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74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
第3版 - 2011年7月25日
产品数据表
1.概述
该74HC7541 ; 74HCT7541是高速硅栅CMOS器件,其引脚兼容
低功耗肖特基TTL ( LSTTL ) 。这是符合JEDEC标准规定
没有。 7A 。
该74HC7541 ; 74HCT7541提供八个非反相缓冲器/线路驱动器,具有三态
输出和施密特触发器动作。 3态输出由输出使能控制
输入OE1和OE2 。在OEN一高,会使输出呈高阻抗
OFF状态。在数据输入施密特触发器动作变换缓慢变化的输入
信号转换成大幅德网络定义,无抖动的输出信号。
该74HC7541 ; 74HCT7541是相同的74HC541 ; 74HCT541但滞后
上的数据输入端。
2.特点和好处科幻TS
非反相输出
低功耗
ESD保护:
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
40 C
+125
C
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74HC7541N
74HCT7541N
74HC7541D
74HCT7541D
74HC7541DB
74HC7541PW
74HCT7541PW
40 C
+125
C
40 C
+125
C
SSOP20
TSSOP20
40 C
+125
C
SO20
塑料小外形封装; 20线索;
体宽7.5毫米
塑料小外形封装; 20线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 20线索;
体宽4.4毫米
SOT163-1
SOT339-1
SOT360-1
40 C
+125
C
名字
DIP20
描述
塑料双列直插式封装; 20引线( 300万)
VERSION
SOT146-1
类型编号
恩智浦半导体
74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
4.功能图
A0
Y0
2
18
3
A1
Y1
17
4
A2
Y2
16
5
A3
Y3
15
1
19
&放大器;
EN
6
A4
Y4
14
2
18
17
16
15
14
13
12
11
7
A5
Y5
13
3
4
8
A6
Y6
12
5
6
9
A7
Y7
7
11
8
9
1
19
OE1
OE2
aaa-000084
aaa-000085
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
5.管脚信息
5.1钢钉
74HC7541
74HCT7541
OE1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
aaa-000086
74HC7541
74HCT7541
OE1
AO
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
aaa-000087
GND 10
GND 10
图3 。
引脚配置DIP20 , SO20
图4 。
引脚配置SSOP20 , TSSOP20
74HC_HCT7541
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产品数据表
第3版 - 2011年7月25日
2 17
恩智浦半导体
74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
5.2引脚说明
表2中。
符号
OE1
A0到A7
GND
Y0到Y7
OE2
V
CC
引脚说明
1
2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
10
19
20
描述
输出使能输入(低电平有效)
数据输入
接地( 0 V )
输出使能输入(低电平有效)
电源电压
18 ,17, 16 ,15, 14 ,13, 12 , 11的数据输出
6.功能描述
表3中。
控制
OE1
L
L
X
H
[1]
多功能表
[1]
输入
OE2
L
L
H
X
An
L
H
X
X
产量
Yn
L
H
Z
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP20
SO20 , SSOP20 , TSSOP20
[1]
[2]
[2]
条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
20
20
25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP20封装: 70以上
C
P的值
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO20封装: 70以上
C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于SSOP20和TSSOP20封装: 60岁以上
C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
74HC_HCT7541
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第3版 - 2011年7月25日
3 17
恩智浦半导体
74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND(地= 0 V)的
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
74HC7541
2.0
0
0
40
典型值
5.0
-
-
+25
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HCT7541
4.5
0
0
40
典型值
5.0
-
-
+25
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
C
单位
9.静态特性
表6 。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
条件
T
AMB
= 25
C
74HC7541
V
OH
高位
输出电压
V
I
= V
T+
或V
T
I
O
=
20 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
=
6.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
7.8
毫安; V
CC
= 6.0 V
V
OL
低电平
输出电压
V
I
= V
T+
或V
T
I
O
= 20
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
= 6.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 7.8毫安; V
CC
= 6.0 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏
当前
电源电流
输入
电容
高位
输出电压
V
I
= V
T+
或V
T
; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A
I
O
=
6.0
mA
V
OL
低电平
输出电压
V
I
= V
T+
或V
T
; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
A;
I
O
= 6.0毫安;
-
-
0
0.15
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
4.4
3.98
4.5
4.32
-
-
4.4
3.84
-
-
4.4
3.7
-
-
V
V
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 6.0 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 6.0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
0
0
0
0.15
0.16
-
-
3.5
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.1
8.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.0
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
1.0
160
-
V
V
V
V
V
A
A
pF
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
2.0
4.5
6.0
4.32
5.81
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
典型值
最大
T
AMB
=
40 C
+85
C
最大
T
AMB
=
40 C
+125
C
最大
单位
74HCT7541
V
OH
74HC_HCT7541
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恩智浦半导体
74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
表6 。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
条件
T
AMB
= 25
C
I
I
I
CC
I
CC
输入漏
当前
电源电流
另外
电源电流
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
每个输入引脚;我
O
= 0 A;
V
I
= V
CC
2.1 V;
其他输入在V
CC
或GND ;
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
输入
OEN输入
C
I
输入
电容
-
-
-
20
130
3.5
72
468
-
-
-
-
90
585
-
-
-
-
98
637
-
A
A
pF
-
-
典型值
-
-
最大
0.1
8.0
T
AMB
=
40 C
+85
C
-
-
最大
1.0
80
T
AMB
=
40 C
+125
C
-
-
最大
1.0
160
A
A
单位
10.动态特性
表7中。
动态特性
GND = 0 V ;
L
= 50 pF的;测试电路见
图7 。
符号参数
74HC7541
t
pd
传输延迟至Yn ;看
图5
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
V
CC
= 6.0 V
t
en
启用时间
OEN到Yn ;看
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
DIS
禁止时间
OEN到Yn ;看
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
t
转换时间
SEE
图5
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
C
PD
功耗
电容
每包;
V
I
= GND到V
CC
[3]
[2]
[1]
[1]
[1]
条件
T
AMB
= 25
C
典型值
最大
T
AMB
=
40 C
+125
C
马克斯( 85
C)
马克斯( 125
C)
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
39
14
10
11
44
16
13
58
21
17
14
5
4
30
120
24
-
20
160
32
27
160
32
27
60
12
10
-
150
30
-
26
200
40
34
200
40
34
75
15
13
-
180
36
-
32
240
48
41
240
48
41
90
18
15
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
74HC_HCT7541
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产品数据表
第3版 - 2011年7月25日
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74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
第3版 - 2011年7月25日
产品数据表
1.概述
该74HC7541 ; 74HCT7541是高速硅栅CMOS器件,其引脚兼容
低功耗肖特基TTL ( LSTTL ) 。这是符合JEDEC标准规定
没有。 7A 。
该74HC7541 ; 74HCT7541提供八个非反相缓冲器/线路驱动器,具有三态
输出和施密特触发器动作。 3态输出由输出使能控制
输入OE1和OE2 。在OEN一高,会使输出呈高阻抗
OFF状态。在数据输入施密特触发器动作变换缓慢变化的输入
信号转换成大幅德网络定义,无抖动的输出信号。
该74HC7541 ; 74HCT7541是相同的74HC541 ; 74HCT541但滞后
上的数据输入端。
2.特点和好处科幻TS
非反相输出
低功耗
ESD保护:
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
40 C
+125
C
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74HC7541N
74HCT7541N
74HC7541D
74HCT7541D
74HC7541DB
74HC7541PW
74HCT7541PW
40 C
+125
C
40 C
+125
C
SSOP20
TSSOP20
40 C
+125
C
SO20
塑料小外形封装; 20线索;
体宽7.5毫米
塑料小外形封装; 20线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 20线索;
体宽4.4毫米
SOT163-1
SOT339-1
SOT360-1
40 C
+125
C
名字
DIP20
描述
塑料双列直插式封装; 20引线( 300万)
VERSION
SOT146-1
类型编号
恩智浦半导体
74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
4.功能图
A0
Y0
2
18
3
A1
Y1
17
4
A2
Y2
16
5
A3
Y3
15
1
19
&放大器;
EN
6
A4
Y4
14
2
18
17
16
15
14
13
12
11
7
A5
Y5
13
3
4
8
A6
Y6
12
5
6
9
A7
Y7
7
11
8
9
1
19
OE1
OE2
aaa-000084
aaa-000085
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
5.管脚信息
5.1钢钉
74HC7541
74HCT7541
OE1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
aaa-000086
74HC7541
74HCT7541
OE1
AO
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
aaa-000087
GND 10
GND 10
图3 。
引脚配置DIP20 , SO20
图4 。
引脚配置SSOP20 , TSSOP20
74HC_HCT7541
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产品数据表
第3版 - 2011年7月25日
2 17
恩智浦半导体
74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
5.2引脚说明
表2中。
符号
OE1
A0到A7
GND
Y0到Y7
OE2
V
CC
引脚说明
1
2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
10
19
20
描述
输出使能输入(低电平有效)
数据输入
接地( 0 V )
输出使能输入(低电平有效)
电源电压
18 ,17, 16 ,15, 14 ,13, 12 , 11的数据输出
6.功能描述
表3中。
控制
OE1
L
L
X
H
[1]
多功能表
[1]
输入
OE2
L
L
H
X
An
L
H
X
X
产量
Yn
L
H
Z
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP20
SO20 , SSOP20 , TSSOP20
[1]
[2]
[2]
条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
20
20
25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP20封装: 70以上
C
P的值
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO20封装: 70以上
C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于SSOP20和TSSOP20封装: 60岁以上
C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
74HC_HCT7541
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第3版 - 2011年7月25日
3 17
恩智浦半导体
74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND(地= 0 V)的
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
74HC7541
2.0
0
0
40
典型值
5.0
-
-
+25
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HCT7541
4.5
0
0
40
典型值
5.0
-
-
+25
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
C
单位
9.静态特性
表6 。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
条件
T
AMB
= 25
C
74HC7541
V
OH
高位
输出电压
V
I
= V
T+
或V
T
I
O
=
20 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
=
6.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
7.8
毫安; V
CC
= 6.0 V
V
OL
低电平
输出电压
V
I
= V
T+
或V
T
I
O
= 20
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
= 6.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 7.8毫安; V
CC
= 6.0 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏
当前
电源电流
输入
电容
高位
输出电压
V
I
= V
T+
或V
T
; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A
I
O
=
6.0
mA
V
OL
低电平
输出电压
V
I
= V
T+
或V
T
; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
A;
I
O
= 6.0毫安;
-
-
0
0.15
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
4.4
3.98
4.5
4.32
-
-
4.4
3.84
-
-
4.4
3.7
-
-
V
V
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 6.0 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 6.0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
0
0
0
0.15
0.16
-
-
3.5
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.1
8.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.0
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
1.0
160
-
V
V
V
V
V
A
A
pF
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
2.0
4.5
6.0
4.32
5.81
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
典型值
最大
T
AMB
=
40 C
+85
C
最大
T
AMB
=
40 C
+125
C
最大
单位
74HCT7541
V
OH
74HC_HCT7541
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4 17
恩智浦半导体
74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
表6 。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
条件
T
AMB
= 25
C
I
I
I
CC
I
CC
输入漏
当前
电源电流
另外
电源电流
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
每个输入引脚;我
O
= 0 A;
V
I
= V
CC
2.1 V;
其他输入在V
CC
或GND ;
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
输入
OEN输入
C
I
输入
电容
-
-
-
20
130
3.5
72
468
-
-
-
-
90
585
-
-
-
-
98
637
-
A
A
pF
-
-
典型值
-
-
最大
0.1
8.0
T
AMB
=
40 C
+85
C
-
-
最大
1.0
80
T
AMB
=
40 C
+125
C
-
-
最大
1.0
160
A
A
单位
10.动态特性
表7中。
动态特性
GND = 0 V ;
L
= 50 pF的;测试电路见
图7 。
符号参数
74HC7541
t
pd
传输延迟至Yn ;看
图5
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
V
CC
= 6.0 V
t
en
启用时间
OEN到Yn ;看
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
DIS
禁止时间
OEN到Yn ;看
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
t
转换时间
SEE
图5
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
C
PD
功耗
电容
每包;
V
I
= GND到V
CC
[3]
[2]
[1]
[1]
[1]
条件
T
AMB
= 25
C
典型值
最大
T
AMB
=
40 C
+125
C
马克斯( 85
C)
马克斯( 125
C)
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
39
14
10
11
44
16
13
58
21
17
14
5
4
30
120
24
-
20
160
32
27
160
32
27
60
12
10
-
150
30
-
26
200
40
34
200
40
34
75
15
13
-
180
36
-
32
240
48
41
240
48
41
90
18
15
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
74HC_HCT7541
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    -
    -
    -
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联系人:王云
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联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
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