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74HC14 ; 74HCT14
六角反相施密特触发器
启示录6 - 2012年9月19日
产品数据表
1.概述
该74HC14 ; 74HCT14是高速硅栅CMOS器件，其引脚与兼容
低功耗肖特基TTL （ LSTTL ） 。这是符合JEDEC标准规定
没有。 7A 。
该74HC14 ; 74HCT14提供了六个反相缓冲器带施密特触发器的动作。这是
能够转化缓慢变化的输入信号转换成大幅德网络定义，无抖动
输出信号。
2.特点和好处科幻TS
低功耗
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
3.应用
波和脉冲整形器
非稳态多谐振荡器
单稳态触发器
恩智浦半导体
74HC14 ; 74HCT14
六角反相施密特触发器
6.管脚信息
6.1钢钉
1号航站楼
索引区
1Y
1A
1Y
2A
2Y
3A
3Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aac498
2
3
4
5
6
7
GND
4Y
8
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9
4A
14 V
CC
13 6A
12 6Y
2A
2Y
3A
3Y
14
11 5A
10 5Y
9
8
4A
4Y
GND
(1)
1
1A
14
001aac499
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作一个
电源引脚或输入。
图4 。
引脚CON组fi guration DIP14 ， SO14和（ T） SSOP14
图5 。
引脚配置DHVQFN14
6.2引脚说明
表2中。
符号
1A至6A
1Y到6Y
GND
V
CC
引脚说明
针
1, 3, 5, 9, 11, 13
2, 4, 6, 8, 10, 12
7
14
描述
数据输入1
数据输出1
接地（ 0 V ）
电源电压
7.功能描述
表3中。
输入
nA
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nY
H
L
74HC_HCT14
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产品数据表
启示录6 - 2012年9月19日
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恩智浦半导体
74HC14 ; 74HCT14
六角反相施密特触发器
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP14封装
SO14 ， （ T）和SSOP14
DHVQFN14包
[1]
[2]
[2]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
20
20
25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP14封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO14封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于（T ） SSOP14封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
对于DHVQFN14包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
C.
9.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0 V）的
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
民
2.0
0
0
40
74HC14
典型值
5.0
-
-
+25
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
民
4.5
0
0
40
74HCT14
典型值
5.0
-
-
+25
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
C
单位
74HC_HCT14
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产品数据表
启示录6 - 2012年9月19日
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