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集成电路

数据表

74HC1G86 ; 74HCT1G86

2输入异或门

产品speci fi cation

在集成电路， IC06文件

1998年8月05

飞利浦半导体

产品speci fi cation

2输入异或门

特点

宽工作电压范围：

为2.0 6.0 V

对称的输出阻抗

高噪声抗扰度

低功耗

平衡传输延迟

非常小的5引脚封装

输出能力：标准。

笔记

描述

该74HC1G / HCT1G86是

高速硅栅CMOS器件。

该74HC1G / HCT1G86提供

2输入异或功能。

标准输出电流

相比于74HC / HCT86 。

功能表

见注1 。

输入

INA

L

H

记

1. H =高电压电平;

L =低电压电平。

INB

L

H

L

H

产量

OUTY

L

H

L

1

2

74HC1G86;

74HCT1G86

快速参考数据

GND = 0 V ;吨

AMB

= 25

°C;

t

r

= t

f

=

6.0纳秒。

典型值。

符号

t

PHL

/ t

PLH

C

I

C

PD

参数

传播延迟

INA ， INB为OUTY

输入电容

功耗

电容

注1和2

条件

HC1G

C

L

= 15 pF的

V

CC

= 5 V

9

1.5

23

HCT1G

10

1.5

23

ns

pF

单位

1. C

PD

被用于确定所述动态功耗（P

D

in

W).

P

D

= C

PD

×

V

CC2

×

f

i

+

∑

(C

L

×

V

CC2

×

f

o

）其中：

f

i

=以MHz输入频率;

f

o

=以MHz输出频率;

C

L

=以pF输出负载电容;

V

CC

在V =电源电压;

∑

(C

L

×

V

CC2

×

f

o

） =产出的总和。

2.对于HC1G的条件为V

I

= GND到V

CC

;

对于HCT1G的条件为V

I

= GND到V

CC

1.5 V.

钉扎

针

1和2的

3

4

5

符号

INB ， INA

GND

OUTY

V

CC

描述

数据输入

接地（ 0 V ）

数据输出

直流电源电压

1998年8月05

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

2输入异或门

订购以及封装资料

套餐

北外

AMERICA

74HC1G86GW

74HCT1G86GW

温度

范围

40

+125

°C

引脚

5

包

SC-88A

材料

塑料

74HC1G86;

74HCT1G86

CODE

SOT353

记号

HH

TH

手册， halfpage

INB 1

INA 2

GND

3

MNA037

5 VCC

手册， halfpage

86

4

OUTY

1

2

INB

INA

OUTY

4

MNA038

Fig.1引脚配置。

图2逻辑符号。

手册， halfpage

INB

手册， halfpage

1

2

=1

MNA039

4

INA

OUTY

MNA040

图3 IEC逻辑符号。

图4的逻辑图。

1998年8月05

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

2输入异或门

推荐工作条件

74HC1G

符号

V

CC

V

I

V

O

T

AMB

参数

分钟。

直流电源电压

输入电压

输出电压

工作环境

温度范围

2.0

0

40

典型值。

5.0

+25

马克斯。

6.0

V

CC

V

CC

+125

分钟。

4.5

0

40

典型值。

5.0

+25

马克斯。

5.5

V

CC

V

CC

+125

V

°C

74HCT1G

单位

74HC1G86;

74HCT1G86

条件

见直流和交流

每个特性

设备

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

t

r

,t

f

输入上升和下降时间

除了施密特触发器

输入

1000

500

400

500

ns

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。

符号

V

CC

±I

IK

±I

OK

±I

O

±I

CC

T

英镑

P

D

参数

直流电源电压

DC输入二极管电流

DC输出二极管电流

DC输出源或灌电流

标准输出

V

I

＆ LT ; ±0.5

或V

I

＆ GT ;

V

CC

+ 0.5 V ;注1

V

O

＆ LT ; ±0.5

或V

O

＆ GT ;

V

CC

+ 0.5 V ;注1

0.5

V

＆ LT ;

V

O

＆ LT ;

V

CC

+

0.5 V ;注1

条件

65

对于温度范围：

40

+125

°C

上述55

°C

减免线性

2.5毫瓦/ K

200

mW

分钟。

0.5

马克斯。

+7.0

20

12.5

25

+150

单位

V

mA

°C

DC V

CC

或GND电流型注1

标准输出

存储温度范围

每个封装功耗

5引脚塑料SC- 88A

记

1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

1998年8月05

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

2输入异或门

直流特性的74HC1G

在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。

T

AMB

(°C)

符号

参数

分钟。

V

IH

高级别输入

电压

1.5

3.15

4.2

V

IL

低电平输入电压

V

OH

高电平的输出

电压;所有输出

1.9

4.4

5.9

V

OH

高电平的输出

电压;标准

输出

低电平输出

电压;所有输出

4.13

5.63

V

OL

低电平输出

电压;标准

输出

输入漏电流

静态电源

当前

40

+85

典型值。

(1)

1.2

2.4

3.2

0.8

2.1

2.8

2.0

4.5

6.0

4.32

5.81

0

0.15

0.16

马克斯。

0.5

1.35

1.8

0.1

0.33

1.0

10

40

+125

分钟。

1.5

3.15

4.2

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

马克斯。

0.5

1.35

1.8

0.1

0.4

1.0

20

V

A

单位

74HC1G86;

74HCT1G86

测试条件

V

CC

(V)

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

4.5

6.0

V

I

= V

IH

或V

IL

;

I

O

= 2.0毫安

V

I

= V

IH

或V

IL

;

I

O

= 2.6毫安

V

I

= V

CC

或GND

V

I

= V

CC

或GND ;

I

O

= 0

V

I

= V

IH

或V

IL

;

I

O

= 2.0毫安

V

I

= V

IH

或V

IL

;

I

O

= 2.6毫安

V

I

= V

IH

或V

IL

;

I

O

= 20

A

V

I

= V

IH

或V

IL

;

I

O

= 20

A

其他

V

OL

I

CC

记

1.所有典型值是在T测

AMB

= 25

°C.

1998年8月05

5

74HC1G86 ; 74HCT1G86

2输入异或门

启示录04 - 2007年7月20日

产品数据表

1.概述

74HC1G86和74HCT1G86是高速硅栅CMOS器件。它们提供了一个

2输入异或功能。

慧聪设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至6 V.

该HCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.

标准输出电流一半的74HC / HCT86的。

2.特点

I

对称的输出阻抗

高噪声抗扰度

低功耗

平衡传输延迟

SOT353-1和SOT753封装选项

从特定网络版

40 °C

+125

°C

3.订购信息

表1中。

订购信息

包

温度范围

74HC1G86GW

74HCT1G86GW

74HC1G86GV

74HCT1G86GV

40 °C

+125

°C

SC-74A

40 °C

+125

°C

名字

TSSOP5

描述

塑料薄小外形封装;

5线索;体宽1.25毫米

塑料表面贴装封装; 5线索

VERSION

SOT353-1

SOT753

类型编号

4.标记

表2中。

标记代码

记号

HH

TH

H86

T86

类型编号

74HC1G86GW

74HCT1G86GW

74HC1G86GV

74HCT1G86GV

恩智浦半导体

74HC1G86 ; 74HCT1G86

2输入异或门

5.功能图

1

2

B

A

Y

4

1

2

=1

mna039

4

mna038

图1.逻辑符号

图2. IEC逻辑符号

B

Y

A

mna040

图3.逻辑图

6.管脚信息

6.1钢钉

74HC1G86

B

A

1

2

5

V

CC

GND

3

001aaf055

4

Y

图4.引脚CON组fi guration

6.2引脚说明

表3中。

符号

B

A

GND

Y

V

CC

引脚说明

针

1

2

3

4

5

描述

数据输入

接地（ 0 V ）

数据输出

电源电压

74HC_HCT1G86_4

产品数据表

启示录04 - 2007年7月20日

2 11

恩智浦半导体

74HC1G86 ; 74HCT1G86

2输入异或门

7.功能描述

表4 。

功能表

H =高电压电平; L =低电压电平

输入

A

L

H

B

L

H

L

H

产量

Y

L

H

L

8.极限值

表5 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。电压参考GND（地= 0V）。

[1]

符号

V

CC

I

IK

I

OK

I

O

I

CC

I

GND

T

英镑

P

合计

[1]

[2]

参数

电源电压

输入钳位电流

输出钳位电流

输出电流

电源电流

地电流

储存温度

总功耗

条件

V

I

＆ LT ;

0.5

V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

V

O

＆ LT ;

0.5

V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

0.5

V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5 V

民

0.5

-

25

65

最大

+7.0

±20

±12.5

25

-

+150

200

单位

V

mA

°C

mW

T

AMB

=

40 °C

+125

°C

[2]

-

如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

上述55

°C

P的值

合计

减额线性2.5毫瓦/ K 。

9.推荐工作条件

表6 。

推荐工作条件

电压参考GND（地= 0V）。

符号参数

V

CC

V

I

V

O

T

AMB

ΔT/ ΔV

电源电压

输入电压

输出电压

环境温度

输入转换崛起

和下降率

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

条件

民

2.0

0

40

-

74HC1G86

典型值

5.0

-

+25

-

最大

6.0

V

CC

V

CC

+125

625

139

83

民

4.5

0

40

-

74HCT1G86

典型值

5.0

-

+25

-

最大

5.5

V

CC

V

CC

+125

-

139

-

V

°C

NS / V

单位

74HC_HCT1G86_4

产品数据表

启示录04 - 2007年7月20日

3 11

恩智浦半导体

74HC1G86 ; 74HCT1G86

2输入异或门

10.静态特性

表7中。

静态特性

电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测

AMB

= 25

°

C.

符号

参数

条件

40 °C

+85

°C

民

对于类型74HC1G86

V

IH

高级别输入

电压

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

V

IL

低电平输入

电压

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

V

OH

高电平的输出

电压

V

I

= V

IH

或V

IL

I

O

=

20 A;

V

CC

= 2.0 V

I

O

=

20 A;

V

CC

= 4.5 V

I

O

=

20 A;

V

CC

= 6.0 V

I

O

=

2.0

毫安; V

CC

= 4.5 V

I

O

=

2.6

毫安; V

CC

= 6.0 V

V

OL

低电平输出

电压

V

I

= V

IH

或V

IL

I

O

= 20

A;

V

CC

= 2.0 V

I

O

= 20

A;

V

CC

= 4.5 V

I

O

= 20

A;

V

CC

= 6.0 V

I

O

= 2.0毫安; V

CC

= 4.5 V

I

O

= 2.6毫安; V

CC

= 6.0 V

I

CC

C

I

V

IH

V

IL

V

OH

输入漏电流

电源电流

输入电容

高级别输入

电压

低电平输入

电压

高电平的输出

电压

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

V

I

= V

IH

或V

IL

I

O

=

20 A;

V

CC

= 4.5 V

I

O

=

2.0

毫安; V

CC

= 4.5 V

V

OL

低电平输出

电压

V

I

= V

IH

或V

IL

I

O

= 20

A;

V

CC

= 4.5 V

I

O

= 2.0毫安; V

CC

= 4.5 V

I

输入漏电流

V

I

= V

CC

或GND ; V

CC

= 5.5 V

-

0

0.15

-

0.1

0.33

1.0

-

0.1

0.4

1.0

V

A

4.4

4.13

4.5

4.32

-

4.4

3.7

-

V

I

= V

CC

或GND ; V

CC

= 6.0 V

V

I

= V

CC

或GND ;我

O

= 0 A;

V

CC

= 6.0 V

-

2.0

-

0

0.15

0.16

-

1.5

1.6

1.2

0.1

0.33

1.0

10

-

0.8

-

2.0

-

0.1

0.4

1.0

20

-

0.8

V

A

pF

V

1.9

4.4

5.9

4.13

5.63

2.0

4.5

6.0

4.32

5.81

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

V

1.5

3.15

4.2

-

1.2

2.4

3.2

0.8

2.1

2.8

-

0.5

1.35

1.8

1.5

3.15

4.2

-

0.5

1.35

1.8

V

典型值

最大

40 °C

+125

°C

民

最大

单位

对于类型74HCT1G86

74HC_HCT1G86_4

产品数据表

启示录04 - 2007年7月20日

4 11

恩智浦半导体

74HC1G86 ; 74HCT1G86

2输入异或门

表7中。

静态特性

- 续

电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测

AMB

= 25

°

C.

符号

I

CC

I

CC

C

I

参数

电源电流

新增供应

当前

输入电容

条件

V

I

= V

CC

或GND ;我

O

= 0 A;

V

CC

= 5.5 V

每个输入; V

CC

= 4.5 V至5.5 V ;

V

I

= V

CC

2.1 V ;我

O

= 0 A

40 °C

+85

°C

民

-

典型值

-

1.5

最大

10

500

-

40 °C

+125

°C

民

-

最大

20

850

-

A

pF

单位

11.动态特性

表8 。

动态特性

GND = 0 V ;吨

r

= t

f

≤

6.0纳秒;所有典型值是在T测

AMB

= 25

°

C.对于测试电路见

图6

符号参数

对于类型74HC1G86

t

pd

传播延迟A和B为Y ;看

图5

V

CC

= 2.0 V ;

L

= 50 pF的

V

CC

= 4.5 V ;

L

= 50 pF的

V

CC

= 5.0 V ;

L

= 15 pF的

V

CC

= 6.0 V ;

L

= 50 pF的

C

PD

功耗V

I

= GND到V

CC

电容

传播延迟A和B为Y ;看

图5

V

CC

= 4.5 V ;

L

= 50 pF的

V

CC

= 5.0 V ;

L

= 15 pF的

C

PD

功耗V

I

= GND到V

CC

1.5 V

电容

t

pd

是相同为T

PLH

和T

PHL

.

C

PD

被用于确定所述动态功耗P

D

(W).

P

D

= C

PD

×

V

CC2

×

f

i

+

∑

(C

L

×

V

CC2

×

f

o

）其中：

f

i

=输入MHz的频率

f

o

=输出MHz的频率

C

L

在PF =输出负载电容

V

CC

在电压=电源电压

∑

(C

L

×

V

CC2

×

f

o

） =产出的总和

[2]

[1]

条件

40 °C

+85

°C

民

典型值

最大

40 °C

+125

°C

单位

民

最大

-

22

11

9

23

115

23

-

20

-

135

27

-

23

-

ns

pF

对于类型74HCT1G86

t

pd

[1]

-

13

10

23

-

27

-

ns

pF

[1]

[2]

74HC_HCT1G86_4

产品数据表

启示录04 - 2007年7月20日

5 11