飞利浦半导体
产品speci fi cation
双缓冲/线路驱动器;三态
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力：公交车司机
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
74HC2G125 ; 74HCT2G125
描述
该74HC2G / HCT2G125是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC2G / HCT2G125提供了一个非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入引脚（ OE）的控制。为高电平时
销OE使输出呈现一个高阻抗
关断状态。
相比于总线驱动器输出电流相等
74HC/HCT125.
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
输出电容
每个功率耗散电容
卜FF器
输出使能;注1和2
输出禁用;注1和2
条件
HC2G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
10
1.0
1.5
11
1
HCT2G
12
1.0
1.5
11
1
ns
pF
pF
pF
pF
单位
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC2G125的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G125的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
2003 3月03
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双缓冲/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74HC2G125 ; 74HCT2G125
74HC2G125
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HCT2G125
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
每个功率耗散
包
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
65
分钟。
0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
单位
2003 3月03
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双缓冲/线路驱动器;三态
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力：公交车司机
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
74HC2G125 ; 74HCT2G125
描述
该74HC2G / HCT2G125是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC2G / HCT2G125提供了一个非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入引脚（ OE）的控制。为高电平时
销OE使输出呈现一个高阻抗
关断状态。
相比于总线驱动器输出电流相等
74HC/HCT125.
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
输出电容
每个功率耗散电容
卜FF器
输出使能;注1和2
输出禁用;注1和2
条件
HC2G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
10
1.0
1.5
11
1
HCT2G
12
1.0
1.5
11
1
ns
pF
pF
pF
pF
单位
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC2G125的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G125的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
2003 3月03
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双缓冲/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74HC2G125 ; 74HCT2G125
74HC2G125
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HCT2G125
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
每个功率耗散
包
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
65
分钟。
0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
单位
2003 3月03
5
74HC2G125 ; 74HCT2G125
双缓冲/线路驱动器;三态
牧师04 - 2008年7月4日
产品数据表
1.概述
该74HC2G125 ; 74HCT2G125是一个高速，硅栅CMOS器件。
该74HC2G125 ; 74HCT2G125提供两个非反相缓冲器/线路驱动器，具有三态
输出。三态输出由输出使能输入端（引脚NOE ）控制。高水平
在销NOE导致承担高阻关断状态的输出。
相比于74HC125和74HCT125总线驱动器输出电流是相等的。
2.特点
I
I
I
I
I
I
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC2G125DP
74HCT2G125DP
74HC2G125DC
74HCT2G125DC
74HC2G125GD
74HCT2G125GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
恩智浦半导体
74HC2G125 ; 74HCT2G125
双缓冲/线路驱动器;三态
4.标记
表2中。
记号
标识代码
H25
T25
H25
T25
H25
T25
类型编号
74HC2G125DP
74HCT2G125DP
74HC2G125DC
74HCT2G125DC
74HC2G125GD
74HCT2G125GD
5.功能图
2
1A
1Y
6
2
6
1
1OE
1
EN1
1
5
2A
2Y
3
5
7
2
EN2
mce186
A
3
OE
Y
7
2OE
mce185
mna120
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图（一个驱动器）
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC2G125
74HCT2G125
74HC2G125
74HCT2G125
1OE
1A
2Y
GND
1
2
3
4
001aae074
1OE
1A
8
7
6
5
V
CC
2OE
1Y
2A
GND
2Y
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
2OE
1Y
2A
001aai333
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
74HC_HCT2G125_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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2 14
恩智浦半导体
74HC2G125 ; 74HCT2G125
双缓冲/线路驱动器;三态
6.2引脚说明
表3中。
符号
10E， 2OE
1A, 2A
GND
1Y, 2Y
V
CC
引脚说明
针
1, 7
2, 5
4
6, 3
8
描述
输出使能输入（低电平有效）
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
控制
诺埃
L
L
H
[1]
功能表
[1]
输入
nA
L
H
X
产量
nY
L
H
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
70
65
最大
+7.0
±20
±20
35
70
-
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8U包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74HC_HCT2G125_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年7月4日
3 14
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双缓冲/线路驱动器;三态
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力：公交车司机
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
74HC2G125 ; 74HCT2G125
描述
该74HC2G / HCT2G125是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC2G / HCT2G125提供了一个非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入引脚（ OE）的控制。为高电平时
销OE使输出呈现一个高阻抗
关断状态。
相比于总线驱动器输出电流相等
74HC/HCT125.
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
输出电容
每个功率耗散电容
卜FF器
输出使能;注1和2
输出禁用;注1和2
条件
HC2G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
10
1.0
1.5
11
1
HCT2G
12
1.0
1.5
11
1
ns
pF
pF
pF
pF
单位
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC2G125的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G125的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
2003 3月03
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双缓冲/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74HC2G125 ; 74HCT2G125
74HC2G125
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HCT2G125
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
每个功率耗散
包
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
65
分钟。
0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
单位
2003 3月03
5
QQ：2881677436 复制
