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74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
第3版 - 2011年7月25日
产品数据表
1.概述
该74HC7541 ; 74HCT7541是高速硅栅CMOS器件,其引脚兼容
低功耗肖特基TTL ( LSTTL ) 。这是符合JEDEC标准规定
没有。 7A 。
该74HC7541 ; 74HCT7541提供八个非反相缓冲器/线路驱动器,具有三态
输出和施密特触发器动作。 3态输出由输出使能控制
输入OE1和OE2 。在OEN一高,会使输出呈高阻抗
OFF状态。在数据输入施密特触发器动作变换缓慢变化的输入
信号转换成大幅德网络定义,无抖动的输出信号。
该74HC7541 ; 74HCT7541是相同的74HC541 ; 74HCT541但滞后
上的数据输入端。
2.特点和好处科幻TS
非反相输出
低功耗
ESD保护:
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC7541N
74HCT7541N
74HC7541D
74HCT7541D
74HC7541DB
74HC7541PW
74HCT7541PW
40 C
+125
C
40 C
+125
C
SSOP20
TSSOP20
40 C
+125
C
SO20
塑料小外形封装; 20线索;
体宽7.5毫米
塑料小外形封装; 20线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 20线索;
体宽4.4毫米
SOT163-1
SOT339-1
SOT360-1
40 C
+125
C
名字
DIP20
描述
塑料双列直插式封装; 20引线( 300万)
VERSION
SOT146-1
类型编号
恩智浦半导体
74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
5.2引脚说明
表2中。
符号
OE1
A0到A7
GND
Y0到Y7
OE2
V
CC
引脚说明
针
1
2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
10
19
20
描述
输出使能输入(低电平有效)
数据输入
接地( 0 V )
输出使能输入(低电平有效)
电源电压
18 ,17, 16 ,15, 14 ,13, 12 , 11的数据输出
6.功能描述
表3中。
控制
OE1
L
L
X
H
[1]
多功能表
[1]
输入
OE2
L
L
H
X
An
L
H
X
X
产量
Yn
L
H
Z
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP20
SO20 , SSOP20 , TSSOP20
[1]
[2]
[2]
条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
20
20
25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP20封装: 70以上
C
P的值
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO20封装: 70以上
C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于SSOP20和TSSOP20封装: 60岁以上
C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
74HC_HCT7541
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74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
第3版 - 2011年7月25日
产品数据表
1.概述
该74HC7541 ; 74HCT7541是高速硅栅CMOS器件,其引脚兼容
低功耗肖特基TTL ( LSTTL ) 。这是符合JEDEC标准规定
没有。 7A 。
该74HC7541 ; 74HCT7541提供八个非反相缓冲器/线路驱动器,具有三态
输出和施密特触发器动作。 3态输出由输出使能控制
输入OE1和OE2 。在OEN一高,会使输出呈高阻抗
OFF状态。在数据输入施密特触发器动作变换缓慢变化的输入
信号转换成大幅德网络定义,无抖动的输出信号。
该74HC7541 ; 74HCT7541是相同的74HC541 ; 74HCT541但滞后
上的数据输入端。
2.特点和好处科幻TS
非反相输出
低功耗
ESD保护:
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC7541N
74HCT7541N
74HC7541D
74HCT7541D
74HC7541DB
74HC7541PW
74HCT7541PW
40 C
+125
C
40 C
+125
C
SSOP20
TSSOP20
40 C
+125
C
SO20
塑料小外形封装; 20线索;
体宽7.5毫米
塑料小外形封装; 20线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 20线索;
体宽4.4毫米
SOT163-1
SOT339-1
SOT360-1
40 C
+125
C
名字
DIP20
描述
塑料双列直插式封装; 20引线( 300万)
VERSION
SOT146-1
类型编号
恩智浦半导体
74HC7541 ; 74HCT7541
八路施密特触发器缓冲/线路驱动器;三态
5.2引脚说明
表2中。
符号
OE1
A0到A7
GND
Y0到Y7
OE2
V
CC
引脚说明
针
1
2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
10
19
20
描述
输出使能输入(低电平有效)
数据输入
接地( 0 V )
输出使能输入(低电平有效)
电源电压
18 ,17, 16 ,15, 14 ,13, 12 , 11的数据输出
6.功能描述
表3中。
控制
OE1
L
L
X
H
[1]
多功能表
[1]
输入
OE2
L
L
H
X
An
L
H
X
X
产量
Yn
L
H
Z
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP20
SO20 , SSOP20 , TSSOP20
[1]
[2]
[2]
条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
20
20
25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP20封装: 70以上
C
P的值
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO20封装: 70以上
C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于SSOP20和TSSOP20封装: 60岁以上
C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
74HC_HCT7541
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
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