74HC595
8位串行输入/串行或
并行输出移位
与锁存注册
三态输出
高性能硅栅CMOS
74HC595中包含一个8位的移位寄存器和一个8位的D型
锁存器与三态并行输出。移位寄存器接收串行
数据，并提供一个串行输出。移位寄存器还提供了
并行数据，以8位锁存器。移位寄存器和锁存器有
独立的时钟输入。此装置还具有异步复位
对于移位寄存器。
在HC595与SPI串行数据端口，直接连接
CMOS微处理器，微控制器。
特点
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记号
图表
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
HC
595
ALYW
G
G
HC595G
AWLYWW
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC所定义的要求
标准号7A
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏;机器型号
＆ GT ;
200 V
芯片的复杂性： 328场效应管或82个等效门
改进了HC595
提高传输延时
50 ％更低的静态功耗
改进的输入噪声和闭锁免疫
这些无铅器件
HC595 =器件代码
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年3月，
第1版
1
出版订单号：
74HC595/D
74HC595
逻辑图
串行
数据
输入
A
14
15
1
2
3
移
注册
4
LATCH
5
6
7
SHIFT 11
时钟
10
RESET
LATCH 12
时钟
输出13
启用
Q
A
Q
B
Q
C
Q
D
Q
E
Q
F
Q
G
Q
H
并行
数据
输出
引脚分配
Q
B
Q
C
Q
D
Q
E
Q
F
Q
G
Q
H
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Q
A
A
OUTPUT ENABLE
锁存时钟
移位时钟
RESET
SQ
H
9
SQ
H
串行
数据
产量
V
CC
= 16 PIN
GND = 8 PIN
订购信息
设备
74HC595DR2G
74HC595DTR2G
包
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
74HC595
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
T
L
V
OUT
参数
价值
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
_C
_C
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±20
±35
±75
500
450
- 65至+ 150
260
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（ SOIC和TSSOP封装）
SOIC封装
TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
民
2.0
0
– 55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+ 125
1000
500
400
单位
V
V
_C
ns
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3
74HC595
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
II
OUT
I
v
4.0毫安
II
OUT
四5.2毫安
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
II
OUT
I
v
4.0毫安
II
OUT
四5.2毫安
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
- 55 25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
1.9
4.4
5.9
2.98
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
±0.25
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
±2.5
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
±1.0
±2.5
mA
mA
V
V
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压，Q
A
Q
H
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
V
OL
最大低电平输出
电压，Q
A
Q
H
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
OH
最小高电平输出
电压， SQ
H
V
in
= V
IH
或V
IL
II
OUT
I
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
OL
最大低电平输出
电压， SQ
H
V
in
= V
IH
或V
IL
II
OUT
I
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
OZ
最大输入漏
当前
最大的三态
泄漏
目前，Q
A
Q
H
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
l
OUT
= 0
mA
I
CC
6.0
4.0
40
40
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
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4
74HC595
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
f
最大
参数
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和7）
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
- 55 25_C
6.0
15
30
35
140
100
28
24
145
100
29
25
140
100
28
24
150
100
30
26
135
90
27
23
60
23
12
10
75
27
15
13
10
15
v
85_C
4.8
10
24
28
175
125
35
30
180
125
36
31
175
125
35
30
190
125
38
33
170
110
34
29
75
27
15
13
95
32
19
16
10
15
v
125_C
4.0
8.0
20
24
210
150
42
36
220
150
44
38
210
150
42
36
225
150
45
38
205
130
41
35
90
31
18
15
110
36
22
19
10
15
单位
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，移位时钟，以SQ
H
（图1和7）
ns
t
PHL
最大传输延迟，复位到SQ
H
（图2和7）
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟锁存到Q
A
Q
H
（图3和7）
ns
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，输出使能到Q
A
Q
H
（图4和8）的
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，输出使能到Q
A
Q
H
（图4和8）的
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，Q
A
Q
H
（图3和7）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间， SQ
H
（图1和7）
ns
C
in
C
OUT
最大输入电容
最大三态输出电容（在输出
高阻抗状态） ，Q
A
Q
H
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每包） *
2
F +我
CC
300
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
