【集成电路数据表对于一个完整的数据资料，也请下载：该IC06 74HC / HCT / HCU / H】,IC型号74HCT259PW,74HCT259PW PDF资料,74HCT259PW经销商,ic,电子元器件-51电子网

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格

该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息

该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要

74HC/HCT259

8位可寻址锁存器

产品speci fi cation

在集成电路， IC06文件

1990年12月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

8位可寻址锁存器

特点

结合了多路分离器和8位锁存

串行到并行能力

从每个存储位可用的输出

随机的（寻址）数据录入

易于扩展

常见的复位输入

有用的3至8高电平解码器

输出能力：标准

I

CC

类别： MSI

概述

该74HC / HCT259是高速硅栅CMOS器件

引脚与低功率肖特基TTL兼容

（ LSTTL ）。它们与JEDEC规定的遵守

没有标准。 7A 。

该74HC / HCT259是高速8位寻址

专为通用存储应用锁

在数字系统中。在“ 259 ”是多功能的装置

74HC/HCT259

能够存储单行数据的八个寻址的

锁存器，以及3至8译码器及多路分解器，用

高电平输出（Q

0

以Q

7

），功能是可用的。

在“ 259 ”还集成了一个低有效复位常见

（MR），用于复位所有的锁存器，以及，一个低电平有效

使能输入（ LE ）。

在“ 259 ”具有四种工作模式如图中

模式选择表。在可寻址锁存模式中，数据在

的数据线（D ）被写入到所寻址的锁存器。该

地址锁存器将跟随数据输入与所有

非寻址留在他们以前的状态锁存器。

在内存模式下，所有的锁存器留在他们以前的

态，并且不受数据或地址输入端。

在3至8解码或解复用模式，则

解决输出和D输入与所有的国家

在低状态等输出。在复位模式下的所有

产出低，不受地址（A

0

到A

2

)

和数据（D）输入端。当操作“ 259 ”为

可寻址锁存，改变地址的一个以上的位

可以并处一过，错误的地址。因此，这

应仅在在存储器模式中完成。模式

选择表总结了“ 259 ”的操作。

快速参考数据

GND = 0 V ;吨

AMB

= 25

°C;

t

r

= t

f

= 6纳秒

典型

符号

t

PHL /

t

PLH

参数

传播延迟

D到Q

n

A

n

， LE为Q

n

t

PHL

C

I

C

PD

笔记

1. C

PD

被用于确定所述动态功耗（P

D

in

W):

P

D

= C

PD

×

V

CC2

×

f

i

+ ∑

(C

L

×

V

CC2

×

f

o

）其中：

f

i

=输入MHz的频率

f

o

=输出MHz的频率

∑

(C

L

×

V

CC2

×

f

o

） =产出的总和

C

L

在PF =输出负载电容

V

CC

在V =电源电压

2.对于HC的条件为V

I

= GND到V

CC

对于HCT的条件为V

I

= GND到V

CC

1.5 V

MR到Q

n

输入电容

每个锁存器的功率耗散电容

注1和2

条件

HC

C

L

= 15 pF的; V

CC

= 5 V

18

17

15

3.5

19

20

3.5

19

ns

pF

HCT

单位

1990年12月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

8位可寻址锁存器

订购信息

SEE

“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。

引脚说明

PIN号

1, 2, 3

4, 5, 6, 7, 9 10, 11, 12

8

13

14

15

16

符号

A

0

到A

2

Q

0

以Q

7

GND

D

LE

MR

V

CC

名称和功能

地址输入

锁存器输出

接地（ 0 V ）

数据输入

锁存使能输入（低电平有效）

有条件的复位输入端（低电平有效）

正电源电压

74HC/HCT259

Fig.1引脚配置。

图2逻辑符号。

图3 IEC逻辑符号。

1990年12月

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

8位可寻址锁存器

74HC/HCT259

图4的功能框图。

模式选择表

LE

L

H

L

H

MR

H

L

模式

可寻址锁存器

内存

高电平8通道多路解复用器

RESET

1990年12月

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

8位可寻址锁存器

功能表

操作

模式

主复位

输入

MR

L

H

可寻址锁存器

H

笔记

L

d

L

H

L

H

L

H

q

0

q

0

q

0

q

0

q

1

q

1

q

1

q

1

q

2

q

2

q

2

q

2

q

3

q

3

q

3

q

3

LE

H

L

H

L

X

d

X

d

D

A

0

X

L

H

L

H

L

H

L

H

X

L

H

L

H

A

1

X

L

H

L

H

X

L

H

A

2

X

L

H

X

L

Q ？d

L

q

0

Q ？d

q

0

q

0

q

0

Q

0

L

Q ？d

L

q

1

q

1

Q ？d

q

1

q

1

Q

1

L

Q ？d

L

q

2

q

2

q

2

Q ？d

q

2

Q

2

L

Q ？d

L

q

3

q

3

q

3

q

3

Q ？d

74HC/HCT259

输出

Q

3

L

Q ？d

L

q

4

q

4

q

4

q

4

q

4

Q ？d

q

4

q

4

q

4

Q

4

L

Q ？d

L

q

5

q

5

q

5

q

5

q

5

q

5

Q ？d

q

5

q

5

Q

5

L

Q ？d

L

q

6

q

6

q

6

q

6

q

6

q

6

q

6

Q ？d

q

6

Q

6

L

Q ？d

q

7

q

7

q

7

q

7

q

7

q

7

q

7

q

7

Q ？d

Q

7

解复用

（高电平有效）

解码器

（当D =高）

存储（什么都不做）

1. H =高电压电平

L =低电压等级

X =无关

D = HIGH或LOW数据中的一个建立时间之前的低到高的LE的过渡

Q =小写字母表示，其中它是最后一个周期期间建立的参考输出的状态

处理或清理

1990年12月

5

74HC259 ; 74HCT259

8位可寻址锁存器

牧师04 - 2009年2月25日

产品数据表

1.概述

该74HC259 ; 74HCT259是高速硅栅CMOS器件和引脚兼容

低功耗肖特基TTL （ LSTTL ）。他们是在符合JEDEC特定网络版

标准号7-A 。

该74HC259 ; 74HCT259是专为普通高速8位可寻址锁存器

目的存储应用在数字系统中。他们有能力的多功能设备

储存在8可寻址锁存的单行数据，并提供一个3至8译码器和

多路复用器的功能与高电平有效输出（ Q0到Q7 ）。他们还采用了主动

低共复位（ MR）用于复位所有的锁存器，以及一个低电平有效使能输入

（LE）。

该74HC259 ; 74HCT259有四种操作模式：

可寻址锁存模式中，在对数据线（D ）该模式数据被写入到

地址锁存器。被寻址锁存器将跟随输入的数据与所有非解决

锁存器留在他们以前的状态。

记忆模式，在这种模式下，所有的锁存器保持在其先前的状态，并

不受数据或地址输入端。

解复用模式（或3至8译码），在这种模式下，寻址输出如下

数据输入（D ），在低状态的所有其它输出的状态。

复位模式，在这种模式下所有的输出都为低电平而不受地址输入

（A0至A2）和数据输入（D）。

当操作该74HC259 ; 74HCT259作为地址锁存器中，更改多个

地址位可以并处一过错误的地址。因此，这只能是针对

而在内存模式。

2.特点

I

合并的信号分离器和8位锁存

串行到并行能力

从每个存储位可用的输出

随机的（寻址）数据录入

易于扩展

常见的复位输入

有用的3至8高电平解码器

输入电平：

N

对于74HC259 ： CMOS电平

N

对于74HCT259 ： TTL电平

恩智浦半导体

74HC259 ; 74HCT259

8位可寻址锁存器

I

ESD保护：

N

HBM JESD22- A114E超过2000伏

N

MM JESD22 - A115 - A超过200 V

N

CDM JESD22- C101C超过1000 V

I

多种封装选择

I

从特定网络版

40 °C

+85

°C

从

40 °C

+125

°C

3.订购信息

表1中。

订购信息

包

温度范围名称

74HC259N

74HCT259N

74HC259D

74HCT259D

74HC259DB

74HCT259DB

74HC259PW

74HCT259PW

74HC259BQ

74HCT259BQ

40 °C

+125

°C

DHVQFN16

40 °C

+125

°C

TSSOP16

40 °C

+125

°C

SSOP16

40 °C

+125

°C

SO16

塑料小外形封装; 16线索;

体宽3.9毫米

塑料小外形封装; 16线索;体

宽度5.3毫米

塑料薄小外形封装; 16线索;

体宽4.4毫米

SOT109-1

SOT338-1

SOT403-1

40 °C

+125

°C

DIP16

描述

塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）

VERSION

SOT38-4

类型编号

塑料双列直插兼容的热增强型非常SOT763-1

薄型四方扁平的封装;没有线索; 16个终端;

机身2.5

×

3.5

×

0.85 mm

4.功能图

13

15

14

Z9

G8

G10

9,10D

0

1

C10

8R

DX

14

LE

Q0

13

D

Q1

Q2

Q3

1

2

3

A0

A1

A2

MR

15

mna573

4

1

4

5

6

7

9

10

11

12

2

3

0

G

2

0

7

1

5

6

2

7

3

9

4

10

5

11

6

12

7

mna572

Q4

Q5

Q6

Q7

图1 。

逻辑符号

图2 。

IEC逻辑符号

74HC_HCT259_4

产品数据表

牧师04 - 2009年2月25日

2 21

恩智浦半导体

74HC259 ; 74HCT259

8位可寻址锁存器

Q0

1

2

3

A0

A1

A2

1-of-8

解码器

8锁存器

14

15

13

LE

MR

D

Q1

Q2

Q3

Q4

4

5

6

7

9

Q5 10

Q6 11

Q7 12

mna571

图3 。

工作原理图

5.管脚信息

5.1钢钉

74HC259

74HCT259

1号航站楼

索引区

A1

16 V

CC

15 MR

14 LE

13 D

12 Q7

11 Q6

10 Q5

9

001aaj444

74HC259

74HCT259

A0

A1

A2

Q0

Q1

Q2

Q3

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

2

3

4

5

6

7

8

GND

Q4

9

GND

(1)

16 V

CC

15 MR

14 LE

13 D

12 Q7

11 Q6

10 Q5

A2

Q0

Q1

Q2

Q3

1

A0

Q4

001aaj445

透明的顶视图

（1）模具基体是利用连接到该垫

导电芯片粘接材料。它不能被用作

电源引脚或输入。

图4 。

引脚CON组fi guration （ DIP16 ， SO16 ， SSOP16和

TSSOP16)

图5 。

引脚CON组fi guration （ DHVQFN16 ）

74HC_HCT259_4

产品数据表

牧师04 - 2009年2月25日

3 21

恩智浦半导体

74HC259 ; 74HCT259

8位可寻址锁存器

5.2引脚说明

表2中。

符号

A0, A1, A2

GND

D

LE

MR

V

CC

引脚说明

针

1, 2, 3

8

13

14

15

16

描述

地址输入

接地（ 0 V ）

数据输入

锁存使能输入（低电平有效）

有条件的复位输入端（低电平有效）

电源电压

Q0，Q1 ，Q2，Q3 ，Q4，Q5 ，Q6，Q7 4，5， 6，7 ，9，10 ，11，12的闩锁输出

6.功能描述

表3中。

功能表

[1]

输入

MR

复位（清）

L

多路解复用器

L

（高电平有效8通道）l

解码器（当D =高）

L

内存（无动作）

可寻址锁存器

H

[1]

H =高电压电平;

L =低电压电平;

X =不关心;

D = HIGH或LOW数据中的一个建立时间之前的低到高的LE的过渡;

Q =小写字母表示的参考输入一组行动之前低到高的跳变时间的状态。

经营模式

产量

LE

H

L

H

L

D

X

d

X

d

A0

X

L

H

L

H

L

H

L

H

X

L

H

L

H

L

H

L

H

A1

X

L

H

L

H

X

L

H

L

H

A2

X

L

H

X

L

H

Q0

L

q

0

q

0

q

0

q

0

q

0

q

0

q

0

q

0

Q1

L

Q2

L

Q3

L

Q4

L

Q5

L

Q6

L

Q7

L

Q ？d

q

7

q

7

q

7

q

7

q

7

q

7

q

7

Q ？d

Q =平负

L

q

1

Q =平负

L

q

2

q

2

Q =平负

L

q

3

q

3

q

3

Q =平负

L

q

4

q

4

q

4

q

4

Q =平负

L

q

5

q

5

q

5

q

5

q

5

Q =平负

L

q

6

q

6

q

6

q

6

q

6

q

6

Q =平负

Q = D Q

1

q

1

q

1

q

1

q

1

q

1

q

1

Q = D Q

2

q

2

q

2

q

2

q

2

q

2

Q = D Q

3

q

3

q

3

q

3

q

3

Q = D Q

4

q

4

q

4

q

4

Q = D Q

5

q

5

q

5

Q = D Q

6

q

6

Q = D Q

7

74HC_HCT259_4

产品数据表

牧师04 - 2009年2月25日

4 21

恩智浦半导体

74HC259 ; 74HCT259

8位可寻址锁存器

表4 。

LE

L

H

L

H

[1]

工作模式选择表

[1]

MR

H

L

模式

可寻址锁存模式

内存模式

解复用器模式

复位模式

H =高电压电平; L =低电压电平。

7.极限值

表5 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。电压参考GND（地= 0V）。

符号

V

CC

I

IK

I

OK

I

O

I

CC

I

GND

T

英镑

P

合计

参数

电源电压

输入钳位电流

输出钳位电流

输出电流

电源电流

地电流

储存温度

总功耗

T

AMB

=

40 °C

+125

°C

DIP16封装

SO16封装

（T ） SSOP16封装

DHVQFN16包

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[2]

[3]

[4]

[5]

条件

V

I

＆ LT ;

0.5

V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

V

O

＆ LT ;

0.5

V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

V

O

=

0.5

V到V

CC

+ 0.5 V

[1]

民

0.5

-

70

65

-

最大

+7.0

±20

±25

+70

-

+150

750

500

单位

V

mA

°C

mW

如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

P

合计

减额直线为12毫瓦/ K以上70

°C.

P

合计

减额线性8毫瓦/ K以上70

°C.

P

合计

减额线性5.5毫瓦/ K以上60

°C.

P

合计

减额线性4.5毫瓦/ K以上60

°C.

74HC_HCT259_4

产品数据表

牧师04 - 2009年2月25日

5 21

74HC259 ; 74HCT259

8位可寻址锁存器

启5 - 2012年8月7日

产品数据表

1.概述

该74HC259 ; 74HCT259是高速硅栅CMOS器件和引脚兼容

低功耗肖特基TTL （ LSTTL ）。它们与JEDEC规定的遵守

标准号7-A 。

该74HC259 ; 74HCT259是高速8位可寻址锁存器设计

通用的存储应用中的数字系统。他们是多功能设备

能够存储单行数据在8可寻址锁存器。它们提供了3至8

解码器和带高电平有效输出（ Q0到Q7 ）多路复用器的功能。他们还

集成了一个低电平有效的复位常见（ MR）用于复位所有的锁存器，以及一个

低电平有效使能输入（ LE ）。

该74HC259 ; 74HCT259有四种操作模式：

可寻址锁存模式中，在对数据线（D ）该模式数据被写入到

地址锁存器。被寻址的锁存器如下所述数据输入与所有非寻址

锁存器留在他们以前的状态。

记忆模式，在这种模式下，所有的锁存器保持在其先前的状态，并

不受数据或地址输入端。

解复用模式（或3至8译码），在这种模式下，寻址输出如下

数据输入（D ），在低状态的所有其它输出的状态。

复位模式，在这种模式下所有的输出都为低电平而不受地址输入

（A0至A2）和数据输入（D）。

当操作该74HC259 ; 74HCT259作为地址锁存器中，更改多个

地址位可以并处一过错误的地址。因此，这只能是针对

而在内存模式。

2.特点和好处科幻TS

合并的信号分离器和8位锁存

串行到并行能力

从每个存储位可用的输出

随机的（寻址）数据录入

易于扩展

常见的复位输入

有用的3至8高电平解码器

输入电平：

对于74HC259 ： CMOS电平

对于74HCT259 ： TTL电平

恩智浦半导体

74HC259 ; 74HCT259

8位可寻址锁存器

ESD保护：

HBM JESD22- A114F超过2000伏

MM JESD22 - A115 - A超过200 V

CDM JESD22E超过1000 V

多种封装选择

从指定的

40 C

+85

C

从

40 C

+125

C

3.订购信息

表1中。

订购信息

包

温度范围名称

74HC259N

74HCT259N

74HC259D

74HCT259D

74HC259DB

74HCT259DB

74HC259PW

74HCT259PW

74HC259BQ

74HCT259BQ

40 C

+125

C

DHVQFN16

40 C

+125

C

TSSOP16

40 C

+125

C

SSOP16

40 C

+125

C

SO16

塑料小外形封装; 16线索;

体宽3.9毫米

塑料小外形封装; 16线索;体

宽度5.3毫米

塑料薄小外形封装; 16线索;

体宽4.4毫米

SOT109-1

SOT338-1

SOT403-1

40 C

+125

C

DIP16

描述

塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）

VERSION

SOT38-4

类型编号

塑料双列直插兼容的热增强型非常SOT763-1

薄型四方扁平封装;没有线索; 16个终端;

机身2.5

3.5

0.85 mm

4.功能图

13

15

14

Z9

G8

G10

9,10D

0

1

C10

8R

DX

14

LE

Q0

13

D

Q1

Q2

Q3

1

2

3

A0

A1

A2

MR

15

mna573

4

1

4

5

6

7

9

10

11

12

2

3

0

G

2

0

7

1

5

6

2

7

3

9

4

10

5

11

6

12

7

mna572

Q4

Q5

Q6

Q7

图1 。

逻辑符号

图2 。

IEC逻辑符号

74HC_HCT259

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产品数据表

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2 22

恩智浦半导体

74HC259 ; 74HCT259

8位可寻址锁存器

Q0

1

2

3

A0

A1

A2

1-of-8

解码器

8锁存器

14

15

13

LE

MR

D

Q1

Q2

Q3

Q4

4

5

6

7

9

Q5 10

Q6 11

Q7 12

mna571

图3 。

工作原理图

5.管脚信息

5.1钢钉

74HC259

74HCT259

1号航站楼

索引区

A1

16 V

CC

15 MR

14 LE

13 D

12 Q7

11 Q6

10 Q5

9

001aaj444

74HC259

74HCT259

A0

A1

A2

Q0

Q1

Q2

Q3

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

2

3

4

5

6

7

8

GND

Q4

9

GND

(1)

16 V

CC

15 MR

14 LE

13 D

12 Q7

11 Q6

10 Q5

A2

Q0

Q1

Q2

Q3

1

A0

Q4

001aaj445

透明的顶视图

（1）模具基体是利用连接到该垫

导电芯片粘接材料。它不能被用作

电源引脚或输入。

图4 。

引脚配置（ DIP16 ， SO16 ， SSOP16和

TSSOP16)

图5 。

引脚CON组fi guration （ DHVQFN16 ）

74HC_HCT259

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3 22

恩智浦半导体

74HC259 ; 74HCT259

8位可寻址锁存器

5.2引脚说明

表2中。

符号

A0, A1, A2

Q0, Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6, Q7

GND

D

LE

MR

V

CC

引脚说明

针

1, 2, 3

8

13

14

15

16

描述

地址输入

接地（ 0 V ）

数据输入

锁存使能输入（低电平有效）

有条件的复位输入端（低电平有效）

电源电压

4，5 ，6，7 ，9，10 ，11，12的闩锁输出

6.功能描述

表3中。

功能表

[1]

输入

MR

复位（清）

L

多路解复用器

L

（高电平有效8通道）l

解码器（当D =高）

L

内存（无动作）

可寻址锁存器

H

[1]

H =高电压电平;

L =低电压电平;

X =不关心;

D = HIGH或LOW数据中的一个建立时间之前的低到高的LE的过渡;

Q =小写字母表示的参考输入一组行动之前低到高的跳变时间的状态。

经营模式

产量

LE

H

L

H

L

D

X

d

X

d

A0

X

L

H

L

H

L

H

L

H

X

L

H

L

H

L

H

L

H

A1

X

L

H

L

H

X

L

H

L

H

A2

X

L

H

X

L

H

Q0

L

q

0

q

0

q

0

q

0

q

0

q

0

q

0

q

0

Q1

L

Q2

L

Q3

L

Q4

L

Q5

L

Q6

L

Q7

L

Q ？d

q

7

q

7

q

7

q

7

q

7

q

7

q

7

Q ？d

Q =平负

L

q

1

Q =平负

L

q

2

q

2

Q =平负

L

q

3

q

3

q

3

Q =平负

L

q

4

q

4

q

4

q

4

Q =平负

L

q

5

q

5

q

5

q

5

q

5

Q =平负

L

q

6

q

6

q

6

q

6

q

6

q

6

Q =平负

Q = D Q

1

q

1

q

1

q

1

q

1

q

1

q

1

Q = D Q

2

q

2

q

2

q

2

q

2

q

2

Q = D Q

3

q

3

q

3

q

3

q

3

Q = D Q

4

q

4

q

4

q

4

Q = D Q

5

q

5

q

5

Q = D Q

6

q

6

Q = D Q

7

74HC_HCT259

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恩智浦半导体

74HC259 ; 74HCT259

8位可寻址锁存器

表4 。

LE

L

H

L

H

[1]

工作模式选择表

[1]

MR

H

L

模式

可寻址锁存模式

内存模式

解复用器模式

复位模式

H =高电压电平; L =低电压电平。

7.极限值

表5 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。电压参考GND（地= 0V）。

符号

V

CC

I

IK

I

OK

I

O

I

CC

I

GND

T

英镑

P

合计

参数

电源电压

输入钳位电流

输出钳位电流

输出电流

电源电流

地电流

储存温度

总功耗

T

AMB

=

40 C

+125

C

DIP16封装

SO16封装

（T ） SSOP16封装

DHVQFN16包

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[2]

[3]

[4]

[5]

条件

V

I

＆ LT ;

0.5

V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

V

O

＆ LT ;

0.5

V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

V

O

=

0.5

V到V

CC

+ 0.5 V

[1]

民

0.5

-

70

65

-

最大

+7.0

20

25

+70

-

+150

750

500

单位

V

mA

C

mW

如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

P

合计

减额直线为12毫瓦/ K以上70

C.

P

合计

减额线性8毫瓦/ K以上70

C.

P

合计

减额线性5.5毫瓦/ K以上60

C.

P

合计

减额线性4.5毫瓦/ K以上60

C.

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