飞利浦半导体
产品speci fi cation
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;
上升沿触发
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
74HC74 ; 74HCT74
概述
该74HC / HCT74是一个高速硅栅CMOS器件
并与低功耗肖特基TTL引脚兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT74是双正边沿触发的D型
触发器与个别数据（D）输入端，时钟（CP）的输入，
集（ SD ）和复位（ RD ）投入;里应外合
Q及输出。
置位和复位是低电平有效的异步输入
在时钟输入的，并独立地进行操作。信息
对输入的数据传送到Q输出端上的
低到高的时钟脉冲的过渡。在D输入
必须在一设定时间之前是稳定的低到高
时钟转换为可预见的操作。
在时钟输入端施密特触发器动作使得电路
高耐性，较慢的时钟上升和下降时间。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
NCP为NQ ， NQ
NSD到NQ ， NQ
NRD为NQ ， NQ
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC74的条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT74的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
最大时钟频率
输入电容
功率耗散电容每FL IP- FL运
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
14
15
16
76
3.5
24
15
18
18
59
3.5
29
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
HCT
单位
2003年07月10
2
74HC74 ; 74HCT74
双D型触发器具有置位和复位;正边沿触发
第4版 - 2012年8月27日
产品数据表
1.概述
的74HC74和74HCT74是双正边沿触发的D型触发器。他们有
个人数据折射率（nD ） ，时钟（NCP） ，设定（NSD ）和复位（ NRD ）输入，并补充
NQ NQ和输出。在Nd -输入数据，符合的建立时间和保持时间
在低到高的时钟转变的要求，存储在触发器与出现在
在NQ输出。在时钟输入施密特触发器动作，使得电路非常宽容
慢时钟的上升和下降时间。输入包括钳位二极管，允许使用电流
限流电阻接口输入电压超过V的
CC
.
2.特点和好处科幻TS
输入电平：
对于74HC74 ： CMOS电平
对于74HCT74 ： TTL电平
对称的输出阻抗
低功耗
高噪声抗扰度
平衡传输延迟
指定符合JEDEC标准没有。 7A
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC74N
74HCT74N
74HC74D
74HCT74D
74HC74DB
74HCT74DB
40 C
+125
C
SSOP14
40 C
+125
C
SO14
塑料小外形封装; 14线索;车身宽度
3.9 mm
塑料小外形封装; 14线索;体
宽度5.3毫米
SOT108-1
SOT337-1
40 C
+125
C
名字
DIP14
描述
塑料双列直插式封装; 14引线（ 300万）
VERSION
SOT27-1
类型编号
恩智浦半导体
74HC74 ; 74HCT74
双D型触发器具有置位和复位;正边沿触发
5.管脚信息
5.1钢钉
?? + ?? &
+&7
5'
*1'
4
*1'
?? + ?? &
+&7
5'
'
&3
6'
4
4
*1'
DDD
WHUPLQDO ？
LQGH [ DUHD
'
9
&&
5'
'
?? ？ &3
6'
4
9
&&
5'
'
?? ？ &3
6'
4
4
&3
6'
4
4
DDD
7UDQVSDUHQW WRS YLHZ
（ 1）这是不是电源引脚。衬底被附连到
使用导电这片芯片粘接材料。那里
没有电或机械要求的焊料
这种垫。然而，如果它被焊接时，焊料的土地
应保持浮动或连接到GND 。
图5 。
为DIP14 ， SO14和（ T） SSOP14管脚配置
图6 。
引脚CON组fi guration的DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1RD
1D
1CP
1SD
1Q
1Q
GND
2Q
2Q
2SD
2CP
2D
2RD
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
描述
异步复位，直接输入（低电平有效）
数据输入
时钟输入端（低到高，边沿触发的）
异步设置，直接输入（低电平有效）
产量
互补输出
接地（ 0 V ）
互补输出
产量
异步设置，直接输入（低电平有效）
时钟输入端（低到高，边沿触发的）
数据输入
异步复位，直接输入（低电平有效）
电源电压
74HC_HCT74
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产品数据表
第4版 - 2012年8月27日
3 21
恩智浦半导体
74HC74 ; 74HCT74
双D型触发器具有置位和复位;正边沿触发
6.功能描述
表3中。
输入
NSD
L
H
L
[1]
功能表
[1]
产量
NRD
H
L
L
NCP
X
X
X
nD
X
X
X
nQ
H
L
H
nQ
L
H
H
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
表4 。
输入
NSD
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
NRD
H
H
NCP
nD
L
H
nQ
n+1
L
H
nQ
n+1
H
L
H =高电压电平; L =低电压电平;
=低到高的转变; Q
n+1
=下一个低到高CP转型后的状态;
X =不在乎。
7.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP14封装
SO14 ， （ T） SSOP14和DHVQFN14
套餐
[1]
对于DIP14封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO14封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于（T ） SSOP14封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
对于DHVQFN14包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
C.
[1]
[1]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
民
0.5
-
-
-
-
100
65
-
-
最大
+7
20
20
25
+100
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
74HC_HCT74
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产品数据表
第4版 - 2012年8月27日
4 21
74HC74 ; 74HCT74
双D型触发器具有置位和复位;正边沿触发
第4版 - 2012年8月27日
产品数据表
1.概述
的74HC74和74HCT74是双正边沿触发的D型触发器。他们有
个人数据折射率（nD ） ，时钟（NCP） ，设定（NSD ）和复位（ NRD ）输入，并补充
NQ NQ和输出。在Nd -输入数据，符合的建立时间和保持时间
在低到高的时钟转变的要求，存储在触发器与出现在
在NQ输出。在时钟输入施密特触发器动作，使得电路非常宽容
慢时钟的上升和下降时间。输入包括钳位二极管，允许使用电流
限流电阻接口输入电压超过V的
CC
.
2.特点和好处科幻TS
输入电平：
对于74HC74 ： CMOS电平
对于74HCT74 ： TTL电平
对称的输出阻抗
低功耗
高噪声抗扰度
平衡传输延迟
指定符合JEDEC标准没有。 7A
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC74N
74HCT74N
74HC74D
74HCT74D
74HC74DB
74HCT74DB
40 C
+125
C
SSOP14
40 C
+125
C
SO14
塑料小外形封装; 14线索;车身宽度
3.9 mm
塑料小外形封装; 14线索;体
宽度5.3毫米
SOT108-1
SOT337-1
40 C
+125
C
名字
DIP14
描述
塑料双列直插式封装; 14引线（ 300万）
VERSION
SOT27-1
类型编号
恩智浦半导体
74HC74 ; 74HCT74
双D型触发器具有置位和复位;正边沿触发
5.管脚信息
5.1钢钉
?? + ?? &
+&7
5'
*1'
4
*1'
?? + ?? &
+&7
5'
'
&3
6'
4
4
*1'
DDD
WHUPLQDO ？
LQGH [ DUHD
'
9
&&
5'
'
?? ？ &3
6'
4
9
&&
5'
'
?? ？ &3
6'
4
4
&3
6'
4
4
DDD
7UDQVSDUHQW WRS YLHZ
（ 1）这是不是电源引脚。衬底被附连到
使用导电这片芯片粘接材料。那里
没有电或机械要求的焊料
这种垫。然而，如果它被焊接时，焊料的土地
应保持浮动或连接到GND 。
图5 。
为DIP14 ， SO14和（ T） SSOP14管脚配置
图6 。
引脚CON组fi guration的DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1RD
1D
1CP
1SD
1Q
1Q
GND
2Q
2Q
2SD
2CP
2D
2RD
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
描述
异步复位，直接输入（低电平有效）
数据输入
时钟输入端（低到高，边沿触发的）
异步设置，直接输入（低电平有效）
产量
互补输出
接地（ 0 V ）
互补输出
产量
异步设置，直接输入（低电平有效）
时钟输入端（低到高，边沿触发的）
数据输入
异步复位，直接输入（低电平有效）
电源电压
74HC_HCT74
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产品数据表
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3 21
恩智浦半导体
74HC74 ; 74HCT74
双D型触发器具有置位和复位;正边沿触发
6.功能描述
表3中。
输入
NSD
L
H
L
[1]
功能表
[1]
产量
NRD
H
L
L
NCP
X
X
X
nD
X
X
X
nQ
H
L
H
nQ
L
H
H
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
表4 。
输入
NSD
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
NRD
H
H
NCP
nD
L
H
nQ
n+1
L
H
nQ
n+1
H
L
H =高电压电平; L =低电压电平;
=低到高的转变; Q
n+1
=下一个低到高CP转型后的状态;
X =不在乎。
7.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP14封装
SO14 ， （ T） SSOP14和DHVQFN14
套餐
[1]
对于DIP14封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO14封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于（T ） SSOP14封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
对于DHVQFN14包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
C.
[1]
[1]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
民
0.5
-
-
-
-
100
65
-
-
最大
+7
20
20
25
+100
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
74HC_HCT74
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2012保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2012年8月27日
4 21
QQ：2881677436 复制
