集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT14
六角反相施密特触发器
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1993年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
特点
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
概述
74HC/HCT14
该74HC / HCT14是高速硅栅CMOS器件，引脚与低功率肖特基TTL （ LSTTL ）兼容。
他们都符合JEDEC标准没有规定。 7A 。
该74HC / HCT14提供六反相缓冲器带施密特触发器的动作。它们能够转化慢慢
变化的输入信号转换成大幅德网络定义，无抖动的输出信号。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
每门功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
12
3.5
7
17
3.5
8
HCT
ns
pF
pF
单位
1993年9月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
直流特性FOR 74HC
74HC/HCT14
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
传输特性
下面给出。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
传热性能的74HC
电压参考GND（地= 0 V）的
T
AMB
(°C)
74HC
符号参数
+25
分钟。
V
T
+
正向
门槛
负向
门槛
迟滞
(V
T
+
V
T
)
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
典型值。
1.18
2.38
3.14
0.52
1.40
1.89
0.66
0.98
1.25
马克斯。
1.5
3.15
4.2
0.90
2.00
2.60
1.0
1.4
1.6
40
+85
分钟。
0.7
1.7
2.1
0.3
0.90
1.20
0.2
0.4
0.6
马克斯。
1.5
3.15
4.2
0.90
2.00
2.60
1.0
1.4
1.6
40
+125
分钟。
0.7
1.7
2.1
0.30
0.90
1.2
0.2
0.4
0.6
马克斯。
1.5
3.15
4.2
0.90
2.00
2.60
1.0
1.4
1.6
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
图6和图7
单位
V
CC
波形
(V)
测试条件
V
T
V
图6和图7
V
H
V
图6和图7
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
f
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号参数
+25
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
nA至纽约
输出转换
时间
典型值。
41
15
12
19
7
6
马克斯。
125
25
21
75
15
13
40
+85
分钟。
马克斯。
155
31
26
95
19
15
40
+125
分钟。
马克斯。
190
38
32
110
22
19
ns
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
Fig.8
单位
V
CC
波形
(V)
测试条件
t
THL
/ t
TLH
ns
Fig.8
1993年9月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
直流特性FOR 74HCT
74HC/HCT14
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
传输特性
下面给出。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
注意HCT类型
额外的静态电源电流ΔI值（
CC
）为1个单位负载中给出家庭的规格。
确定
I
CC
每输入，乘以此值由下表中所示的单元的负载系数。
输入
nA
单元机组负荷系数
0.3
对于74HCT传输特性
电压参考GND（地= 0 V）的
T
AMB
(°C)
74HCT
符号参数
+25
分钟。
V
T
+
V
T
V
H
正向
门槛
负向
门槛
迟滞
(V
T
+
V
T
)
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
典型值。
1.41
1.59
0.85
0.99
0.56
0.60
马克斯。
1.9
2.1
1.2
1.4
40
+85
分钟。
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
马克斯。
1.9
2.1
1.2
1.4
40
+125
分钟。
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
马克斯。
1.9
2.1
1.2
1.4
V
V
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
图6和图7
图6和图7
图6和图7
单位
V
CC
波形
(V)
测试条件
AC特性74HCT
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HCT
符号参数
+25
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
t
THL
/ t
TLH
传播延迟
呐，到纽约
输出转换
时间
典型值。
20
7
马克斯。
34
15
40
+85
分钟。
马克斯。
43
19
40
+125
分钟。
马克斯。
51
22
ns
ns
4.5
4.5
Fig.8
Fig.8
单位
V
CC
(V)
波形
测试条件
1993年9月
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
特点
应用范围：
波和脉冲整形器
非稳态多谐振荡器
- 单稳多谐振荡器。
符合JEDEC标准没有。 7A
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
描述
74HC14 ; 74HCT14
该74HC14和74HCT14是高速硅栅CMOS
器件引脚与低功率肖特基兼容
TTL （ LSTTL ） 。它们是符合规定的
JEDEC标准没有。 7A 。
该74HC14和74HCT14提供六反相缓冲器
与施密特触发器动作。它们能够
转变缓慢变化的输入信号转换成大幅
定义的，无抖动的输出信号。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于类型74HC14的条件是V
I
= GND到V
CC
.
对于类型74HCT14的条件是V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V 12
3.5
7
17
3.5
8
HCT
ns
pF
pF
单位
2003年10月30
2
74HCT14
六角施密特触发器
逆变器输入通道
兼容输入
高性能硅栅CMOS
该74HCT14可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL
或NMOS输出高速CMOS输入。
该HCT14是有用的“方达”慢输入上升和下降时间。
由于施密特触发器的滞后电压时， HCT14发现
应用在噪声环境中。
特点
14
1
http://onsemi.com
记号
图表
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HCT14G
AWLYWW
输出驱动能力： 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
mA
符合JEDEC标准号7A要求
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏;机器型号
＆ GT ;
200 V
芯片的复杂性： 72场效应管或18个等效门
这些无铅器件
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HCT
14
ALYW
G
G
HCT14 =器件代码
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年3月，
第1版
1
出版订单号：
74HCT14/D
74HCT14
引脚分配
A1
Y1
A2
Y2
A3
Y3
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
A6
Y6
A5
Y5
A4
Y4
A4
9
8
Y4
A3
5
6
Y3
A2
逻辑图
A1
1
2
Y1
3
4
Y2
功能表
输入
A
L
H
产量
Y
H
L
A5
11
10
Y5
A6
13
12
Y6
-A
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
订购信息
设备
74HCT14DR2G
74HCT14DTR2G
包
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
航运
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
74HCT14
最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
I
闭锁
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中的85_C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
闭锁性能
氧指数： 30 ％
35%
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
上述V
CC
及以下GND在85_C （注3 ）
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
参数
（参考GND）
（参考GND）
（参考GND）
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5
到V
CC
)0.5
*0.5
到V
CC
)0.5
$20
$25
$25
$50
$50
*65
to
)150
260
)150
125
170
500
450
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
>2000
>200
$300
V
mA
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
mW
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
3.经测试EIA / JESD78 。
4.对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
, V
O
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压，输出电压
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
参数
（参考GND）
（参考GND）
民
4.5
0
*55
最大
5.5
V
CC
)125
（注5 ）
单位
V
V
_C
ns
5.无极限时， V
I
[
50% V
CC
, I
CC
> 1毫安。
6.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
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3
74HCT14
DC电气特性
（电压参考GND）
温度限制
V
CC
符号
V
T)
最大
V
T)
民
V
T*
最大
V
T*
民
V
H
最大
V
H
民
V
OH
参数
最大正向
输入阈值电压
最小正向
输入阈值电压
最大负向
输入阈值电压
最低负向
输入阈值电压
最大滞后
电压
最小滞后
电压
最小高级别
输出电压
测试条件
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
I
＆ LT ; V
T*
民
|I
OUT
|
v
20
mA
V
I
＆ LT ; V
T*
民
|I
OUT
|
v
4.0毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
I
≥
V
T)
最大
|I
OUT
|
v
20
mA
V
I
≥
V
T)
最大
|I
OUT
|
v
4.0毫安
I
IK
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
0.4
0.4
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
$0.1
2.0
0.5
0.6
1.4
1.5
0.4
0.4
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
$1.0
20
1.2
1.4
1.2
1.4
0.5
0.6
1.4
1.5
0.4
04
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
$1.0
40
mA
mA
V
V
*55_C
至25℃
民
最大
1.9
2.1
1.2
1.4
1.2
1.4
0.5
0.6
1.4
1.5
v85_C
民
最大
1.9
2.1
1.2
1.4
1.2
1.4
v125_C
民
最大
1.9
2.1
单位
V
V
w*55_C
DI
CC
其他静态
电源电流
V
I
= 2.4 V ，任何一个输入
V
I
= V
CC
或GND ，其它输入
l
OUT
= 0
mA
5.5
2.9
25 ° C至125°C
2.4
mA
典型参数值7，关于信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
AC特性
(C
L
= 50 pF的;输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
*55_C
至25℃
符号
参数
测试条件
科幻居雷什
民
最大
v85_C
民
最大
v125_C
民
最大
单位
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
最大传播
延迟，输入A到输出
Y（ L到高）
最大输出
过渡时间，任何
产量
V
CC
= 5.0 V
$10%
C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒
V
CC
= 5.0 V
$10%
C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒
1&2
32
40
48
ns
1&2
15
19
22
ns
8.对于传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的，而信息，请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容，每个逆变器（注9 ）
32
pF
9.用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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4
74HC14 ; 74HCT14
六角反相施密特触发器
启示录6 - 2012年9月19日
产品数据表
1.概述
该74HC14 ; 74HCT14是高速硅栅CMOS器件，其引脚与兼容
低功耗肖特基TTL （ LSTTL ） 。这是符合JEDEC标准规定
没有。 7A 。
该74HC14 ; 74HCT14提供了六个反相缓冲器带施密特触发器的动作。这是
能够转化缓慢变化的输入信号转换成大幅德网络定义，无抖动
输出信号。
2.特点和好处科幻TS
低功耗
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
3.应用
波和脉冲整形器
非稳态多谐振荡器
单稳态触发器
恩智浦半导体
74HC14 ; 74HCT14
六角反相施密特触发器
6.管脚信息
6.1钢钉
1号航站楼
索引区
1Y
1A
1Y
2A
2Y
3A
3Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aac498
2
3
4
5
6
7
GND
4Y
8
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9
4A
14 V
CC
13 6A
12 6Y
2A
2Y
3A
3Y
14
11 5A
10 5Y
9
8
4A
4Y
GND
(1)
1
1A
14
001aac499
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作一个
电源引脚或输入。
图4 。
引脚CON组fi guration DIP14 ， SO14和（ T） SSOP14
图5 。
引脚配置DHVQFN14
6.2引脚说明
表2中。
符号
1A至6A
1Y到6Y
GND
V
CC
引脚说明
针
1, 3, 5, 9, 11, 13
2, 4, 6, 8, 10, 12
7
14
描述
数据输入1
数据输出1
接地（ 0 V ）
电源电压
7.功能描述
表3中。
输入
nA
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nY
H
L
74HC_HCT14
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启示录6 - 2012年9月19日
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恩智浦半导体
74HC14 ; 74HCT14
六角反相施密特触发器
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP14封装
SO14 ， （ T）和SSOP14
DHVQFN14包
[1]
[2]
[2]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
20
20
25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP14封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO14封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于（T ） SSOP14封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
对于DHVQFN14包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
C.
9.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0 V）的
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
民
2.0
0
0
40
74HC14
典型值
5.0
-
-
+25
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
民
4.5
0
0
40
74HCT14
典型值
5.0
-
-
+25
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
C
单位
74HC_HCT14
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