飞利浦半导体
产品speci fi cation
施密特触发器
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
无限输入上升和下降时间
非常小的8引脚封装
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
描述
应用
74HC3G14 ; 74HCT3G14
波和脉冲整形器用于高噪声环境
非稳态多谐振荡器
单稳态触发器
输出能力：标准。
该74HC3G / HCT3G14是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC3G / HCT3G14提供了三个反相缓冲器
与施密特触发器动作。这种装置能够
转变缓慢变化的输入信号转换成大幅
定义的，无抖动的输出信号。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于HC3G14的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于HCT3G14的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
每个缓冲区的功率耗散电容
注1和2
条件
HC3G14
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V 16
2
10
HCT3G14
21
2
10
ns
pF
pF
单位
2003 11月04
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
施密特触发器
推荐工作条件
74HC3G14
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
典型值。
5.0
+25
74HC3G14 ; 74HCT3G14
74HCT3G14
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2003 11月04
5
74HC3G14 ; 74HCT3G14
三重反相施密特触发器
牧师03 - 2009年5月8日
产品数据表
1.概述
该74HC3G14 ; 74HCT3G14是一个高速硅栅CMOS器件。
该74HC3G14 ; 74HCT3G14提供了三个反相缓冲器带施密特触发器输入
它支持标准的输入信号。它们能够转化慢慢改变
输入信号转换成大幅德网络定义，无抖动的输出信号。
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
无限输入上升和下降时间
多种封装选择
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.应用
I
波和脉冲整形的高噪声环境
I
非稳态多谐振荡器
I
单稳态触发器
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC3G14DP
74HCT3G14DP
74HC3G14DC
74HCT3G14DC
74HC3G14GD
74HCT3G14GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
恩智浦半导体
74HC3G14 ; 74HCT3G14
三重反相施密特触发器
5.打标
表2中。
记号
标识代码
H14
T14
H14
T14
H14
T14
类型编号
74HC3G14DP
74HCT3G14DP
74HC3G14DC
74HCT3G14DC
74HC3G14GD
74HCT3G14GD
6.功能图
1A
1Y
3Y
3A
2A
2Y
A
001aah729
Y
mna025
001aah728
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图
（ 1施密特触发器）
7.管脚信息
7.1钢钉
74HC3G14
74HCT3G14
1A
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
74HC3G14
74HCT3G14
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aak035
3Y
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
2A
GND
001aak036
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
74HC_HCT3G14_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年5月8日
2 18
恩智浦半导体
74HC3G14 ; 74HCT3G14
三重反相施密特触发器
7.2引脚说明
表3中。
符号
1A, 2A, 3A
GND
1Y, 2Y, 3Y
V
CC
引脚说明
针
1, 3, 6
4
7, 5, 2
8
描述
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
8.功能描述
表4 。
输入
nA
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nY
H
L
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
[2]
最大
+7.0
±20
±20
±25
+50
-
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8U包： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
74HC_HCT3G14_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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牧师03 - 2009年5月8日
3 18
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