飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器开漏输出
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
高噪声抗扰度
低功耗
SOT505-2和SOT765-1包
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
描述
74HC3G06 ; 74HCT3G06
该74HC3G06 / 74HCT3G06是一个高速硅栅
CMOS器件。指定符合JEDEC
没有标准。 7A 。
该74HC3G06 / 74HCT3G06提供了三个反相
缓冲区。
该74HC3G06的输出; 74HCT3G06设备
打开下水道和可以连接到其它的漏极开路
输出来实现低电平有效的线-OR或
高电平有效线与功能。对于数字操作
此设备必须有一个上拉电阻，以建立一个逻辑
高级别。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
典型
符号
t
PZL
t
PLZ
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC3G06的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT3G06的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
传播延迟nA至纽约
传播延迟nA至纽约
输入电容
每个缓冲区的功率耗散电容注1和2
条件
HC3G
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
9
11
1.5
4
HCT3G
9
12
1.5
4
ns
ns
pF
pF
单位
2003 12月02
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器开漏输出
推荐工作条件
74HC3G06
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
74HC3G06 ; 74HCT3G06
74HCT3G06
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
6.0
V
CC
+125
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出电压
输出灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V ;注1
主动模式;注1
高阻抗模式;注1
0.5
V < V
O
< 7.0 V ;注1
注1
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+7.0
±20
20
7.0
25
50
+150
300
V
mA
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
2003 12月02
5
74HC3G06 ; 74HCT3G06
三重逆变器采用开漏输出
牧师03 - 2009年5月11日
产品数据表
1.概述
该74HC3G06和74HCT3G06是高速硅栅CMOS器件。它们提供
3反相缓冲器具有漏极开路输出。
在74HC3G06和74HCT3G06设备的输出是开放的下水道和可
连接到其他漏极开路输出来实现低有效线或有效或高电平有效
线与功能。对于数字操作此设备必须有一个上拉电阻
建立一个逻辑高电平。
慧聪设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至6 V.
该HCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
I
I
I
I
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V
高噪声抗扰度
低功耗
多种封装选择
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC3G06DP
74HCT3G06DP
74HC3G06DC
74HCT3G06DC
74HC3G06GD
74HCT3G06GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
恩智浦半导体
74HC3G06 ; 74HCT3G06
三重逆变器采用开漏输出
4.标记
表2中。
标识代码
标识代码
H06
T06
H06
T06
H06
T06
类型编号
74HC3G06DP
74HCT3G06DP
74HC3G06DC
74HCT3G06DC
74HC3G06GD
74HCT3G06GD
5.功能图
1
1A
1Y
1
2A
2Y
Y
3A
3Y
1
A
001aah899
001aah900
GND
mna586
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图（一台变频器）
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC3G06
74HCT3G06
1A
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
74HC3G06
74HCT3G06
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aak028
3Y
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
2A
GND
001aak030
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
74HC_HCT3G06_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年5月11日
2 13
恩智浦半导体
74HC3G06 ; 74HCT3G06
三重逆变器采用开漏输出
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A, 2A, 3A
GND
1Y, 2Y, 3Y
V
CC
引脚说明
针
1, 3, 6
4
7, 5, 2
8
描述
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
输入nA的
L
H
[1]
功能表
[1]
输出NY
Z
L
H =高电压电平; L =低电压电平; Z =高阻关断状态。
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
D
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
动态功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V
主动模式
高阻抗模式
V
O
=
0.5
V到7.0 V
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
民
0.5
-
20
0.5
0.5
-
-
50
65
-
最大
7.0
±20
-
V
CC
+ 0.5
7.0
25
50
-
+150
300
单位
V
mA
mA
V
V
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8U包： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
74HC_HCT3G06_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年5月11日
3 13
恩智浦半导体
74HC3G06 ; 74HCT3G06
三重逆变器采用开漏输出
表7中。
静态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号参数
74HCT3G06
V
IH
V
IL
V
OL
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
LO
I
CC
I
CC
C
I
[1]
条件
40 °C
+85
°C
民
2.0
-
典型值
[1]
1.6
1.2
最大
-
0.8
40 °C
+125
°C
民
2.0
-
最大
-
0.8
单位
V
V
-
-
-
-
-
-
-
0
0.15
-
-
-
-
1.5
0.1
0.33
±1.0
±5.0
10
375
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.4
±1.0
±10
20
410
-
V
V
A
A
A
A
pF
输入漏
当前
输出漏
当前
电源电流
新增供应
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5 V
V
I
= V
IL
; V
O
= V
CC
或GND
每个输入引脚; V
CC
= 5.5 V;
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
每个输入; V
CC
= 4.5 V至5.5 V ;
V
I
= V
CC
2.1 V ;我
O
= 0 A
典型值是在T测
AMB
= 25
°C.
11.动态特性
表8 。
动态特性
电压参考GND（地= 0V） ;所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
℃;测试电路见
图7 。
符号参数
74HC3G06
t
PZL
OFF状态，以LOW
传播延迟
nA至纽约;看
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
PLZ
低到OFF状态
传播延迟
nA至纽约;看
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
THL
高到低输出NY;看
图6
转换时间
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
C
PD
功耗
电容
V
I
= GND到V
CC
[1]
条件
40 °C
+85
°C
民
典型值
最大
40 °C
+125
°C
民
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
22
9
8
24
11
10
18
6
5
4
95
18
16
95
20
19
95
19
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
20
125
27
23
125
25
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
74HC_HCT3G06_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年5月11日
5 13
QQ：2880707522 复制
