【74HC11 ; 74HCT11三路3输入与门版本04 - 2010年3月25日产品数据表1.概述该】,IC型号74HCT11D,74HCT11D PDF资料,74HCT11D经销商,ic,电子元器件-51电子网

74HC11 ; 74HCT11

三路3输入与门

版本04 - 2010年3月25日

产品数据表

1.概述

该74HC11 ; 74HCT11是符合JEDEC的高速硅栅CMOS器件

没有标准。 7A 。它们的引脚与低功率肖特基TTL （ LSTTL ）兼容。

该74HC11 ; 74HCT11提供了三重3-输入AND功能。

2.特点

输入电平：

对于74HC11 ： CMOS电平

对于74HCT11 ： TTL电平

ESD保护：

HBM JESD22 - A114F超过2 000 V

MM JESD22 - A115 - A超过200 V

多种封装选择

从指定的

40 °C

+85

°C

从

40 °C

+125

°C

3.订购信息

表1中。

订购信息

包

温度范围

74HC11N

74HCT11N

74HC11D

74HCT11D

74HC11DB

74HCT11DB

74HC11PW

74HCT11PW

40 °C

+125

°C

TSSOP14

40 °C

+125

°C

SSOP14

40 °C

+125

°C

SO14

塑料小外形封装; 14线索;车身宽度

3.9 mm

塑料小外形封装; 14线索;体

宽度5.3毫米

塑料薄小外形封装; 14线索;

体宽4.4毫米

SOT108-1

SOT337-1

SOT402-1

40 °C

+125

°C

名字

DIP14

描述

塑料双列直插式封装; 14引线（ 300万）

VERSION

SOT27-1

类型编号

恩智浦半导体

74HC11 ; 74HCT11

三路3输入与门

4.功能图

1

2

13

3

4

5

9

10

11

1A

1B

1C

2A

2B

2C

3A

3B

3C

mna793

2

1Y

12

13

3

2Y

6

4

5

＆放大器;

12

＆放大器;

6

A

3Y

8

9

10

11

mna792

＆放大器;

8

B

C

Y

mna794

图1 。

逻辑符号

图2 。

IEC逻辑符号

图3 。

一门逻辑图

5.管脚信息

5.1钢钉

74HC11

74 HCT11

1A

1B

2A

2B

2C

2Y

GND

1

2

3

4

5

6

7

001aal407

14 V

CC

13 1C

1A

12 1Y

11 3C

10 3B

9

8

3A

3Y

1B

2A

2B

2C

2Y

GND

1

2

3

4

5

6

7

74HC11

74HCT11

14 V

CC

13 1C

12 1Y

11 3C

10 3B

9

8

3A

3Y

001aal408

图4 。

引脚配置DIP14和SO14

图5 。

引脚配置（T ） SSOP14

5.2引脚说明

表2中。

符号

1A, 2A, 3A

1B, 2B, 3B

GND

1C, 2C, 3C

1Y, 2Y, 3Y

V

CC

引脚说明

针

1, 3, 9

2, 4, 10

7

13, 5, 11

12, 6, 8

14

描述

数据输入

接地（ 0 V ）

数据输入

数据输出

电源电压

74HC_HCT11_4

产品数据表

版本04 - 2010年3月25日

2 15

恩智浦半导体

74HC11 ; 74HCT11

三路3输入与门

6.功能描述

表3中。

输入

nA

L

X

H

[1]

功能选择

[1]

产量

nB

X

L

X

H

nC

X

L

H

nY

L

H

H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心

7.极限值

表4 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。电压参考GND（地= 0V）。

符号

V

CC

I

IK

I

OK

I

O

I

CC

I

GND

T

英镑

P

合计

参数

电源电压

输入钳位电流

输出钳位电流

输出电流

电源电流

地电流

储存温度

总功耗

DIP14封装

SO14和（ T） SSOP14

套餐

[1]

[2]

条件

V

I

＆ LT ;

0.5

V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

V

O

＆ LT ;

0.5

V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

0.5

V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5 V

[1]

民

0.5

-

50

65

-

最大

+7

±20

±25

50

-

+150

750

500

单位

V

mA

°C

mW

如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

对于DIP14封装：P

合计

减额直线为12毫瓦/ K以上70

°C.

对于SO14封装：P

合计

减额线性8毫瓦/ K以上70

°C.

对于（T ） SSOP14封装：P

合计

减额线性5.5毫瓦/ K以上60

°C.

74HC_HCT11_4

产品数据表

版本04 - 2010年3月25日

3 15

恩智浦半导体

74HC11 ; 74HCT11

三路3输入与门

8.推荐工作条件

表5 。

推荐工作条件

电压参考GND（地= 0 V）的

符号参数

V

CC

V

I

V

O

T

AMB

ΔT/ ΔV

电源电压

输入电压

输出电压

环境温度

输入过渡上升和下降率

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

条件

民

2.0

0

40

-

74HC11

典型值

5.0

-

1.67

-

最大

6.0

V

CC

V

CC

+125

625

139

83

民

4.5

0

40

-

74HCT11

典型值

5.0

-

1.67

-

最大

5.5

V

CC

V

CC

+125

-

139

-

V

°C

NS / V

单位

9.静态特性

表6 。

静态特性

在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。

符号参数

74HC11

V

IH

高位

输入电压

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

V

IL

低电平

输入电压

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

V

OH

高位

输出电压

V

I

= V

IH

或V

IL

I

O

=

20 μA;

V

CC

= 2.0 V

I

O

=

20 μA;

V

CC

= 4.5 V

I

O

=

20 μA;

V

CC

= 6.0 V

I

O

=

4.0

毫安; V

CC

= 4.5 V

I

O

=

5.2

毫安; V

CC

= 6.0 V

V

OL

低电平

输出电压

V

I

= V

IH

或V

IL

I

O

= 20

μA;

V

CC

= 2.0 V

I

O

= 20

μA;

V

CC

= 4.5 V

I

O

= 20

μA;

V

CC

= 6.0 V

I

O

= 4.0毫安; V

CC

= 4.5 V

I

O

= 5.2毫安; V

CC

= 6.0 V

I

CC

输入漏

当前

电源电流

V

I

= V

CC

或GND ;

V

CC

= 6.0 V

V

I

= V

CC

或GND ;我

O

= 0 A;

V

CC

= 6.0 V

-

0

0.15

0.16

-

0.1

0.26

±0.1

2.0

-

0.1

0.33

±1

20

-

0.1

0.4

±1

40

V

μA

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

2.0

4.5

6.0

4.32

5.81

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

V

1.5

3.15

4.2

-

1.2

2.4

3.2

0.8

2.1

2.8

-

0.5

1.35

1.8

1.5

3.15

4.2

-

0.5

1.35

1.8

1.5

3.15

4.2

-

0.5

1.35

1.8

V

条件

民

25

°C

典型值

最大

40 °C

+85

°C 40 °C

+125

°C

单位

民

最大

民

最大

74HC_HCT11_4

产品数据表

版本04 - 2010年3月25日

4 15

恩智浦半导体

74HC11 ; 74HCT11

三路3输入与门

表6 。

静态特性

- 续

在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。

符号参数

C

I

74HCT11

V

IH

V

IL

V

OH

高位

输入电压

低电平

输入电压

高位

输出电压

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

V

I

= V

IH

或V

IL

; V

CC

= 4.5 V

I

O

=

20 μA

I

O

=

4.0

mA

V

OL

I

CC

ΔI

CC

低电平

输出电压

输入漏

当前

电源电流

另外

电源电流

V

I

= V

IH

或V

IL

; V

CC

= 4.5 V

I

O

= 20

μA;

V

CC

= 4.5 V

V

I

= V

CC

或GND ;

V

CC

= 5.5 V

V

I

= V

CC

或GND ;我

O

= 0 A;

V

CC

= 5.5 V

每个输入引脚;

V

I

= V

CC

2.1 V ;我

O

= 0 A;

其他输入在V

CC

或GND ;

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

-

0

-

100

0.1

±0.1

2.0

360

-

0.1

±1

20

450

-

0.1

±1

40

490

V

μA

4.4

3.98

4.5

4.32

-

4.4

3.84

-

4.4

3.7

-

V

2.0

-

1.6

1.2

-

0.8

2.0

-

0.8

2.0

-

0.8

V

输入

电容

条件

民

-

25

°C

典型值

3.5

最大

-

40 °C

+85

°C 40 °C

+125

°C

单位

民

-

最大

-

民

-

最大

-

pF

C

I

输入

电容

-

3.5

-

pF

10.动态特性

表7中。

动态特性

GND = 0 V ;

C

L

= 50 pF的;

对于负载电路见

图7 。

符号参数

条件

民

74HC11

t

pd

传播延迟呐， NB到纽约;看

图6

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 5.0 V ;

L

= 15 pF的

V

CC

= 6.0 V

t

转换时间

SEE

图6

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

C

PD

功耗

电容

每包; V

I

= GND到V

CC

[3]

[2]

[1]

25

°C

典型值

最大

40 °C

+125

°C

单位

最大

(85

°C)

最大

(125

°C)

-

32

12

9

10

19

7

6

18

100

20

-

17

75

15

13

-

125

25

-

21

95

19

16

-

150

30

-

26

110

22

19

-

ns

pF

74HC_HCT11_4

产品数据表

版本04 - 2010年3月25日

5 15

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格

该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息

该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要

74HC/HCT11

三路3输入与门

产品speci fi cation

在集成电路， IC06文件

1990年12月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三路3输入与门

特点

输出能力：标准

I

CC

类别： SSI

概述

74HC/HCT11

该74HC / HCT11是高速硅栅CMOS器件，引脚与低功率肖特基TTL （ LSTTL ）兼容。

他们都符合JEDEC标准没有规定。 7A 。该74HC / HCT11提供的3-输入AND功能。

快速参考数据

GND = 0 V ;吨

AMB

= 25

°C;

t

r

= t

f

= 6纳秒

典型

符号

t

PHL

/ t

PLH

C

I

C

PD

笔记

1. C

PD

被用于确定所述动态功耗（P

D

in

W):

P

D

= C

PD

×

V

CC2

×

f

i

+

∑

(C

L

×

V

CC2

×

f

o

）其中：

f

i

=输入MHz的频率

f

o

=输出MHz的频率

C

L

在PF =输出负载电容

V

CC

在V =电源电压

∑

(C

L

×

V

CC2

×

f

o

） =产出的总和

2.对于HC的条件为V

I

= GND到V

CC

对于HCT的条件为V

I

= GND到V

CC

1.5 V

订购信息

SEE

“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。

参数

传播延迟呐， NB ，NC到纽约

输入电容

每门功耗电容注1和2

条件

HC

C

L

= 15 pF的; V

CC

= 5 V

10

3.5

18

11

3.5

20

HCT

ns

pF

单位

1990年12月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三路3输入与门

引脚说明

PIN号

1, 3, 9

2, 4, 10

7

12, 6, 8

13, 5, 11

14

符号

1A到3A

1B到3B

GND

1Y到3Y

1C到3C

V

CC

名称和功能

数据输入

接地（ 0 V ）

数据输出

数据输入

正电源电压

74HC/HCT11

Fig.1引脚配置。

图2逻辑符号。

图3 IEC逻辑符号。

功能表

输入

nA

L

H

图4的功能框图。

图5的逻辑图（ 1栅极）。

H

笔记

1. H =高电压电平

L =低电压等级

nB

L

H

L

H

nC

L

H

L

H

L

H

L

H

产量

nY

L

H

1990年12月

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三路3输入与门

直流特性FOR 74HC

对于DC特性见

“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。

输出能力：标准

I

CC

类别： SSI

AC特性74HC

GND = 0 V ;吨

r

= t

f

= 6纳秒;

L

= 50 pF的

T

AMB

(°C)

74HC

符号参数

+25

分钟。

t

PHL

/ t

PLH

传播延迟

呐， NB ，NC到纽约

典型值。

32

12

10

t

THL

/ t

TLH

输出转换

时

19

7

6

马克斯。

100

20

17

75

15

13

40

+85

分钟。

马克斯。

125

25

21

95

19

16

40

+125

分钟。

马克斯。

150

30

26

110

22

19

ns

单位

74HC/HCT11

测试条件

V

CC

波形

(V)

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

Fig.6

1990年12月

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三路3输入与门

直流特性FOR 74HCT

对于DC特性见

“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。

输出能力：标准

I

CC

类别： SSI

74HC/HCT11

注意HCT类型

额外的静态电源电流ΔI值（

CC

）为1个单位负载中给出家庭的规格。

“为了确定

I

CC

每输入，乘以此值由下表中所示的单元的负载系数。

输入

呐， NB ，NC

单元机组负荷系数

1.00

AC特性74HCT

GND = 0 V ;吨

r

= t

f

= 6纳秒;

L

= 50 pF的

T

AMB

(°C)

74HCT

符号参数

+25

分钟。

t

PHL

/ t

PLH

t

THL

/ t

TLH

传播延迟

呐， NB ，NC到纽约

输出转换

时

典型值。

16

7

马克斯。

24

15

40

+85

分钟。

马克斯。

30

19

40

+125

分钟。

马克斯。

36

22

ns

4.5

Fig.6

单位

V

CC

(V)

波形

测试条件

AC波形

（ 1 ） HC ： V

M

= 50%; V

I

= GND到V

CC

HCT ： V

M

= 1.3 V; V

I

= GND 3 V.

Fig.6

波形显示输入（NA ， NB ， NC）输出（纽约州）的传播延迟和输出转换

次。

包装纲要

SEE

“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要” 。

1990年12月

5