集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT273
八路D型触发器与复位;
上升沿触发
产品speci fi cation
在集成电路, IC06文件
1993年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
八路D型IP- FL佛罗里达州运带复位;
上升沿触发
特点
理想的缓冲器,用于MOS微处理器或内存
公共时钟和主复位
八正边沿触发的D型触发器
请参阅“ 377 ”为时钟使能的版本
请参阅“ 373 ”透明锁存器版本
请参阅“ 374 ”的三态版本
输出能力;标准
I
CC
类别: MSI
概述
74HC/HCT273
该74HC / HCT273是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
( LSTTL ) 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT273有八个边缘触发,D型
触发器与个别D输入和Q输出。该
公共时钟( CP )和主复位( MR)输入和负载
同时复位(清除)所有触发器。
每个D输入端的状态,一个建立时间之前的
低到高的时钟转变,转移到
对应的输出(Q
n
)的触发器。
时钟的所有输出将被强制独立或低
数据输入通过对MR输入低电平电压电平。
该设备是为应用程序有用的,真实输出
只需要和时钟和主复位的
共同所有的存储元件。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL /
t
PLH
参数
传播延迟
CP到Q
n
MR到Q
n
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
最大时钟频率
输入电容
每个触发器功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
15
15
66
3.5
20
15
20
36
3.5
23
ns
ns
兆赫
pF
pF
HCT
单位
1993年9月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
八路D型IP- FL佛罗里达州运带复位;
上升沿触发
引脚说明
PIN号
1
2, 5, 6, 9, 12, 15, 16, 19
3, 4, 7, 8, 13, 14, 17, 18
10
11
20
符号
MR
Q
0
以Q
7
D
0
到D
7
GND
CP
V
CC
名称和功能
主复位输入(低电平有效)
FL IP- FL运算输出
数据输入
接地( 0 V )
74HC/HCT273
时钟输入端(低到高,边沿触发的)
正电源电压
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
图3 IEC逻辑符号。
1993年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
八路D型IP- FL佛罗里达州运带复位;
上升沿触发
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力:标准
I
CC
类别: MSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
CP到Q
n
传播延迟
MR到Q
n
输出转换时间
+25
典型值。
41
15
13
44
16
14
19
7
6
80
16
14
14
5
4
17
6
5
6
2
2
11
4
3
6
2
2
20.6
103
122
马克斯。
150
30
26
150
30
26
75
15
13
100
20
17
75
15
13
65
13
11
75
15
13
3
3
3
4.8
24
28
40
to
+85
分钟。
马克斯。
185
37
31
185
37
31
95
19
15
120
24
20
90
18
15
75
15
13
90
18
15
3
3
3
4.0
20
24
40
to
+125
分钟。
马克斯。
225
45
38
225
45
38
110
22
19
ns
74HC/HCT273
测试条件
单位V
波形
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
Fig.6
t
PHL
ns
Fig.7
t
THL
/ t
TLH
ns
Fig.6
t
W
时钟脉冲宽度
高或低
ns
Fig.6
t
W
主复位脉冲宽度60
低
12
10
拆除时间
MR到CP
建立时间
D
n
到CP
保持时间
D
n
到CP
最大时钟脉冲
频率
50
10
9
60
12
10
3
3
3
6.0
30
35
ns
Fig.7
t
REM
ns
Fig.7
t
su
ns
Fig.8
t
h
ns
Fig.8
f
最大
兆赫
Fig.6
1993年9月
5
74HC273 ; 74HCT273
八路D型触发器与复位;正边沿触发
第4版 - 2013年6月10日
产品数据表
1.概述
该74HC273 ; 74HCT273是一个八进制的正边沿触发的D型触发器。该装置
功能时钟( CP )和主复位( MR)输入。输出尺寸Qn将承担的国家
满足的建立和保持对时间的要求及其相应的输入DN
低到高的时钟( CP )的过渡。一个低电平MR强制输出低电平独立
的时钟和数据输入。输入包括钳位二极管。这使得能够使用当前的
限流电阻接口输入电压超过V的
CC
.
2.特点和好处科幻TS
输入电平:
对于74HC273 : CMOS电平
对于74HCT273 : TTL电平
公共时钟和主复位
八正边沿触发的D型触发器
符合JEDEC标准没有。 7A
ESD保护:
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V.
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC273N
74HCT273N
74HC273D
74HCT273D
74HC273DB
74HCT273DB
40 C
+125
C
SSOP20
塑料小外形封装; 20线索;车身宽度
5.3 mm
SOT339-1
40 C
+125
C
SO20
塑料小外形封装; 20线索;体宽7.5毫米SOT163-1
40 C
+125
C
DIP20
描述
塑料双列直插式封装; 20引线( 300万)
VERSION
SOT146-1
类型编号
恩智浦半导体
74HC273 ; 74HCT273
八路D型触发器与复位;正边沿触发
5.管脚信息
5.1钢钉
74HC273
74HCT273
1号航站楼
索引区
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
GND
(1)
13 D4
12 Q4
GND 10
CP 11
MR
2
3
4
5
6
7
8
9
1
Q0
D0
MR
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 CP
001aae053
74HC273
74HCT273
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND 10
001aae054
透明的顶视图
( 1)这是不是电源引脚。衬底被附着在该
使用导电衬垫芯片粘接材料。没有
电气或机械要求焊接这个垫。
然而,如果它被焊接时,焊料地应保持
浮动或连接到GND 。
图5 。
引脚配置DIP20 , SO20 , SSOP20和
TSSOP20
图6 。
引脚配置DHVQFN20
5.2引脚说明
表2中。
符号
MR
Q0, Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6, Q7
D0, D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7
GND
CP
V
CC
引脚说明
针
1
2, 5, 6, 9, 12, 15, 16, 19
3, 4, 7, 8, 13, 14, 17, 18
10
11
20
描述
主复位输入(低电平有效)
触发器的输出
数据输入
接地( 0 V )
时钟输入端(低到高,边沿触发的)
电源电压
74HC_HCT273
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2013年保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2013年6月10日
4 21
恩智浦半导体
74HC273 ; 74HCT273
八路D型触发器与复位;正边沿触发
6.功能描述
表3中。
功能表
[1]
输入
MR
复位(清)
加载'1'
负载'0'
[1]
H =高电压电平;
H =高电平电压电平一个建立时间之前的低到高的时钟转变;
L =低电压电平;
升=低电压电平的一个建立时间之前的低到高的时钟转变;
X =不关心;
=低到高时钟跳变。
操作模式
输出
CP
X
Dn
X
h
l
Qn
L
H
L
L
H
H
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0 V)的
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
T
AMB
=
40 C
+125
C
DIP20封装
SO20 , SSOP20 , TSSOP20和
DHVQFN20包
[1]
[2]
[3]
[2]
[3]
条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
20
20
25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP20封装: 70以上
C
P的值
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO20封装: 70以上
C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于SSOP20和TSSOP20封装: 60岁以上
C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
对于DHVQFN20包:P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
C.
74HC_HCT273
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2013年保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2013年6月10日
5 21