
×
C
EXT
（ TYP。） ，
在那里，T
W
=在纳秒脉冲宽度;
R
EXT
=在k外部电阻;
C
EXT
=外部电容单位为pF 。
在NA和NB输入施密特触发器动作，使
电路的高耐输入速度较慢的上升和下降时间。
的“ 423 ”是相同的“123” ，但不能被触发
通过复位输入。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
符号
t
PHL
/ t
PLH
参数
传播延迟
呐， NB为NQ ， NQ
nR
D
为NQ ， NQ
C
I
t
W
笔记
输入电容
最小输出脉冲宽度NQ ， NQ
典型
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V;
R
EXT
= 5 kΩ的;
EXT
= 0 pF的
25
20
3.5
注1和2
75
26
22
3.5
75
HCT
ns
ns
pF
ns
单位
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)
+
0.75
×
C
EXT
×
V
CC2
×
f
o
+
D
×
16
×
V
CC
其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
在％D =占空比
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
C
EXT
=定时电容pF的
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
1998年7月08
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双可再触发单稳态
多谐振荡器与重置
订购信息
TYPE
数
74HC423N;
74HCT423N
74HC423D;
74HCT423D
引脚说明
PIN号
1, 9
2, 10
3, 11
4, 12
7
8
13, 5
14, 6
15
16
符号
1A, 2A
1B, 2B
1R
D
, 2R
D
1Q, 2Q
2R
EXT
/C
EXT
GND
1Q, 2Q
1C
EXT
, 2C
EXT
1R
EXT
/C
EXT
V
CC
名称和功能
触发输入（负边沿触发）
触发输入（正边沿触发）
直接复位动作（低电平有效）
输出（低电平有效）
外部电阻/电容连接
接地（ 0 V ）
输出（高电平有效）
外部电容连接
外部电阻/电容连接
正电源电压
包
名字
DIP16
SO16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万） ;长身
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米;
低对峙高度
74HC/HCT423
VERSION
SOT38-1
SOT109-1
Fig.1引脚配置。
Fig.2
图3 IEC逻辑符号。
1998年7月08
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双可再触发单稳态
多谐振荡器与重置
74HC/HCT423
图4的功能框图。
功能表
输入
nR
D
L
X
X
H
H
笔记
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
↑
=低到高的转变
↓
=高向低转换
= 1高电平输出脉冲
= 1低电平输出脉冲
2.如果单稳态触发建立这个条件之前，该脉冲将继续编程。
nA
X
H
X
L
↓
nB
X
X
L
↑
H
nQ
L
L
(2)
L
(2)
输出
nQ
H
H
(2)
H
(2)
1998年7月08
4
74HC423 ; 74HCT423
双可再触发单稳多谐振荡器与重置
启示录6 - 2011年12月19日
产品数据表
1.概述
74HC423 ; 74HCT423是高速硅栅CMOS器件的引脚兼容
低功耗肖特基TTL （ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC423 ; 74HCT423双可重触发单稳多谐振荡器与复位有两个
输出脉冲宽度控制的方法。
1.最小脉冲宽度基本上是由一个外部的选择来确定
电阻器（R
EXT
）和电容（C
EXT
） ，见
12.1节。
2.一旦被触发，该基本输出脉冲宽度可以通过重触发延长
门控低电平有效，边沿输入（ NA）或有源高边沿输入（ NB ） 。通过
重复该过程，输出脉冲周期（ NQ =高， NQ =低）可以由
只要想得到的。当NRD低，迫使NQ输出低电平时，输出NQ
高，也抑制了触发。
图10
和
图11
说明脉冲控制
通过复位。
在NA和NB输入“施密特触发器动作使得他们非常宽容的输入速度较慢
上升和下降时间。
该74HC423 ; 74HCT423是相同的74HC123 ; 74HCT123除了它们
无法通过复位输入触发。
2.特点和好处科幻TS
从高电平或低电平输入直流触发
可再触发的非常长的脉冲，高达100％的占空因数
直接复位终止输出脉冲
在所有输入端施密特触发器动作以外的复位输入端
符合JEDEC标准没有。 7A
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
恩智浦半导体
74HC423 ; 74HCT423
双可再触发单稳多谐振荡器与重置
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围名称
74HC423N
74HCT423N
74HC423D
74HCT423D
74HC423BQ
74HCT423BQ
74HCT423DB
40 C
+125
C
74HCT423PW
40 C
+125
C
40 C
+125
C
40 C
+125
C
SO16
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米
SOT109-1
40 C
+125
C
DIP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）
VERSION
SOT38-4
型号封装
DHVQFN16塑料双列直插兼容的热增强型很瘦SOT763-1
四，在FL封装;没有线索; 16个终端;
机身2.5
3.5
0.85 mm
SSOP16
TSSOP16
塑料小外形封装; 16线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;
体宽4.4毫米
SOT338-1
SOT403-1
4.功能图
14
15
S
Q
1A
1
T
2
RD
3
6
7
S
Q
2A
9
T
10
RD
11
001aah796
1CEXT
1REXT/CEXT
13
1Q
Q
4
1Q
1B
1RD
2CEXT
2REXT/CEXT
5
2Q
Q
12
2Q
2B
2RD
图1 。
工作原理图
74HC_HCT423
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启示录6 - 2011年12月19日
2 24
恩智浦半导体
74HC423 ; 74HCT423
双可再触发单稳多谐振荡器与重置
5.管脚信息
5.1钢钉
74HC423
74HCT423
1号航站楼
索引区
1B
16 V
CC
15 1REXT / CEXT
14 1Cext
13 1Q
12 2Q
11 2RD
10 2B
9
001aah785
74HC423
74HCT423
1A
1B
1RD
1Q
2Q
2CEXT
2REXT/CEXT
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
2
3
4
5
6
7
8
GND
2A
9
V
CC(1)
16 V
CC
15 1REXT / CEXT
14 1Cext
13 1Q
12 2Q
11 2RD
10 2B
1RD
1Q
2Q
2CEXT
2REXT/CEXT
1
1A
2A
001aah784
透明的顶视图
（1）模具基体附着到使用此垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入
图5 。
引脚CON组fi guration DIP16 ， SO16和（ T） SSOP16
图6 。
引脚配置DHVQFN16
5.2引脚说明
表2中。
符号
1A, 2A
1B, 2B
1RD ， 2RD
1Q, 2Q
GND
1Q, 2Q
1CEXT ， 2CEXT
1REXT / CEXT ， 2REXT / CEXT
V
CC
引脚说明
针
1, 9
2, 10
3, 11
4, 12
8
13, 5
14, 6
15, 7
16
描述
触发输入（下降沿触发）
触发输入（上升沿触发）
直接复位（低电平有效）
输出（低电平有效）
接地（ 0 V ）
输出（高电平有效）
外部电容连接
外部电阻/电容连接
电源电压
74HC_HCT423
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启示录6 - 2011年12月19日
4 24
恩智浦半导体
74HC423 ; 74HCT423
双可再触发单稳多谐振荡器与重置
6.功能描述
表3中。
输入
NRD
L
X
X
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
nA
X
H
X
L
nB
X
X
L
H
nQ
L
L
[2]
L
[2]
nQ
H
H
[2]
H
[2]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
=低到高的转变;
= HIGH到LOW过渡;
= 1高电平输出脉冲;
= 1低电平输出脉冲。
[2]
如果该单稳态多谐振荡器被触发建立这个条件之前，该脉冲将继续编程。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP16封装
SO16 ， SSOP16 ， TSSOP16和
DHVQFN16包
[1]
[2]
[3]
[2]
[3]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
20
20
25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP16封装： 70以上
C
P的值
合计
线性减额在12毫瓦/ K 。
对于SO16封装： 70以上
C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K ;
对于SSOP16和TSSOP16封装： 60岁以上
C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K ;
对于DHVQFN16包： 60岁以上
C
P的值
合计
减额线性在4.5毫瓦/ K 。
74HC_HCT423
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启示录6 - 2011年12月19日
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