集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT165
8位并行输入/串行输出移位
注册
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位并行输入/串行输出移位寄存器
特点
异步8位并行负载
同步串行输入
输出能力：标准
I
CC
类别： MSI
概述
该74HC / HCT165是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT165是8位并行负载或串行输入移位
具有互补串行输出寄存器（Q
7
和
Q
7
），可从最后一个阶段。当并行加载
（PL）输入是从D LOW时，并行数据
0
to
D
7
输入加载到寄存器异步。
74HC/HCT165
当PL为高电平时，数据输入寄存器串行的
D
s
输入和移位一个位置向右
(Q
0
→
Q
1
→
Q
2
与每个正向时钟等）
过渡。此功能允许并行到串行转换器
扩张绑Q
7
输出到D
S
的输入
后级。
时钟输入是一个门控-OR结构，允许一
输入要用作有源低时钟使能（CE）输入。
引脚分配为CP和CE输入可以是任意
并且可以逆转的布局方便。该
低到高的输入CE的过渡应该只需要
地方，而CP高可预测的操作。无论是
CP或在CE应前的高
低到高的PL的过渡，以防止移位数据
当PL被激活。
应用
并行 - 串行数据转换
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
参数
传播延迟
CP到Q
7,
Q
7
PL到Q
7,
Q
7
D
7
以Q
7,
Q
7
最大时钟频率
输入电容
每个功率耗散电容
包
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
16
15
11
56
3.5
35
14
17
11
48
3.5
35
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
HCT
单位
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位并行输入/串行输出移位寄存器
引脚说明
PIN号
1
7
9
2
8
10
11, 12, 13, 14, 3, 4, 5, 6
15
16
符号
PL
Q
7
Q
7
CP
GND
D
s
D
0
到D
7
CE
V
CC
名称和功能
异步并行加载输入（低电平有效）
从最后级的输出互补
从最后级的串行输出
时钟输入端（低到高边缘触发）
接地（ 0 V ）
串行数据输入
并行数据输入
时钟使能输入（低电平有效）
正电源电压
74HC/HCT165
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
图3 IEC逻辑符号。
1990年12月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位并行输入/串行输出移位寄存器
74HC/HCT165
图4的功能框图。
功能表
操作模式
PL
并行加载
L
L
H
H
H
X
X
L
L
H
CE
X
X
↑
↑
X
输入
CP
X
X
l
h
X
D
S
L
H
X
X
X
D
0
-D
7
L
H
L
H
q
0
Q
n
注册
Q
0
Q
1
-Q
6
L-L
H-H
q
0
-q
5
q
0
-q
5
q
1
-q
6
L
H
q
6
q
6
q
7
输出
Q
7
H
L
q
6
q
6
q
7
Q
7
串行移位
持有“什么都不做”
记
1. H =高电压电平
H =高电平电压电平一个建立时间之前的低到高的时钟转变
L =低电压等级
I =低电平一个建立时间之前低到高时钟转换
Q =小写字母表示的参考输出一个建立时间之前的状态
低到高时钟转换
X =无关
↑
=低到高的时钟跳变
图5的逻辑图。
1990年12月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位并行输入/串行输出移位寄存器
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： MSI
AC特性慧聪
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
CE， CP为Q
7
, Q
7
传播延迟
PL到Q
7
, Q
7
传播延迟
D
7
以Q
7
, Q
7
输出转换
时间
时钟脉冲宽度
高或低
并联负载脉冲
宽度;低
拆除时间
PL到CP ，CE
建立时间
D
s
到CP ，CE
建立时间
CE到CP ;
CP到CE
建立时间
D
n
到PL
80
16
14
80
16
14
100
20
17
80
16
14
80
16
14
80
16
14
+25
典型值。
52
19
15
50
18
14
36
13
10
19
7
6
17
6
5
14
5
4
22
8
6
11
4
3
17
6
5
22
8
6
马克斯。
165
33
28
165
33
28
120
24
20
75
15
13
100
20
17
100
20
17
125
25
21
100
20
17
100
20
17
100
20
17
40
to
+85
分钟。
马克斯。
205
41
35
205
41
35
150
30
26
95
19
16
120
24
20
120
24
20
150
30
26
120
24
20
120
24
20
120
24
20
40
to
+125
分钟。
马克斯。
250
50
43
250
50
43
180
36
31
110
22
19
ns
单位
74HC/HCT165
测试条件
V
CC
波形
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
Fig.6
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.6
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.6
t
THL
/ t
TLH
ns
Fig.6
t
W
ns
Fig.6
t
W
ns
Fig.6
t
REM
ns
Fig.6
t
su
ns
Fig.6
t
su
ns
Fig.6
t
su
ns
Fig.6
1990年12月
5
74HC165 ; 74HCT165
8位并行输入/串行输出移位寄存器
牧师03 - 2008年3月14日
产品数据表
1.概述
该74HC165 ; 74HCT165是符合高速硅栅CMOS器件
JEDEC标准没有。 7A 。它们的引脚与低功率肖特基TTL （ LSTTL ）兼容。
该74HC165 ; 74HCT165是8位并行负载或串行输入移位寄存器用
互补的串行输出（ Q7和Q7），可从最后阶段。当
并行负载（PL）输入为低时，并行数据从D0到D7的输入被装入
注册异步。
当PL为高电平时，数据输入寄存器串行的DS输入和转移一个地方
右（ Q0
→
Q1
→
Q 2等）与每个正向时钟过渡。此功能
允许并行到串行转换器扩张绑Q7输出的的DS输入
后级。
时钟输入是一个选通或结构，它允许一个输入端被用作活性
低时钟使能（ CE）输入。引脚分配为CP和CE输入可以是任意
并且可以逆转的布局方便。输入CE低到高的转变
只应而CP高可预测的操作。无论是在CP或者CE
应该是高PL的低到高的转变之前，以防止移位数据
当PL被激活。
2.特点
I
I
I
I
异步8位并行负载
同步串行输入
符合JEDEC标准没有。 7A
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.应用
I
并行 - 串行数据转换
恩智浦半导体
74HC165 ; 74HCT165
8位并行输入/串行输出移位寄存器
4.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围名称
74HC165N
74HCT165N
74HC165D
74HCT165D
74HC165DB
74HCT165DB
74HC165PW
74HCT165PW
74HC165BQ
74HCT165BQ
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
TSSOP16
40 °C
+125
°C
SSOP16
塑料小外形封装; 16线索;车身宽度
5.3 mm
塑料薄小外形封装; 16线索;体
宽度4.4毫米
SOT338-1
SOT403-1
SOT763-1
40 °C
+125
°C
SO16
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米SOT109-1
40 °C
+125
°C
DIP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）
VERSION
SOT38-4
型号封装
DHVQFN16塑料双列直插兼容的热增强型很瘦
四，在FL封装;没有线索; 16个终端;体
2.5
×
3.5
×
0.85 mm
5.功能图
SRG8
C2[LOAD]
G1[SHIFT]
15
10
11
12
13
14
3
4
5
6
1
DS
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
PL
CP CE
2
15
mna985
mna986
1
≥
1
2
10
11
12
13
14
Q7
Q7
9
7
3
4
5
1
C3/
3D
2D
2D
9
6
7
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
74HC_HCT165_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年3月14日
2 22
恩智浦半导体
74HC165 ; 74HCT165
8位并行输入/串行输出移位寄存器
11 12 13 14 3
4
5
6
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
1 PL
10 DS
2 CP
15 CE
8位移位寄存器
行进/串行出
Q7 9
Q7 7
mna992
图3 。
工作原理图
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC165
74HCT165
PL
CP
D4
D5
D6
D7
Q7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aah564
74HC165
74HCT165
16 V
CC
15 CE
CP
14 D3
13 D2
12 D1
11 D0
10 DS
9
Q7
D4
D5
D6
D7
Q7
2
3
4
5
6
7
8
GND
Q7
9
GND
(1)
1号航站楼
索引区
16 V
CC
15 CE
14 D3
13 D2
12 D1
11 D0
10 DS
PL
1
001aah565
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入。
图4 。
引脚CON组fi guration （ DIP16 ， SO16
和（ T） SSOP16 ）
图5 。
引脚CON组fi guration （ DHVQFN16 ）
74HC_HCT165_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年3月14日
3 22
恩智浦半导体
74HC165 ; 74HCT165
8位并行输入/串行输出移位寄存器
6.2引脚说明
表2中。
符号
PL
CP
Q7
GND
Q7
DS
D0到D7
CE
V
CC
引脚说明
针
1
2
7
8
9
10
11, 12, 13, 14, 3, 4, 5, 6
15
16
描述
异步并行加载输入（低电平有效）
时钟输入端（低到高边缘触发）
从最后级的输出互补
接地（ 0 V ）
从最后级的串行输出
串行数据输入
并行数据输入（也称为DN）
时钟使能输入（低电平有效）
正电源电压
7.功能描述
表3中。
功能表
[1]
输入
PL
并行加载
串行移位
L
L
H
H
H
H
持有“什么都不做”
H
H
[1]
H =高电压电平;
H =高电平电压电平一个建立时间之前的低到高的时钟转变;
L =低电压电平;
升=低电压电平的一个建立时间之前的低到高的时钟转变;
Q =引用的输出状态，一个建立时间之前低到高时钟转换;
X =不关心;
↑
=低到高时钟跳变。
操作模式
QN寄存器
CE
X
X
L
L
↑
↑
H
X
CP
X
X
↑
↑
L
L
X
H
DS
X
X
l
h
l
h
X
X
D0到D7 Q0
L
H
X
X
X
X
X
X
L
H
L
H
L
H
q0
q0
L到L
H至H
Q0到Q5
Q0到Q5
Q0到Q5
Q0到Q5
Q1到Q6
Q1到Q6
输出
Q7
H
L
q6
q6
q6
q6
q7
q7
L
H
q6
q6
q6
q6
q7
q7
Q1到Q6 Q7
74HC_HCT165_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年3月14日
4 22
恩智浦半导体
74HC165 ; 74HCT165
8位并行输入/串行输出移位寄存器
CP
CE
DS
PL
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
Q7
Q7
抑制
负载
串行移位
mna993
图6 。
时序图
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0 V）的
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
条件
民
0.5
-
-
-
-
50
65
最大
+7
±20
±20
±25
50
-
+150
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
74HC_HCT165_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年3月14日
5 22
QQ：2881677436 复制
