SL74HCT04
六反相器
高性能硅栅CMOS
该SL74HCT04可以用作一个电平转换器，用于连接
TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
该SL74HCT04在引出线的LS / ALS04相同。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A
订购信息
SL74HCT04N塑料
SL74HCT04D SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
L
H
产量
Y
H
L
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HCT04
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±25
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
民
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V） 。
CC
未使用的输出必须悬空。
SLS
系统逻辑
半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
特点
符合JEDEC标准没有。 8-1A
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC04 ; 74HCT04
该74HC / HCT04是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。该74HC / HCT04提供六反相
缓冲区。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC04 ：条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT04 ：所述条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
产量
nY
H
L
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC04
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
7
3.5
21
8
3.5
24
HCT04
ns
pF
pF
单位
2003年07月23
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
推荐工作条件
74HC04
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HC04 ; 74HCT04
74HCT04
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
DIP14封装
其他包
笔记
1.对于DIP14封装： 70以上
°C
为12毫瓦/ K的线性降额。
2.对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于SSOP14和TSSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
T
AMB
=
40
+125
°C;
注1
T
AMB
=
40
+125
°C;
注2
750
500
mW
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
65
分钟。
0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
±25
±50
+150
V
mA
mA
mA
mA
°C
单位
2003年07月23
5
SL74HCT04
六反相器
高性能硅栅CMOS
该SL74HCT04可以用作一个电平转换器，用于连接
TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
该SL74HCT04在引出线的LS / ALS04相同。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A
订购信息
SL74HCT04N塑料
SL74HCT04D SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
L
H
产量
Y
H
L
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HCT04
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±25
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
民
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V） 。
CC
未使用的输出必须悬空。
SLS
系统逻辑
半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
特点
符合JEDEC标准没有。 8-1A
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC04 ; 74HCT04
该74HC / HCT04是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。该74HC / HCT04提供六反相
缓冲区。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC04 ：条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT04 ：所述条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
产量
nY
H
L
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC04
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
7
3.5
21
8
3.5
24
HCT04
ns
pF
pF
单位
2003年07月23
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
推荐工作条件
74HC04
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HC04 ; 74HCT04
74HCT04
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
DIP14封装
其他包
笔记
1.对于DIP14封装： 70以上
°C
为12毫瓦/ K的线性降额。
2.对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于SSOP14和TSSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
T
AMB
=
40
+125
°C;
注1
T
AMB
=
40
+125
°C;
注2
750
500
mW
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
65
分钟。
0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
±25
±50
+150
V
mA
mA
mA
mA
°C
单位
2003年07月23
5
74HCT04
六反相器
与LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该74HCT04可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL
或NMOS输出高速CMOS输入。该HCT04A是
在相同的引脚排列到LS04 。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HCT04G
AWLYWW
输出驱动能力： 10输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
mA
符合JEDEC标准号7A要求
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏;机器型号
＆ GT ;
200 V
芯片的复杂性： 48场效应管或12个等效门
这些无铅器件
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HCT04
A
L， WL
Y
W, WW
G或
G
HCT
04
ALYWG
G
=器件代码
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年3月，
第1版
1
出版订单号：
74HCT04/D
74HCT04
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
V
CC
14
A6
13
Y6
12
A5
11
Y5
10
A4
9
Y4
8
A1
逻辑图
1
2
Y1
A2
3
4
Y2
A3
1
A1
2
Y1
3
A2
4
Y2
5
A3
6
Y3
7
GND
A4
5
6
Y3
9
8
Y4
A5
11
10
Y5
功能表
输入
A
L
H
输出
Y
H
L
-A
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
A6
13
12
Y6
订购信息
设备
74HCT04DR2G
74HCT04DTR2G
包
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
航运
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
74HCT04
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
T
L
V
OUT
参数
价值
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
_C
_C
260
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±20
±25
±50
500
450
- 65至+ 150
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
SOIC和TSSOP封装
SOIC封装
TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度范围，所有封装类型
输入上升/下降时间（图1 ）
民
4.5
0
– 55
0
最大
5.5
V
CC
+ 125
500
单位
V
V
_C
ns
DC特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出
电压
条件
V
OUT
= 0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
OUT
= V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IL
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
额外的静态电源
当前
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
V
in
= 2.4V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
I
OUT
= 0毫安
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
V
CC
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
保证限额
55
至25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
2.0
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
20
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
V
DI
CC
≥
55°C
5.5
2.9
25至125℃的
2.4
mA
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
2.总电源电流= I
CC
+
-dI
CC
.
http://onsemi.com
3
74HCT04
AC特性
(V
CC
= 5.0V
±10%,
C
L
= 50pF的，输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
保证限额
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
C
in
参数
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和图2）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
最大输入电容
55
至25℃
15
17
15
10
≤85°C
19
21
19
10
≤125°C
22
26
22
10
单位
ns
ns
pF
3.对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参见安森美半导体的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每变频器） *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
t
f
输入A
2.7V
1.3V
0.3V
t
PLH
90%
输出y
t
TLH
1.3V
10%
t
r
3.0V
TEST
点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
GND
t
PHL
t
THL
*包括所有探测和夹具电容
图1.开关波形
图2.测试电路
A
Y
图3.扩展逻辑图
（该设备的1/6所示）
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4
74HCT04
包装尺寸
SOIC14
CASE 751A -03
ISSUE
A
14
8
B
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
1
7
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出BE 0.127
（ 0.005 ）总计超过的D
DIMENSION最大材料
条件。
G
C
T
座位
飞机
R
X 45
_
F
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0
_
7
_
0.228 0.244
0.010 0.019
焊接足迹*
7X
7.04
1
0.58
14X
14X
1.52
1.27
沥青
外形尺寸：毫米
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
特点
符合JEDEC标准没有。 8-1A
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC04 ; 74HCT04
该74HC / HCT04是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。该74HC / HCT04提供六反相
缓冲区。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC04 ：条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT04 ：所述条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
产量
nY
H
L
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC04
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
7
3.5
21
8
3.5
24
HCT04
ns
pF
pF
单位
2003年07月23
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
推荐工作条件
74HC04
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HC04 ; 74HCT04
74HCT04
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
DIP14封装
其他包
笔记
1.对于DIP14封装： 70以上
°C
为12毫瓦/ K的线性降额。
2.对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于SSOP14和TSSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
T
AMB
=
40
+125
°C;
注1
T
AMB
=
40
+125
°C;
注2
750
500
mW
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
65
分钟。
0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
±25
±50
+150
V
mA
mA
mA
mA
°C
单位
2003年07月23
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
特点
符合JEDEC标准没有。 8-1A
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC04 ; 74HCT04
该74HC / HCT04是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。该74HC / HCT04提供六反相
缓冲区。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC04 ：条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT04 ：所述条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
产量
nY
H
L
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC04
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
7
3.5
21
8
3.5
24
HCT04
ns
pF
pF
单位
2003年07月23
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
推荐工作条件
74HC04
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HC04 ; 74HCT04
74HCT04
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
DIP14封装
其他包
笔记
1.对于DIP14封装： 70以上
°C
为12毫瓦/ K的线性降额。
2.对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于SSOP14和TSSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
T
AMB
=
40
+125
°C;
注1
T
AMB
=
40
+125
°C;
注2
750
500
mW
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
65
分钟。
0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
±25
±50
+150
V
mA
mA
mA
mA
°C
单位
2003年07月23
5
QQ：2880707522 复制
