74HCT08
四2输入与门
与LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该74HCT08是引出线的LS08相同。该装置具有
TTL兼容的输入。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HCT08G
AWLYWW
输出驱动能力： 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏;机器型号
＆ GT ;
200 V
芯片的复杂性： 24场效应管或6个等效门
这些无铅器件
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
1
3
2
4
6
5
9
8
10
12
11
13
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
Y4
Y3
Y2
Y = AB
Y1
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HCT
08
ALYW
G
G
HCT08 =器件代码
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
Y
=年
WW或W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
V
CC
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
订购信息
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年5月
第2版
1
出版订单号：
74HCT08/D
74HCT08
订购信息
设备
74HCT08DR2G
74HCT08DR2GH
74HCT08DTR2G
包
SOIC14
（无铅）
SOIC14
（不含卤化物）
TSSOP14*
2500 /磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
T
L
V
OUT
参数
价值
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
_C
_C
260
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
SOIC和TSSOP封装
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±20
±25
±50
500
450
- 65至+ 150
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
民
4.5
0
0
55
0
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
V
_C
ns
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2
74HCT08
DC特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出
电压
条件
V
OUT
= 0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
OUT
= V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IL
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
额外的静态电源
当前
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
V
in
= 2.4V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
I
OUT
= 0毫安
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
V
CC
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
保证限额
55
至25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
2.0
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
20
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
V
DI
CC
≥
55°C
5.5
2.9
25至125℃的
2.4
mA
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
2.总电源电流= I
CC
+
-dI
CC
.
AC特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
C
in
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
最大输入电容
V
CC
(V)
4.5
4.5
保证限额
55
至25℃
15
15
10
≤85°C
19
19
10
≤125°C
22
22
10
单位
ns
ns
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） *
20
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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3
74HCT08
包装尺寸
SOIC14
CASE 751A -03
ISSUE
A
14
8
B
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
1
7
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出BE 0.127
（ 0.005 ）总计超过的D
DIMENSION最大材料
条件。
G
C
T
座位
飞机
R
X 45
_
F
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
K
T B
S
M
A
S
J
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0
_
7
_
0.228 0.244
0.010 0.019
焊接足迹*
7X
7.04
1
0.58
14X
14X
1.52
1.27
沥青
外形尺寸：毫米
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
QQ：2880707522 复制
