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集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT157
四2输入多路复用器
产品speci fi cation
在集成电路, IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入多路复用器
特点
非反相数据路径
输出能力:标准
I
CC
类别: MSI
概述
该74HC / HCT157是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
( LSTTL ) 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT157是四2输入多路复用器这
选择的控制下,从两个源4位数据
一个共同的数据选择输入(S) 。四个输出本
在真实(非反相)形式所选择的数据。该
使能输入( E)为低电平有效。当E为高电平时,所有的
所有其它输出( 1Y到4Y )低被迫不管
输入条件。
74HC/HCT157
移动从两个组寄存器的数据到四
常见的输出总线是一种普遍使用的“ 157 ” 。该
常见的数据选择输入( S)的状态决定
从该数据来源于特定寄存器。它也可以
用作函数发生器。
该设备是实现高度不规则的逻辑有用
通过生成的两个16不同的功能任意四个
变量与一个变量常见。
的“ 157 ”是逻辑实现一个4极的,
2-位开关,其中所述开关的位置是
通过施加到S的逻辑电平来确定
的逻辑方程是:
1Y = E. (1升
1
.S + 1升
0
.S)
2Y = E。 (2升
1
.S + 2升
0
.S)
3Y = E。 (3升
1
.S + 3升
0
.S)
4Y = E. (41-3
1
.S + 4升
0
.S)
的“ 157 ”是相同的“ 158 ”,但具有非反相
(真)输出。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
参数
传播延迟
nI
0
1
到纽约
E至纽约
S到纽约
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
1990年12月
2
输入电容
每个多路复用器的功率耗散电容注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
11
11
12
3.5
70
13
12
19
3.5
70
ns
ns
ns
pF
pF
HCT
单位
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入多路复用器
引脚说明
PIN号
1
2, 5, 11, 14
3, 6, 10, 13
4, 7, 9, 12
8
15
16
符号
S
1I
0
到4I
0
1I
1
到4I
1
1Y到4Y
GND
E
V
CC
名称和功能
常见的数据输入选择
从源代码0的数据输入
从源1数据输入
多路输出
接地( 0 V )
使能输入(低电平有效)
正电源电压
74HC/HCT157
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
图3 IEC逻辑符号。
1990年12月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入多路复用器
功能表
输入
E
H
L
L
L
L
笔记
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
S
X
L
L
H
H
nI
0
X
L
H
X
X
74HC/HCT157
产量
nI
1
X
X
X
L
H
nY
L
L
H
L
H
图4的功能框图。
图5的逻辑图。
1990年12月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入多路复用器
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力:标准
I
CC
类别: MSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
符号参数
+25
分钟。
典型值。
马克斯。
74HC/HCT157
测试条件
单位
V
CC
波形
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
Fig.7
74HC
40
+85
分钟。
马克斯。
40
+125
分钟。
马克斯。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
nI
0
到纽约;
nI
1
到纽约
传播延迟
E至纽约
传播延迟
S到纽约
输出转换
时间
36
13
10
39
14
11
41
15
12
19
7
6
125
25
21
115
23
20
125
25
21
75
15
13
155
31
26
145
29
25
155
31
26
95
19
16
190
38
32
175
35
30
190
38
32
110
22
19
ns
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.6
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.7
t
THL
/ t
TLH
ns
图6和图7中
1990年12月
5
74HC157 ; 74HCT157
四2输入多路复用器
第3版 - 2010年12月31日
产品数据表
1.概述
该74HC157 ; 74HCT157是高速硅栅CMOS器件,其引脚兼容
低功耗肖特基TTL 。它被指定符合JEDEC标准没有。 7A 。
该74HC / HCT157是这两个选择4位数据的四2输入多路复用器
常见的数据的控制下源选择输入( S) 。使能输入(E)是
低电平有效。当E为高电平时,所有的输出( 1Y到4Y )被强制为低,无论
所有其他的输入条件。
移动从两个组寄存器的数据到4公共输出总线是一种常见的
使用74HC / HCT157的。共用数据中选择输入(S)的状态确定
从该数据来源于特定寄存器。它也可以用作函数发生器。
该装置是由产生的任何四个执行极不规范的逻辑有用
16个不同的两个变量与一个可变共同的功能。该74HC / HCT157是
逻辑实现的一个四极,二位开关,其中所述开关的位置是
确定由施加到S的逻辑电平
的逻辑方程是:
1Y = E ( 1I1 S + 1I0 S)
2Y = E ( 2I1 S + 2I0 S)
3Y = E ( 3I1 S + 3I0 S)
4Y = E ( 4I1 S + 4I0 S)
该74HC / HCT157是相同的74HC158而具有非反相(真)输出。
2.特点和好处科幻TS
低功耗
非反相数据路径
ESD保护:
HBM JESD22 - A114F超过2 000 V
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
从指定的
40 C
+85
C
40 C
+125
C
恩智浦半导体
74HC157 ; 74HCT157
四2输入多路复用器
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74HC157N
74HCT157N
74HC157D
74HCT157D
74HC157DB
74HCT157DB
74HC157PW
74HCT157PW
74HC157BQ
74HCT157BQ
40 C
+125
C
DHVQFN16
40 C
+125
C
TSSOP16
40 C
+125
C
SSOP16
40 C
+125
C
SO16
塑料小外形封装; 16线索;车身宽度
3.9 mm
塑料小外形封装; 16线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;
体宽4.4毫米
塑料双列直插兼容非常热增强
薄型四方扁平封装;没有线索; 16个终端;
机身2.5
3.5
0.85 mm
SOT109-1
SOT338-1
SOT403-1
SOT763-1
40 C
+125
C
名字
DIP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线( 300万)
VERSION
SOT38-4
型号封装
4.功能图
S
E
1I1
1Y
1I0
2I1
2Y
2I0
2
3Y
1I0 1I1 2I0 2I1 3I0 3I1 4I0 4I1
3I0
1
15
4I1
4Y
4I0
mna484
3I1
3
5
6
11
10
14
13
S
E
1Y
4
2Y
7
3Y
9
4Y
12
mna481
图1.逻辑图
图2.逻辑符号
74HC_HCT157
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产品数据表
第3版 - 2010年12月31日
2 18
恩智浦半导体
74HC157 ; 74HCT157
四2输入多路复用器
1
2
3
5
6
11
10
14
13
1I0
1I1
2I0
2Y
2I1
3I0
3I1
4I0
4I1
4Y 12
选择器
多路复用器
输出
7
1Y
4
15
G1
EN
2
3
1
1
MUX
4
3Y
9
5
6
11
10
14
7
9
S
1
E
15
mna483
13
mna482
12
图3.逻辑符号
图4. IEC逻辑符号
5.管脚信息
5.1钢钉
74HC157
74HCT157
1号航站楼
索引区
1I0
16 V
CC
15 E
14 4I0
13 4I1
12 4Y
11 3I0
10 3I1
9
001aan353
74HC157
74HCT157
S
1I0
1I1
1Y
2I0
2I1
2Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
2
3
4
5
6
7
8
GND
3Y
9
GND
(1)
16 V
CC
15 E
14 4I0
13 4I1
12 4Y
11 3I0
10 3I1
1I1
1Y
2I0
2I1
2Y
1
S
3Y
001aan354
透明的顶视图
(1)
这不是电源引脚。衬底被附连到
使用导电这片芯片粘接材料。那里
没有电或机械要求的焊料
这种垫。然而,如果它被焊接时,焊料的土地
应保持浮动或连接到GND 。
图5 。
引脚配置DIP16 , SO16 , ( T) SSOP16
图6.引脚CON组fi guration DHVQFN16
74HC_HCT157
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产品数据表
第3版 - 2010年12月31日
3 18
恩智浦半导体
74HC157 ; 74HCT157
四2输入多路复用器
5.2引脚说明
表2中。
符号
S
1I0到4I0
1I1到4I1
1Y到4Y
GND
E
V
CC
引脚说明
1
2, 5, 11, 14
3, 6, 10, 13
4, 7, 9, 12
8
15
16
描述
常见的数据输入选择
从源代码0的数据输入
从源1数据输入
多路输出
接地( 0 V )
使能输入(低电平有效)
电源电压
6.功能描述
表3中。
输入
E
H
L
L
L
L
[1]
功能表
[1]
产量
S
X
L
L
H
H
nI0
X
L
H
X
X
nI1
X
X
X
L
H
nY
L
L
H
L
H
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不在乎。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
SO16封装
TSSOP16封装
DHVQFN16包
[1]
[2]
P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
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条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到(V
CC
+ 0.5 V)
0.5
-
-
-
-
-
65
最大
+7
20
20
25
+50
50
+150
500
500
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
mW
T
AMB
=
40 C
+125
C
[1]
[2]
[3]
-
-
-
74HC_HCT157
产品数据表
第3版 - 2010年12月31日
4 18
恩智浦半导体
74HC157 ; 74HCT157
四2输入多路复用器
[3]
P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
C.
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND(地= 0 V)的
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
74HC157
2.0
0
0
40
-
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
1.67
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
74HCT157
4.5
0
0
40
-
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
1.67
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
-
139
-
V
V
V
C
NS / V
NS / V
NS / V
单位
9.静态特性
表6 。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
条件
T
AMB
= 25
C
74HC157
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
OH
高位
输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
5.2
毫安; V
CC
= 6.0 V
V
OL
低电平
输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 20
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 5.2毫安; V
CC
= 6.0 V
I
I
输入漏
当前
V
I
= V
CC
或GND ;
V
CC
= 6.0 V
-
-
-
-
-
-
0
0
0
0.15
0.16
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.1
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.0
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
1.0
V
V
V
V
V
A
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
2.0
4.5
6.0
4.32
5.81
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.2
2.4
3.2
0.8
2.1
2.8
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
V
V
V
V
V
V
典型值
最大
T
AMB
=
40 C
to
+85
C
最大
T
AMB
=
40 C
到单位
+125
C
最大
74HC_HCT157
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产品数据表
第3版 - 2010年12月31日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    74HCT157N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ:1402770874 复制

电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
74HCT157N
TI
18+
1000
QFN
原装正品 力挺实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
74HCT157N
PHI
21+
15000.00
DIP-16
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
74HCT157N
TI
24+
6400
DIP
100%原装正品,只做原装正品
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