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集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT670
4×4的寄存器文件;三态
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4× 4寄存器连接的文件;三态
特点
同时，独立的读写
操作
可扩展到几乎任何字的大小和位长
输出能力：公交车司机
I
CC
类别： MSI
概述
该74HC / HCT670是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT670是16位三态寄存器文件
组织成4个字的每4比特。分离和阅读
写地址输入（R
A
, R
B
和W
A
, W
B
），并启用
输入（ RE和WE）是可用的，允许同时
写入一个字的位置，并从另一个读
位置。的4比特字要被存储呈现四个
数据输入（D
0
到D
3
） 。在W
A
和W
B
输入确定
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
74HC/HCT670
所存储的字的位置。当我们输入
低电平时，数据被输入到寻址位置。该
寻址位置保持透明的数据而
在WE输入为LOW 。在输入端提供的数据将
从该三态中读出的真实（非反相）形式
输出（Q
0
以Q
3
). D
n
和W
n
输入被禁止时，
WE为高电平。
存储在任何的四个寄存器直接采集数据的
使得可以通过单个的读地址输入端
(R
A
和R
B
） 。被寻址的字出现在四
输出当RE为低。数据输出是在高
阻抗OFF状态时再高。此证
输出被连接在一起，以增加单词的能力
非常大的数字。
所读取的设计使该堆叠设备的信号
必须保证有一个在低的水平没有重叠
这会导致一个以上的输出处于激活状态
在同一时间。并联扩容生成n位字
通过驱动使能和地址输入完成
并联的每个器件的。
典型
符号参数
t
PHL
/ t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
;
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5
V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
其中：
传播延迟D
n
以Q
n
输入电容
每个封装的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
23
3.5
122
HCT
23
3.5
124
ns
pF
pF
单位
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4× 4寄存器连接的文件;三态
引脚说明
PIN号
5, 4
8
10, 9, 7, 6
11
12
14, 13
15, 1, 2, 3
16
符号
R
A
, R
B
GND
Q
0
以Q
3
RE
WE
W
A
, W
B
D
0
到D
3
V
CC
名称和功能
阅读地址输入
接地（ 0 V ）
数据输出
三态输出的读使能输入（低电平有效）
写使能输入（低电平有效）
写地址输入
数据输入
正电源电压
74HC/HCT670
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
图3 IEC逻辑符号。
图4的功能框图。
写模式选择表
操作
模式
写数据
数据锁存
记
1.写地址（宽
A
和W
B
）到
“内部锁存器”必须是稳定的，而我们是
LOW常规操作。
输入
WE
L
L
H
D
n
L
H
X
国内
锁存器
(1)
L
H
没有变化
读取模式选择表
操作
模式
读
残
笔记
1. “内部锁存器”被读出地址的选择
(R
A
和R
B
）不是由我们或再操作限制。
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻关断状态
3
输入
RE
L
L
H
内部锁存器
(1)
L
H
X
产量
Q
n
L
H
Z
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4× 4寄存器连接的文件;三态
74HC/HCT670
图5的逻辑图。
1990年12月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4× 4寄存器连接的文件;三态
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：公交车司机
I
CC
类别： MSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号
参数
+25
40
to
+85
40
to+125
马克斯。
295
59
50
375
75
64
375
75
64
225
45
38
225
45
38
90
18
15
120
24
20
90
18
15
90
18
15
5
5
5
5
5
5
150
30
26
ns
74HC/HCT670
测试条件
单位V
CC
波形
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
Fig.6
MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
R
A
, R
B
以Q
n
传播延迟
我们还为Q
n
传播延迟
D
n
以Q
n
三态输出使能时间
RE为Q
n
三态输出禁止时间
RE为Q
n
输出转换时间
58
21
17
77
28
22
74
27
22
39
14
11
47
17
14
14
5
4
80
16
14
60
12
10
60
12
10
5
5
5
5
5
5
100
20
17
14
5
4
3
1
1
6
2
2
0
0
0
0
0
0
28
10
8
5
195
39
33
250
50
43
250
50
43
150
30
26
150
30
26
60
12
10
100
20
17
75
15
13
75
15
13
5
5
5
5
5
5
125
25
21
245
49
42
315
63
54
315
63
54
190
38
33
190
38
33
75
15
13
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.7
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.7
t
PZH
/ t
PZL
ns
Fig.9
t
PHZ
/ t
PLZ
ns
Fig.9
t
THL
/ t
TLH
ns
Fig.6
t
W
写使能脉冲宽度
低
建立时间
D
n
我们所
建立时间
W
A
, W
B
我们所
保持时间
D
n
我们所
保持时间
W
A
, W
B
我们所
锁定时间
我们与R
A
, R
B
ns
Fig.8
t
su
ns
Fig.8
t
su
ns
Fig.8
t
h
ns
Fig.8
t
h
ns
Fig.8
t
LATCH
ns
Fig.8
1990年12月
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