集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT86
四2输入异或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
特点
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
概述
74HC/HCT86
该74HC / HCT86是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT86提供异或功能。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
11
3.5
30
HCT
14
3.5
30
ns
pF
pF
单位
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号参数
+25
MIN 。 TYP 。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
输出转换时间
39
14
11
19
7
6
马克斯。
120
24
20
75
15
13
40
to
+85
分钟。马克斯。
150
30
26
95
19
16
40
to
+125
分钟。马克斯。
180
36
31
110
22
19
ns
单位
74HC/HCT86
测试条件
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
波形
Fig.6
t
THL
/ t
TLH
ns
Fig.6
直流特性FOR 74HCT
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
注释HCT类型
额外的静态电源电流ΔI值（
CC
）为1个单位负载中给出家庭的规格。
确定
I
CC
每输入，乘以此值由下表中所示的单元的负载系数。
输入
呐， NB
单元机组负荷系数
1.0
AC特性74HCT
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HCT
符号参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
t
THL
/ t
TLH
传播延迟
呐， NB到纽约
输出转换时间
+25
典型值。
17
7
40
to
+85
MAX 。 MIN 。
32
15
马克斯。
40
19
40
to
+125
分钟。马克斯。
48
22
ns
ns
4.5
4.5
Fig.6
Fig.6
单位
V
CC
(V)
波形
测试条件
1990年12月
5
集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT86
四2输入异或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
特点
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
概述
74HC/HCT86
该74HC / HCT86是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT86提供异或功能。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
11
3.5
30
HCT
14
3.5
30
ns
pF
pF
单位
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号参数
+25
MIN 。 TYP 。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
输出转换时间
39
14
11
19
7
6
马克斯。
120
24
20
75
15
13
40
to
+85
分钟。马克斯。
150
30
26
95
19
16
40
to
+125
分钟。马克斯。
180
36
31
110
22
19
ns
单位
74HC/HCT86
测试条件
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
波形
Fig.6
t
THL
/ t
TLH
ns
Fig.6
直流特性FOR 74HCT
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
注释HCT类型
额外的静态电源电流ΔI值（
CC
）为1个单位负载中给出家庭的规格。
确定
I
CC
每输入，乘以此值由下表中所示的单元的负载系数。
输入
呐， NB
单元机组负荷系数
1.0
AC特性74HCT
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HCT
符号参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
t
THL
/ t
TLH
传播延迟
呐， NB到纽约
输出转换时间
+25
典型值。
17
7
40
to
+85
MAX 。 MIN 。
32
15
马克斯。
40
19
40
to
+125
分钟。马克斯。
48
22
ns
ns
4.5
4.5
Fig.6
Fig.6
单位
V
CC
(V)
波形
测试条件
1990年12月
5
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