飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC1G02 ; 74HCT1G02
该74HC1G / HCT1G02是高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC1G / HCT1G02提供二输入NOR
功能。标准输出电流值的一半
相比于74HC / HCT02 。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗P
D
(W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于HC1G的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于HCT1G的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
A
L
L
H
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
B
L
H
L
H
产量
Y
H
L
L
L
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
注1和2
条件
HC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
7
1.5
18
HCT1G
9
1.5
19
ns
pF
pF
单位
2002年5月17日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
推荐工作条件
74HC1G02
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
典型值。
5.0
+25
74HC1G02 ; 74HCT1G02
74HCT1G02
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
t
r
, t
f
1000
500
400
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上55
°C
P的值
D
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ; ±0.5
V或V
I
＆ GT ;
V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
< -0.5V
或V
O
＆ GT ;
V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V
＆ LT ;
V
O
＆ LT ;
V
CC
+
0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
±12.5
±25
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月17日
4
74HC1G02 ; 74HCT1G02
2输入或非门
牧师04 - 2007年7月11日
产品数据表
1.概述
74HC1G02和74HCT1G02是高速硅栅CMOS器件。它们提供了一个
二输入NOR函数。
慧聪设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至6 V.
该HCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
标准输出电流一半的74HC02和74HCT02的。
2.特点
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
SOT353-1和SOT753封装选项
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC1G02GW
74HCT1G02GW
74HC1G02GV
74HCT1G02GV
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
描述
VERSION
塑料薄小外形封装; 5线索; SOT353-1
体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
SOT753
类型编号
4.标记
表2中。
标记代码
记号
HB
TB
H02
T02
类型编号
74HC1G02GW
74HCT1G02GW
74HC1G02GV
74HCT1G02GV
恩智浦半导体
74HC1G02 ; 74HCT1G02
2输入或非门
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
[1]
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
民
0.5
-
-
-
-
25
65
最大
+7.0
±20
±20
±12.5
25
-
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
上述55
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
-
74HC1G02
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
民
4.5
0
0
40
-
-
-
74HCT1G02
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
-
139
-
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
单位
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号
参数
条件
40 °C
+85
°C
民
对于类型74HC1G02
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.2
2.4
3.2
0.8
2.1
2.8
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
V
V
V
V
V
V
典型值
最大
40 °C
+125
°C
民
最大
单位
74HC_HCT1G02_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2007年7月11日
3 10
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