飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力：标准
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC3G04 ; 74HCT3G04
该74HC3G / HCT3G04是一个高速硅栅的CMOS
设备并具有低功耗肖特基引脚兼容
TTL （ LSTTL ） 。指定符合JEDEC
没有标准。 7 。
该74HC3G / HCT3G04提供了三个反相缓冲器。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总开关量输出;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于HC3G04的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于HCT3G04的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
产量
nY
H
L
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
每个缓冲区的功率耗散电容
注1和2
条件
HC3G04
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V 8
1.5
9
HCT3G04
10
1.5
9
ns
pF
pF
单位
2003年10月30
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
推荐工作条件
74HC3G04
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
74HC3G04 ; 74HCT3G04
74HCT3G04
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2003年10月30
5
74HC3G04 ; 74HCT3G04
逆变器
牧师03 - 2008年7月2日
产品数据表
1.概述
该74HC3G04和74HCT3G04是高速硅栅CMOS器件。它们提供
3反相缓冲器。
慧聪设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至6 V.
该HCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
多种封装选择
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC3G04DP
74HCT3G04DP
74HC3G04DC
74HCT3G04DC
74HC3G04GD
74HCT3G04GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
恩智浦半导体
74HC3G04 ; 74HCT3G04
逆变器
4.标记
表2中。
标记代码
标识代码
H04
T04
H04
T04
H04
T04
类型编号
74HC3G04DP
74HCT3G04DP
74HC3G04DC
74HCT3G04DC
74HC3G04GD
74HCT3G04GD
5.功能图
1
1
7
1
1A
1Y
7
3
1
5
3
2A
2Y
5
1
6
3A
3Y
2
6
2
A
Y
mna110
mna720
mna721
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图（ 1门）
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC3G04
74HCT3G04
1A
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
74HC3G04
74HCT3G04
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aai257
3Y
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
2A
GND
001aai258
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
74HC_HCT3G04_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年7月2日
2 13
恩智浦半导体
74HC3G04 ; 74HCT3G04
逆变器
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A, 2A, 3A
GND
1Y, 2Y, 3Y
V
CC
引脚说明
针
1, 3, 6
4
7, 5, 2
8
描述
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nY
H
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
D
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
动态功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
最大
+7.0
±20
±20
25
50
-
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74HC_HCT3G04_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年7月2日
3 13
恩智浦半导体
74HC3G04 ; 74HCT3G04
逆变器
表7中。
静态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号参数
C
I
输入
电容
高位
输入电压
低电平
输入电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
条件
民
-
25
°C
典型值
1.5
最大
-
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
民
-
最大
-
民
-
最大
-
pF
74HCT3G04
V
IH
V
IL
V
OH
2.0
-
1.6
1.2
-
0.8
2.0
-
-
0.8
2.0
-
-
0.8
V
V
高位
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 4.5 V
输入漏
当前
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5 V
4.4
4.18
-
-
-
-
-
4.5
4.32
0
0.15
-
-
-
-
-
0.1
0.26
±0.1
1.0
300
4.4
4.13
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.33
±1.0
10
375
4.4
3.7
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.4
±1.0
20
410
V
V
V
V
A
A
A
V
OL
I
I
I
CC
I
CC
提供每个输入引脚的电流; V
CC
= 5.5 V;
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
另外
每个输入;
电源电流V
CC
= 4.5 V至5.5 V ;
V
I
= V
CC
2.1 V ;我
O
= 0 A
输入
电容
C
I
-
1.5
-
-
-
-
-
pF
11.动态特性
表8 。
动态特性
电压参考GND（地= 0V） ;所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
℃;测试电路见
图7 。
符号参数
74HC3G04
t
pd
传播nA至纽约;看
图6
延迟
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
t
过渡
时间
SEE
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
C
PD
动力
V
I
= GND到V
CC
耗散
电容
[3]
[2]
[1]
条件
民
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
民
最大
民
最大
-
-
-
-
-
-
-
22
8
6
18
6
5
9
75
15
13
75
15
13
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
16
95
19
16
-
-
-
-
-
-
-
-
110
22
20
125
25
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
74HC_HCT3G04_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年7月2日
5 13
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力：标准
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC3G04 ; 74HCT3G04
该74HC3G / HCT3G04是一个高速硅栅的CMOS
设备并具有低功耗肖特基引脚兼容
TTL （ LSTTL ） 。指定符合JEDEC
没有标准。 7 。
该74HC3G / HCT3G04提供了三个反相缓冲器。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总开关量输出;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于HC3G04的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于HCT3G04的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
产量
nY
H
L
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
每个缓冲区的功率耗散电容
注1和2
条件
HC3G04
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V 8
1.5
9
HCT3G04
10
1.5
9
ns
pF
pF
单位
2003年10月30
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
推荐工作条件
74HC3G04
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
74HC3G04 ; 74HCT3G04
74HCT3G04
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2003年10月30
5
QQ：2881677436 复制
