74HC4851
8通道模拟多路复用器/带
注入电流效应控制
牧师01 - 2007年3月9日
产品数据表
1.概述
的74HC4851是高速硅栅CMOS器件，是特定网络连接编符合
JEDEC标准没有。 7A 。
该74HC4851是8通道模拟多路复用器/多路分解器有三个数字中选择
输入（ S0到S2 ） ，低有效使能输入（E ） ，八个独立的输入/输出（ Y0到
Y7）和一个共同的输入/输出（ Z） 。该器件具有注入电流影响控制，
这其中，有电压超过了汽车应用提供出色的价值
电源电压是常见的。
有了E低，选择了八个开关中的一个（ ON状态低阻抗）由S0到S2 。
有了E HIGH ，所有开关均处于高阻关断状态，独立的S0到S2。
注入电流的影响控制在允许残疾人模拟输入通道的信号
超过电源电压，而不影响使能模拟信道的信号。
这消除了对外部二极管/电阻器网络通常用于保持
的电源电压范围内的模拟信道的信号。
2.特点
I
注入电流交叉耦合< 1毫伏/毫安
I
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114D级2.超越2000 V
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
闭锁性能超过每II JESD 78级100毫安
I
低通态电阻：
N
400
（典型值） V
CC
= 2.0 V
N
215
（典型值） V
CC
= 3.0 V
N
120
（典型值） V
CC
= 3.3 V
N
76
（典型值） V
CC
= 4.5 V
N
59
（典型值） V
CC
= 6.0 V
恩智浦半导体
74HC4851
8通道模拟复用器/解复用器与注入电流效果控制
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC4851
Y4
Y6
Z
Y7
Y5
E
北卡罗来纳州
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aaf876
74HC4851
16 V
CC
15 Y2
Y6
14 Y1
13 Y0
12 Y3
11 S0
10 S1
9
S2
Z
Y7
Y5
E
北卡罗来纳州
2
3
4
5
6
7
8
GND
S2
9
GND
(1)
1号航站楼
索引区
16 V
CC
15 Y2
14 Y1
13 Y0
12 Y3
11 S0
10 S1
Y4
1
001aaf877
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入。
图4.引脚CON组fi guration SO16和TSSOP16
图5.引脚CON组fi guration DHVQFN16
6.2引脚说明
表2中。
符号
Y4
Y6
Z
Y7
Y5
E
北卡罗来纳州
GND
S2
S1
S0
Y3
Y0
Y1
Y2
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
描述
独立的输入/输出Y4
独立的输入/输出Y6
通用输入/输出Z
独立的输入/输出Y7
独立的输入/输出Y5
使能输入（低电平有效）
没有连接
接地（ 0 V ）
选择输入S2
选择输入S1
选择输入S0
独立的输入/输出Y3
独立的输入/输出Y0
独立的输入/输出Y1
独立的输入/输出Y2
正电源电压
74HC4851_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2007年3月9日
4 20
恩智浦半导体
74HC4851
8通道模拟复用器/解复用器与注入电流效果控制
7.功能描述
表3中。
输入
E
L
L
L
L
L
L
L
L
H
[1]
功能表
[1]
通道上
S2
L
L
L
L
H
H
H
H
X
S1
L
L
H
H
L
L
H
H
X
S0
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y0到Z
Y1到Z
Y2到Z
Y3到Z
Y4到Z
Y5到Z
Y6到Z
Y7到Z
-
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不在乎。
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
±20
±20
±25
50
-
+150
500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
启用和禁用模式
V
I
＆ LT ; 0 V或V
I
＆ GT ; V
CC
V
I
＆ LT ; 0 V或V
I
＆ GT ; V
CC
V
SW
= 0 V到V
CC
0.5
-
-
-
-
50
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[1]
-
对于SO16封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
对于TSSOP16封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
对于DHVQFN16包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
°C.
74HC4851_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2007年3月9日
5 20
74HC4851 ; 74HCT4851
8通道模拟多路复用器/带
注入电流效应控制
牧师02 - 2008年9月2日
产品数据表
1.概述
该74HC4851 ; 74HCT4851是高速硅栅CMOS器件，并在特定网络版
符合JEDEC标准号7A 。
该74HC4851 ; 74HCT4851是8通道模拟多路复用器/有三个多路分用器
数字选择输入（ S0到S2 ） ，低有效使能输入（E ） ，八个独立
输入/输出（ Y0至Y7）和一个共同的输入/输出（ Z） 。这些器件具有
注入电流效果控制，它在汽车应用中卓越的价值
超过电源电压的电压是常见的。
有了E低，选择了八个开关中的一个（ ON状态低阻抗）由S0到S2 。
有了E HIGH ，所有开关均处于高阻关断状态，独立的S0到S2。
注入电流的影响控制在允许残疾人模拟输入通道的信号
超过电源电压，而不影响使能模拟信道的信号。
这消除了对外部二极管/电阻器网络通常用于保持
的电源电压范围内的模拟信道的信号。
2.特点
I
注入电流交叉耦合< 1毫伏/毫安
I
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V的74HC4851
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
闭锁性能超过每JESD 78 II类A级100毫安
I
低通态电阻：
N
400
（典型值） V
CC
= 2.0 V
N
215
（典型值） V
CC
= 3.0 V
N
120
（典型值） V
CC
= 3.3 V
N
76
（典型值） V
CC
= 4.5 V
N
59
（典型值） V
CC
= 6.0 V
恩智浦半导体
74HC4851 ; 74HCT4851
8通道模拟复用器/解复用器与注入电流效果控制
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC4851
74HCT4851
Y4
Y6
Z
Y7
Y5
E
北卡罗来纳州
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aaf876
74HC4851
74HCT4851
16 V
CC
15 Y2
Y6
14 Y1
13 Y0
12 Y3
11 S0
10 S1
9
S2
Z
Y7
Y5
E
北卡罗来纳州
2
3
4
5
6
7
8
GND
S2
9
GND
(1)
1号航站楼
索引区
16 V
CC
15 Y2
14 Y1
13 Y0
12 Y3
11 S0
10 S1
Y4
1
001aaf877
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入。
图4.引脚CON组fi guration SO16和TSSOP16
图5.引脚CON组fi guration DHVQFN16
6.2引脚说明
表2中。
符号
Y4
Y6
Z
Y7
Y5
E
北卡罗来纳州
GND
S2
S1
S0
Y3
Y0
Y1
Y2
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
描述
独立的输入/输出
独立的输入/输出
通用输入/输出
独立的输入/输出
独立的输入/输出
使能输入（低电平有效）
没有连接
接地（ 0 V ）
选择输入
选择输入
选择输入
独立的输入/输出
独立的输入/输出
独立的输入/输出
独立的输入/输出
电源电压
74HC_HCT4851_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年9月2日
4 20
恩智浦半导体
74HC4851 ; 74HCT4851
8通道模拟复用器/解复用器与注入电流效果控制
7.功能描述
表3中。
输入
E
L
L
L
L
L
L
L
L
H
[1]
功能表
[1]
通道上
S2
L
L
L
L
H
H
H
H
X
S1
L
L
H
H
L
L
H
H
X
S0
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y0到Z
Y1到Z
Y2到Z
Y3到Z
Y4到Z
Y5到Z
Y6到Z
Y7到Z
-
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不在乎。
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
[1]
[2]
民
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
50
65
最大
+7.0
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
±20
±20
±25
50
-
+150
500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
SW
＆ LT ;
0.5
V或V
SW
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
如果输入钳位电流额定值时所观察到的最小和最大输入电压等级可能被超过。
如果开关钳位电流额定值观察到的最小和最大开关电压等级可能被超过。
对于SO16封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
对于TSSOP16封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
对于DHVQFN16包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
°C.
74HC_HCT4851_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年9月2日
5 20
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